1
TC850
15 - BIT ，快速一体化的CMOS模拟到数字
变流器
特点
s
s
s
s
15位分辨率加符号位
高达每秒40转换
每秒保证12转换
集成ADC技术
- 单调
高噪声抗扰度
- 自动调零放大器偏移消除
裁剪
宽动态范围...................................... 96分贝
低输入偏置电流................................... 30PA
低输入噪声........................................... 30
V
P-P
灵敏度................................................. ...... 100
V
灵活的操作控制
- 连续或按需转换
数据输出有效
总线兼容， 3态数据输出
8位数据总线
- 简单
P接口
- 两个芯片使
- 读取ADC结果如内存
±
5V电源工作...................... 20毫瓦
40脚双列直插或44引脚PLCC封装
2
3
4
5
6
7
概述
在TC850是一个单芯片CMOS模拟 - 数字
转换器（ADC），以15位的加号决议。它
结合了斩波稳定的缓冲和积分器与
独特的多斜率集成技术，提高了
转换速度。结果是16倍的改善
速度比前15位，单芯片集成ADC
（从每秒2.5转化率高达40秒）。快
转换速度特别欢迎与系统
人机接口，诸如数字秤。
在TC850集成了一个ADC和一个
微处理器兼容
数字接口。只有一个参考电压和几noncriti-
CAL无源元件需要形成一个完整的15
位加符号位ADC。
CMOS工艺提供了TC850与高
阻抗差分输入。输入偏置电流典型值
只有30PA ，允许直接连接到传感器。输入
100μV的灵敏度每至少显著位（LSB）消除
需要精确的外部放大器。内部
放大器自稳零，保证了零的数字输出
与0V模拟输入。调零电位器或
校准是不需要的。
在一个8位， 3态总线的TC850的数据输出。数字
输入是CMOS兼容;输出为TTL / CMOS的COM
兼容。芯片使能和字节选择输入结合
转换结束的输出，确保轻松连接到
各种各样的微处理器。转换可以per-
连续地或在命令形成。在连续模式下，
数据被读出为三个连续的字节，并且操纵
地址线不是必需的。
OPERATING FROM
±5V
耗材方面， TC850仅消耗
为20mW 。它封装采用40引脚塑料或陶瓷双IN-
直插式封装（ DIP封装）和44引脚塑料有引线芯片
载体（ PLCC ） ，表面贴装封装。
s
s
s
s
s
s
s
s
功能框图
REF2
+
REF1
+
39
34
REF
–
36
–
IN
+
–
IN
常见
32
31
30
类似物
MUX
+
BUF
25
RINT
INT IN
24
CINT
–5V
INT输出
23
22
40
+5V
–
卜FF器
+
积分
–
+
比较
TC850
A / D
控制
SEQUENCER
6-BIT
上/下
计数器
9-BIT
上/下
计数器
订购信息
产品型号
TC850CLW
TC850CPL
TC850IJL
TC850ILW
数据锁存器
÷4
时钟
振荡器
总线接口
解码逻辑
八路2输入多路复用器
包
44引脚PLCC
40引脚塑料DIP
40引脚CERDIP
44引脚PLCC
温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
= 25 ° C至+ 85°C
= 25 ° C至+ 85°C
三态数据总线
17
18
5
7
6
3
4
1
2
15
. . . . 8
OSC1
OSC2
CONT / L / H OVR / WR
需求
POL
RD
CS
CE
DB0
DB7
8
TC850-4 96年11月5日
TELCOM半导体，INC。的
3-77
15 - BIT ，快速一体化的CMOS
模拟数字转换器
TC850
绝对最大额定值*
正电源电压（V
DD
到GND） ....................... + 6V
负电源电压（V
SS
到GND ） ..................... - 9V
模拟输入电压（IN
+
或
–
) ..................... V
DD
到V
SS
参考电压输入
（ REF
1+
，楼盘
1–
，楼盘
2+
) .............................. V
DD
到V
SS
逻辑输入电压................ V
DD
+ 0.3V至GND - 0.3V
目前进入任何引脚.............................................. ... 10毫安
