TC7WBD125AFK
东芝CMOS数字集成电路硅单片
TC7WBD125AFK
双总线开关，电平转换
该TC7WBD125AFK是一个低导通电阻，高速CMOS
2位总线开关。该总线开关允许连接或
断开要以最小的传播延迟而制成
保持低功耗是的特征
CMOS 。
当输出使能（OE ）为低电平时，开关导通;当
处于高电平时，开关处于关闭状态。
该装置使得能够从5伏实现信号电平的偏移
至3.3 V.
所有的输入都配有保护电路，保护
设备的静电放电。
重量0.01克（典型值）。
特点
·
·
·
·
·
·
·
工作电压： V
CC
= 4.5~5.5 V
高速运行：吨
pd
= 0.32纳秒（最大）
导通电阻极低，R
ON
= 5
（典型值）。
静电放电（ ESD ）性能： ± 200 V以上（ JEITA ）
± 2000伏以上（ MIL ）
TTL电平输入（控制输入）
低功耗：电流Icc = 10
mA
（ MAX 。 ）
包装： US8
引脚分配
（ TOP VIEW ）
V
CC
OE2
8
7
B1
6
A2
5
WBA
125
2
OE1
A1
1
3
4
B2 GND
1
2002-10-18
TC7WBD125AFK
电气特性
DC特性
（大
= -
40~85°C)
特征
为“H”电平
输入电压
“ L”电平
高电平输出电压
（注2 ）
输入漏电流
关机漏电流
V
OH
符号
V
IH
V
IL
IOH=-1mA
V
IS
=
V
CC
V
IN
=
0~5.5 V
的a，b ，
OE
=
0~5.5 V
5.0
5.25
4.5~5.5
2.5
2.7
3.0
3.2
3.4
3.6
±1.0
±
1.0
±
1.0
mA
m
A
m
A
V
测试条件
V
CC
(V)
4.5~5.5
4.5~5.5
4.75
民
2.0
2.3
典型值。
（注1 ）
2.8
最大
0.8
3.2
单位
V
I
IN
I
关闭
0
4.5~5.5
4.5
4.75
4.5
4.75
4.5
4.75
5.5
5.5
断态泄漏电流
（开关OFF）
I
SZ
A，B
=
0~5.5 V,
OE
=
V
CC
I
IS
=
64毫安
5
5
5
5
35
35
9
8
9
8
65
50
10
2.5
m
A
W
抗性
（注3）
R
ON
V
IS
=
0 V
I
IS
=
30毫安
V
IS
=
2.3 V，I
IS
=
15毫安
静态电源电流
增加我
CC
每个输入
ICC
D
I
CC
VIN
=
VCC和GND ，我
OUT
=
0
V
IN
=
3.4 V（一个输入）
mA
注1：典型值是在V
CC
=
5 V ，TA
=
25°C.
注2：建议此设备添加和使用电阻时，采用上拉电阻
的输出端。因为它couses砸VOH电平采用下拉电阻时，
对于一个输出端。
注3 ：按照与A和B引脚上所指示的电流通过开关的电压降。上
电阻值由电压上的两个（ A或B）的引脚的下测定。
AC特性
（大
= -
40~85°C)
特征
传播延迟时间
（公交巴士）
输出使能时间
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
输出禁止时间
t
PLZ
t
PHZ
图1 ，图3中
4.5
图1 ，图3中
4.5
测试条件
图1 ，图2中
（注4 ）
V
CC
(V)
4.5
民
最大
0.32
单位
ns
4.5
ns
5.0
ns
注4：传播延迟时间由RC （导通电阻和负载电容）时间常数来计算。
电容特性
（大
=
25°C)
特征
控制引脚输入电容
开关端子电容
符号
C
IN
C
I / O
OE
=
V
CC
测试条件
（注5 ）
（注5 ）
V
CC
(V)
5.0
5.0
典型值。
3
10
单位
pF
pF
注5 ：此参数为设计保证。
3
2002-10-18
TC7WBD125AFK
东芝CMOS数字集成电路硅单片
TC7WBD125AFK
双总线开关，电平转换
该TC7WBD125AFK是一个低导通电阻，高速CMOS
2位总线开关。该总线开关允许连接或
断开要以最小的传播延迟而制成
保持低功耗是的特征
CMOS 。
当输出使能（OE ）为低电平时，开关导通;当
处于高电平时，开关处于关闭状态。
该装置使得能够从5伏实现信号电平的偏移
至3.3 V.