同时经营................................................ 100μA
工作温度范围
C设备................................................ 0 ° C至+ 70°C
我的设备............................................. - 25 ° C至+ 85°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装功耗（T
A
≤
70°C)
CERDIP ................................................. ............. 2.29W
塑料DIP ................................................ ........ 1.23W
塑料PLCC ................................................ .... 1.23W
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
电气特性：
V
S
=
±5V,
f
CLK
= 61.44千赫，V
FS
= 3.2768V ，T
A
= 25℃时，图1测试电路，
除非另有规定ED 。
符号参数
零刻度误差
端点线性误差
微分非线性
输入漏电流
测试条件
V
IN
= 0V
–V
FS
≤
V
IN
≤
+V
FS
V
IN
= 0V ，T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
– 25°
≤
T
A
≤
+85°C
在工作温度范围
V
IN
= 0V, V
CM
=
±1V
外部参考温度
系数= 0 PPM /°C的
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
V
IN
= 0V
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
V
IN
=
±3.275V
不超过95 ％的时间
民
—
—
—
—
—
V
SS
+ 1.5
—
—
—
—
—
—
—
3.5
—
—
3.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
±0.25
±1
±0.1
30
—
1.1
—
80
2
0.3
0.5
30
2
2
4.9
0.15
0.1
2.3
2.1
4
14
140
1
15
230
190
250
210
140
最大
±0.5
±2
±0.5
75
—
3
V
DD
– 1.5
—
5
2
2
—
3.5
3.5
—
0.4
1
—
1
—
—
—
—
—
450
450
450
450
300
单位
最低位
最低位
最低位
pA
nA
V
dB
PPM /°C的
μV/°C
最低位
V
P-P
mA
mA
V
V
A
V
V
A
A
A
pF
pF
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
I
IN
V
CMR
CMRR
共模电压范围
共模抑制比
满量程增益温度
系数
零刻度误差
温度COEF网络cient
满量程幅度
对称度误差
输入噪声
正电源电流
负电源电流
输出高电压
输出低电压
输出漏电流
输入高电压
输入低电压
输入上拉电流
输入下拉电流
振荡器的输出电流
输入电容
输出电容
芯片使能存取时间
读使能存取时间
数据保持从CS或CE
从RD数据保持
OVR / POL数据访问时间
e
N
I
S +
I
S –
V
OH
V
OL
I
OP
V
IH
IL
I
PU
I
PD
I
OSC
C
IN
C
OUT
t
CE
t
RE
t
DHC
t
DHR
t
OP
3-78
I
O
= 500
A
I
O
= 1.6毫安
引脚8 - 15 ，高阻抗状态
注3
注3
引脚2 ，3，4 ，6，7 ; V
IN
= 0V
引脚1,5 ; V
IN
= 5V
引脚18 ，V
OUT
= 2.5V
引脚1 - 7 ， 17
引脚8 - 15 ，高阻抗状态
CS或CE ， RD = LOW （注1 ）
CS = HIGH ， CE =低（注1 ）
RD = LOW （注1 ）
CS = HIGH ， CE =低（注1 ）
CS = HIGH ， CE =低， RD = LOW （注1 ）
TELCOM半导体，INC。的
15 - BIT ，快速一体化的CMOS
模拟数字转换器
TC850
电气特性
（续）
符号
t
LH
t
WRE
t
WRD
t
WWR
1
参数
低/高字节访问时间
时钟建立时间
RD最小脉冲宽度
RD最小延迟时间
WR最小脉冲宽度
时钟建立时间
测试条件
CS = HIGH ， CE =低， RD = LOW （注1 ）
正或负脉冲宽度
CS = HIGH ， CE =低（注2 ）
CS = HIGH ， CE =低（注2 ）
CS = HIGH ， CE =低，需求模式
正或负脉冲宽度
民
—
100
450
150
75
100
典型值
140
—
230
50
25
—
最大
300
—
—
—
—
—
单位
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
2
3
4
注意事项：
1.需求模式， CONT / DEMAND =低。图10的时序图。
L
= 100pF的。
2.连续模式， CONT / DEMAND = HIGH 。图12的时序图。
3.数字输入具有CMOS逻辑电平，内部上拉/下拉电阻。对于TTL兼容，外部上拉电阻到V
CC
是
推荐使用。
销刀豆网络gurations
CS
CE
WR
RD
CONT /需求
OVR / POL
L / H
DB7
DB6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
DB5 10
DB4 11
DB3 12
DB2 13
DB1 14
DB0 15
BUSY 16
OSC1 17
OSC2 18
测试19
GND 20
VDD
+
REF1
+
CREF1
–
CREF1
参考=
–
CREF2
+
CREF2
+
REF2
IN +
IN-
CONT /需求
6
5
4
3
2
1
VDD
+
REF1
+
CREF1
–
CREF1
参考=
44
43
42
41
40
WR
RD
NC
CE
CS
OVR / POL
7
L / H
8
39
CREF2
38
CREF2
37
REF2
36
IN +
35
IN-
–
5
6
7
+
DB7
9
DB6
10
DB5
11
NC
12
DB4
13
DB3
14
DB2
15
DB1
16
DB0
17
18 19
20
21
22
23
24
25
+
TC850CPL
TC850IJL
30通用
29 CINTB
28辛塔
27 CBUFA
26 CBUFB
25 BUFFER
24
23
22
INTIN
INTOUT
VSS
TC850CLW
TC850ILW
34
NC
33
常见
32
CINTB
31
辛塔
30
CBUFA
29
CBUFB
26
27
28
OSC1
TEST
INTOUT
忙
OSC2
NC
21 COMP
NC - 无内部连接
卜FF器
COMP
INTIN
GND
VSS
8
TELCOM半导体，INC。的
3-79
15 - BIT ，快速一体化的CMOS
模拟数字转换器
TC850
引脚说明
40引脚DIP
PIN号
1
2
3
4
5
6
符号
CS
CE
WR
RD
CONT /需求
OVR / POL
描述
芯片选择，高电平有效。逻辑与CE ，使读取和写入的输入。 （见
注4 ）
芯片使能，低电平有效。 （见注5 ）
写输入，低电平有效。当被选择的芯片（CS =高和CE =低），并在需求
模式（ CONT / DEMAND = LOW ） ，逻辑低电平WR启动转换。 （见注4 ）
读取输入，低电平有效。当CS =高和CE =低，逻辑低电平RD启用
三态数据输出。 （见注5 ）
转换控制输入。当CONT / DEMAND =低，转换是由WR启动
输入。当CONT / DEMAND = HIGH ，转换继续进行。 （见注4 ）
超量程/极性数据选择输入。当需求模式使转换（ CONT /
DEMAND = LOW ） ， OVR / POL控制在DB7数据输出时，高字节为
活跃的。 （见注5 ）
低/高字节选择输入。当CONT / DEMAND = LOW ，这个输入控制是否低
字节或高字节数据通过DB7上启用DB0 。 （见注5 ）
最显著的数据位输出。当读取的A / D转换结果，极性，
超量程和DB7数据是该引脚上输出。 （见正文）。
数据输出DB6 - DB0 。三态，总线兼容。
A / D转换状态输出。 BUSY变为逻辑高电平的deintegrate的开始
相位和变低时，转换完成。的BUSY下降沿可用于
生成
P
中断。
晶体振荡器连接或外部振荡器输入。
晶体振荡器连接。
仅用于工厂测试目的。不要让这个引脚上的外部连接。
数字地连接。
连接的比较器自动调零电容。绕道V
SS
0.1
F.
负电源的连接，通常 - 5V 。
输出积分放大器。连接到C
INT
.
输入到积分放大器。接于R的求和节点
INT
和C
INT
.