所有的输入都配有保护电路，保护
设备的静电放电。
重量0.01克（典型值）。
特点
·
·
·
·
·
·
·
工作电压： V
CC
= 4.5~5.5 V
高速运行：吨
pd
= 0.32纳秒（最大）
导通电阻极低，R
ON
= 5
（典型值）。
静电放电（ ESD ）性能： ± 200 V以上（ JEITA ）
± 2000伏以上（ MIL ）
TTL电平输入（控制输入）
低功耗：电流Icc = 10
mA
（ MAX 。 ）
包装： US8
引脚分配
（ TOP VIEW ）
V
CC
OE2
8
7
B1
6
A2
5
WBA
125
2
OE1
A1
1
3
4
B2 GND
1
2002-10-18
TC7WBD125AFK
电气特性
DC特性
（大
= -
40~85°C)
特征
为“H”电平
输入电压
“ L”电平
高电平输出电压
（注2 ）
输入漏电流
关机漏电流
V
OH
符号
V
IH
V
IL
IOH=-1mA
V
IS
=
V
CC
V
IN
=
0~5.5 V
的a，b ，
OE
=
0~5.5 V
5.0
5.25
4.5~5.5
2.5
2.7
3.0
3.2
3.4
3.6
±1.0
±
1.0
±
1.0
mA
m
A
m
A
V
测试条件
V
CC
(V)
4.5~5.5
4.5~5.5
4.75
民
2.0
2.3
典型值。
（注1 ）
2.8
最大
0.8
3.2
单位
V
I
IN
I
关闭
0
4.5~5.5
4.5
4.75
4.5
4.75
4.5
4.75
5.5
5.5
断态泄漏电流
（开关OFF）
I
SZ
A，B
=
0~5.5 V,
OE
=
V
CC
I
IS
=
64毫安
5
5
5
5
35
35
9
8
9
8
65
50
10
2.5
m
A
W
抗性
（注3）
R
ON
V
IS
=
0 V
I
IS
=
30毫安
V
IS
=
2.3 V，I
IS
=
15毫安
静态电源电流
增加我
CC
每个输入
ICC
D
I
CC
VIN
=
VCC和GND ，我
OUT
=
0
V
IN
=
3.4 V（一个输入）
mA
注1：典型值是在V
CC
=
5 V ，TA
=
25°C.
注2：建议此设备添加和使用电阻时，采用上拉电阻
的输出端。因为它couses砸VOH电平采用下拉电阻时，
对于一个输出端。
注3 ：按照与A和B引脚上所指示的电流通过开关的电压降。上
电阻值由电压上的两个（ A或B）的引脚的下测定。
AC特性
（大
= -
40~85°C)
特征
传播延迟时间
（公交巴士）
输出使能时间
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
输出禁止时间
t
PLZ
t
PHZ
图1 ，图3中
4.5
图1 ，图3中
4.5
测试条件
图1 ，图2中
（注4 ）
V
CC
(V)
4.5
民
最大
0.32
单位
ns
4.5
ns
5.0
ns
注4：传播延迟时间由RC （导通电阻和负载电容）时间常数来计算。
电容特性
（大
=
25°C)
特征
控制引脚输入电容
开关端子电容
符号
C
IN
C
I / O
OE
=
V
CC
测试条件
（注5 ）
（注5 ）
V
CC
(V)
5.0
5.0
典型值。
3
10
单位
pF
pF
注5 ：此参数为设计保证。
3
2002-10-18
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