输出的输入缓冲器。连接至R
INT
.
连接缓冲自动调零电容。绕道V
SS
0.1
F.
连接缓冲自动调零电容。绕道V
SS
0.1
F.
连接的积分自动调零电容。绕道V
SS
0.1
F.
连接的积分自动调零电容。绕道V
SS
0.1
F.
模拟常见。
负差分模拟输入。
模拟常见。
正输入端的基准电压V
REF2
. (V
REF2
= V
REF1
/64)
对于V正连接
REF2
参考电容。
对于V负连接
REF2
参考电容。
负输入参考电压。
对于V负连接
REF1
参考电容。
对于V正连接
REF1
参考电容。
正输入端的V
REF1
.
电源正极连接，一般为+ 5V 。
7
8
9 – 15
16
L / H
DB7
DB6–DB0
忙
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
30
33
34
35
36
37
38
39
40
OSC
1
OSC
2
TEST
DGND
COMP
V
SS
INT
OUT
INT
IN
卜FF器
C
BUFB
C
BUFA
C
INTA
C
INTB
常见
IN
–
常见
REF
2+
C
REF2+
C
REF2–
REF
–
C
REF1–
C
REF1+
REF
1+
V
DD
注意事项：
4.此引脚集成了一个下拉电阻到DGND。
5.本销包括一个上拉电阻到V
DD
.
3-80
TELCOM半导体，INC。的
15 - BIT ，快速一体化的CMOS
模拟数字转换器
TC850
工作原理
在TC850是一个多斜率，积分模 -
数字转换器（ADC ） 。多重斜率转换亲
塞斯，结合斩波稳定放大器，结果
在ADC的速度显著增加，同时保持
非常高的分辨率和精度。
1
多重积分转换原理
双斜率测量技术的一个限制
NIQUE的转换速度。在一个典型的双斜率法，
自动调零和整合时间是每二分之一的
deintegrate时间。对于一个15位的转换，2-
14
+ 2
14
+ 2
15
需要进行自动调零（65,536 ）的时钟脉冲，集成
和deintegrate阶段，分别。大量的
时钟周期有效地限制了转化率约
每秒，当一个典型的模拟CMOS 2.5转换
制造过程中被使用。
该TC850采用多斜率转换技术
以提高转换速度（图2B） 。这种技术
利用双斜率拆散相和许可证的
15位分辨率高达每秒40次转换。
在TC850的拆散阶段，该积分
电容器迅速放电，得到的9位的分辨率。
在这一点上，一些电荷将保持在电容器上。这
剩余的电荷，然后慢慢deintegrated ，产生一个
+5V
–5V
2
3
4
5
6
7
双积分转换原理
传统的双斜率转换器的测量
周期（如图2A所示）有两个不同的阶段：
（ 1 ）输入信号积分
（ 2 ）参考电压集成（拆散）
该输入信号被转换成被集成为一个固定
一段时间内，通过对时钟脉冲计数测量。一个对立面
网站极性恒定参考电压，然后整合
直到积分器输出电压回零。该
参考积分时间正比于输入
信号。
在简单的双斜率转换器，转换完成
需要积分器输出"ramp - up"和"ramp-
down."大多数双斜率转换器，添加第三个阶段，自动
零。在自动调零，偏移量输入缓冲器的电压
积分器和比较被置空，从而避免
需要进行零偏移的调整。
双斜率转换器的精度是无关的英特
光栅的电阻和电容的值，只要它们是
在测量周期内稳定。通过换算
未知的模拟输入电压转换成一个容易测量的
时间功能，双斜坡转换器减少了
为昂贵，精密的无源元件。
抗噪声能力是整合的固有优点
转换方法。噪声峰值通过积分或平均值
岁，以在积分周期为零。积分型ADC
是避免工作的大转换错误
逐次逼近转换器在高噪声环境
求。
一个简单的数学公式是输入信号，
参考电压，并且积分时间：
1
RC 0
40
V
DD
16 BUSY
8 DB7
9 DB6
10 DB5
11 DB4
12 DB3
13 DB2
14 DB1
20
DGND
22
V
SS
+ 32
IN
–
IN
100 M
0.01
F
输入
+1.6384V
15 DB0
1 CS
2 CE
3 WR
4路
5 CONT /需求
6 OVR / POL
7升/小时
17
OSC1
61.44千赫
**
18
OSC2
COMP
31
普通30
+
REF1 39
+ 33
REF2
36
REF-
+
38 CREF1
TC850
–
37 CREF1
+
CREF2 34
–
CREF2 35
卜FF器
INTIN
INTOUT
25
24
23
+0.0265V
1
F
*
1
F
*
120 M
RINT
0.1F
CINT
TEST
19
NC
∫
t
SI
V
IN
（ T） DT =
V
R
t
RI
,
RC
**
21
辛塔CINTBCBUFA CBUFB
28
0.1
F
0.1
F
29
0.1
F
27
0.1
F
26
0.1
F
其中：V
R
参考电压
t
SI
=信号积分时间（固定）
t
RI
=基准电压积分时间（变量） 。
注意事项：
除非另有说明，所有0.1μF电容器薄膜电介质。
陶瓷电容不推荐使用。
NC =无内部电容
*聚丙烯电容器。
** 100pF的电容云母。
图1.标准的电路配置
8
3-81
TELCOM半导体，INC。的
TC850
15位，快速集成CMOS A / D转换器
特点
15位分辨率加符号位
每秒高达40转换
集成的ADC技术
- 单调
- 高噪声抗扰度
- 自动调零放大器偏移消除
裁剪
宽动态范围： 96分贝
低输入偏置电流： 30PA
低输入噪声： 30μV
P-P
灵敏度： 100μV
灵活的操作控制
连续或按要求转换
数据输出有效
总线兼容， 3态数据输出
- 8位数据总线
- 简单
P
接口
- 两个芯片使
- 读取ADC结果如内存
± 5V电源工作： 20MΩ
40脚双列直插或44引脚PLCC封装
CS
CE
WR
RD
CONT /需求
OVR / POL
L / H
DB7
DB6
封装类型
40引脚PDIP / CERDIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
40 V
DD
39 REF
1
+
38 C
REF1
+
37 C
REF1
-
36 REF-
35 C
REF2
-
34 C
REF2
+
TC850CPL
TC850IJL
33 REF
2
+
32 +
31 IN-
类似物
30通用
29 C
INTB
28 C
INTA
27 C
BUFA
26 C
BUFB
25 BUFFER
24 INT
IN
23 INT
OUT
22 V
SS
21 COMP
DB5 10
DB4 11
DB3 12
DB2 13
DB1 14
DB0 15
BUSY 16
OSC
1
17
OSC
2
18
测试19
DGND 20
44引脚PLCC
CONT /需求
C
REF1
+
REF
1
+
C
REF1
-
INT
IN
RD
应用
精密模拟信号处理器
精密传感器接口
高精度直流测量
OVR / POL 7
L / H 8
DB7 9
10 DB6
DB5 11
NC 12
6
5
4
3
2
1 44 43 42 41 40
39 C
REF2
-
38 C
REF2
+
37 REF
2
+
36 +
35 IN-
34 NC
33 ANALOG
常见
32 C
INTB
31 C
INTA
30 C
BUFA
29 C
BUFB
器件选型表
产品型号
TC850CPL
TC850IJL
TC850CLW
TC850ILW
包
40引脚PDIP
40引脚CERDIP
44引脚PLCC
44引脚PLCC
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
-25 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
-25 ° C至+ 85°C
TC850CLW
TC850ILW
DB4 13
DB3 14
DB2 15
DB1 16
DB0 17
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
NC
COMP
INT
OUT
卜FF器
忙
TEST
DGND
OSC
1
OSC
2
V
SS
NC - 无内部连接
2002年Microchip的科技公司
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REF-
V
DD
WR
NC
CE
CS
TC850
概述
该TC850是一款单芯片CMOS A / D转换器（ ADC ）
具有15位的加号决议。它结合了斩波器
每个稳定的缓冲和积分器具有一个独特的多
PLE坡集成技术，提高了
转换速度。结果是16倍的改进
在速度上比前15位，单芯片整合
模数转换器（从每秒2.5转换到40％
秒）。更快的转换速度特别wel-
进来与人机接口系统，诸如数字
鳞片。
在TC850集成了一个ADC和一个
微处理器兼容
数字接口。只有基准电压源并不在少数，
非关键，无源元件需要形成
完整的15位加符号位ADC。 CMOS工艺亲
国际志愿组织的TC850具有高阻抗，差动
输入。输入偏置电流典型值仅为30PA ，可准许
婷直接接口的传感器。输入灵敏度
100μV每至少显著位（LSB ），消除了
需要精确的外部放大器。内部
放大器的自动调零，确保了零的数字输出
说，与0V模拟输入。零点调整
电位器或校准不是必需的。
在一个8位， 3态总线的TC850的数据输出。数字
输入为CMOS兼容，而输出为TTL /
CMOS兼容。芯片使能和字节选择输入，
结合终止转换器的输出可确保
轻松连接到各种微处理器。
转换可以连续地或间断地进行
命令。在连续模式中，数据被读为3
连续字节和操纵的地址线是
不是必需的。
从±5V电源时， TC850消散操作
只有20MΩ 。该TC850封装在一个40引脚塑料
或陶瓷双列直插式封装（ DIP封装）和44引脚
塑料有引线芯片载体（ PLCC ） ，表面贴装
封装。
功能框图
40引脚封装的引脚排列
REF
2
+
REF
1
+
REF-
BUF
25
-
IN +
IN-
常见
32
31
30
类似物
MUX
+
卜FF器
+
积分
-
9-Bit
6-Bit
UP / DOWN上/下
专柜
数据锁存器
÷4
时钟
振荡器
17
OSC
1
18
OSC
2
5
7
6
总线接口
解码逻辑
八路2输入多路复用器
三态数据总线
3
4
1
2
15 . . . .8
DB0
DB7
-
+
比较
R
INT
INT IN
24
C
INT
–5V
INT输出
23
22
40
+5V
39 34 36
TC850
A / D
控制
SEQUENCER
CONT / L / H OVR / WR RD CS CE
需求
POL
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2002年Microchip的科技公司
TC850
1.0
电气规格
绝对最大额定值*
正电源电压.......................................... + 6V
负电源电压....................................... - 9V
模拟输入电压（ IN +公关 - ） .............. V
DD
到V
SS
参考电压输入：
（ REF
1
+ ， REF
1
- ， REF
2
+).................. V
DD
到V
SS
逻辑输入电压............. V
DD
+ 0.3V至GND - 0.3V
目前进入任何引脚............................................ 10毫安
同时经营...................................... 100μA
工作温度范围
C设备....................................... 0 ° C至+ 70°C
我的设备......................................- 25 ° C至+ 85°C
封装功耗（T
A
≤
70°C)
CERDIP ................................................. .... 2.29
塑料DIP ................................................ 1.23
塑料PLCC ........................................... 1.23
*超出上述"Absolute最大额定上市
ings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。曝光
一定要绝对最大额定值条件下
期间可能会影响器件的可靠性。
TC850电气规范
电气特性：
V
S
= ± 5V ; F
CLK
= 61.44kHz ，V
FS
= 3.2768V ，T
A
= 25℃时，图1-1中，除非另有规定。
符号
参数
零刻度误差
端点线性误差
微分非线性
I
IN
V
CMR
CMRR
输入漏电流
共模电压范围
共模抑制比
满量程增益温度
系数
零刻度误差
温度COEF网络cient
满量程幅度
对称度误差
e
N
I
S
+
I
S
–
V
OH
V
OL
I
OP
V
IH
V
IL
I
PU
I
PD
I
OSC
C
IN
C
OUT
输入噪声
正电源电流
负电源电流
输出高电压
输出低电压
输出漏电流
输入高电压
输入低电压
输入上拉电流
输入下拉电流
振荡器的输出电流
输入电容
输出电容
—
—
—
—
V
SS
+ 1.5
—
—
民
典型值
±0.25
±1
±0.1
30
1.1
—
80
2
最大
±0.5
±2
±0.5
75
3
V
SS
– 1.5
—
5
单位
最低位
最低位
最低位
pA
nA
V
dB
V
IN
= 0V ，T
A
= 25°C
-25°
≤
T
A
≤
+85°C
在工作温度范围
V
IN
= 0V, V
CM
= ±1V
V
IN
= 0V
-V
FS
≤
V
IN
≤
+V
FS
测试条件
PPM /°C的外部参考。温度
系数= 0 PPM /°C的
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
—
—
—
—
—
3.5
—
—
3.5
—
—
—
—
—
—
0.3
0.5
30
2
2
4.9
0.15
0.1
2.3
2.1
4
14
140
1
15
2
2
—
3.5
3.5
—
0.4
1
—
1
—
—
—
—
—
V /°C的
最低位
V
IN
= 0V
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
V
IN
= ±3.275V
不超过95 ％的时间
V
P-P
mA
mA
V
V
I
O
= 500
A
I
O
= 1.6毫安
引脚8 -15 ，高阻抗状态
注3
注3
引脚2 ，3，4 ，6，7 ; V
IN
= 0V
引脚1,5 ; V
IN
= 5V
引脚18 ，V
OUT
= 2.5V
引脚1 - 7 ， 17
引脚8 -15 ，高阻抗状态
A
V
V
A
A
A
pF
pF
注1 ：
需求模式， CONT / DEMAND =低。图8-5时序图。
L
= 100pF的。
2:
连续模式， CONT / DEMAND = HIGH 。图8-7时序图。
3:
数字输入具有CMOS逻辑电平，内部上拉/下拉电阻。对于TTL兼容，外部上拉
电阻到V
DD
被推荐的。
2002年Microchip的科技公司
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TC850
TC850电气规范（续）
电气特性：
V
S
= ± 5V ; F
CLK
= 61.44kHz ，V
FS
= 3.2768V ，T
A
= 25℃时，图1-1中，除非另有规定。
符号
T
CE
T
RE
T
DHC
T
DHR
T
OP
T
LH
参数
芯片使能存取时间
读使能存取时间
数据保持从CS或CE
从RD数据保持
OVR / POL数据访问时间
低/高字节访问时间
时钟建立时间
T
WRE
T
WRD
T
WWD
RD最小脉冲宽度
RD最小延迟时间
WR最小脉冲宽度
民
—
—
—
—
—
—
100
450
150
75
典型值
230
190
250
210
140
140
—
230
50
25
最大
450
450
450
450
300
300
—
—
—
—
单位
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
测试条件
CS或CE ， RD = LOW （注1 ）
CS = HIGH ， CE =低， （注1 ）
RD = LOW ， （注1 ）
CS = HIGH ， CE =低， （注1 ）
CS = HIGH ， CE =低，
RD = LOW ， （注1 ）
CS = HIGH ， CE =低，
RD = LOW ， （注1 ）
正或负脉冲宽度
CS = HIGH ， CE =低， （注2 ）
CS = HIGH ， CE =低， （注2 ）
CS = HIGH ， CE =低， （注1 ）
注1 ：
需求模式， CONT / DEMAND =低。图8-5时序图。
L
= 100pF的。
2:
连续模式， CONT / DEMAND = HIGH 。图8-7时序图。
3:
数字输入具有CMOS逻辑电平，内部上拉/下拉电阻。对于TTL兼容，外部上拉
电阻到V
DD
被推荐的。
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