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TC7SZ17AFS
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC7SZ17AFS
施密特缓冲
特点
高输出电流
: ± 24毫安(分钟) V
CC
=
3.0VSuper高速运转:吨
pd
= 3.7ns (典型值)。
在V
CC
= 5.0V , 50pF的
工作电压范围
5.5 - V宽容输入。
SON5 -P -0.35
: V
CC ( OPR )
= 1.65 5.5 V
( FSV )
重量:0.001克(典型值)。
记号
产品名称
J
L
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5
6
0.5
6
0.5
到V
CC
+ 0.5
20
± 20 (注1 )
±50
±50
50
65
150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
NC
3
4
输出Y
GND 2
IN A
1
5 V
CC
引脚配置(顶视图)
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 : V
OUT
& LT ; GND ,V
OUT
& GT ; V
CC
1
2009-09-17
TC7SZ17AFS
IEC逻辑符号
IN A
输出Y
真值表
A
L
H
Y
L
H
工作范围
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
等级
1.65 5.5
为1.5 5.5
0至5.5
0到V
CC
40
85
(Note2)
单位
V
V
V
°C
注2 :只有数据保存
电气特性
DC特性
特征
符号
测试条件
Ta
=
25°C
V
CC
(V)
1.65
1.8
水平
V
P
2.3
3.0
4.5
门槛
电压
5.5
1.65
1.8
水平
V
N
2.3
3.0
4.5
5.5
1.65
1.8
滞后电压
V
H
2.3
3.0
4.5
5.5
0.6
0.7
1.0
1.3
1.9
2.2
0.2
0.25
0.40
0.6
1.0
1.2
0.1
0.15
0.25
0.4
0.6
0.7
典型值。
1.0
1.1
1.4
1.75
2.45
2.9
0.5
0.55
0.75
1.0
1.43
1.70
0.48
0.54
0.65
0.77
1.01
1.18
最大
1.4
1.5
1.8
2.2
3.1
3.6
0.8
0.9
1.15
1.5
2.0
2.4
0.9
1.0
1.1
1.2
1.5
1.7
Ta
= 40
至85℃
0.6
0.7
1.0
1.3
1.9
2.2
0.2
0.25
0.40
0.6
1.0
1.2
0.1
0.15
0.25
0.4
0.6
0.7
最大
1.4
1.5
1.8
2.2
3.1
3.6
0.8
0.9
1.15
1.5
2.0
2.4
1.0
1.0
1.1
1.2
1.5
1.7
V
V
单位
2
2009-09-17
TC7SZ17AFS
特征
符号
测试条件
Ta
=
25°C
V
CC
(V)
1.65
1.8
I
OH
= 100 μA
2.3
3.0
水平
V
OH
V
IN
=
V
P
4.5
I
OH
= 4
mA
I
OH
= 8
mA
I
OH
= 16
mA
I
OH
= 24
mA
输出电压
I
OH
= 32
mA
1.65
2.3
3.0
3.0
4.5
1.65
1.8
I
OL
=
100
μA
2.3
3.0
水平
V
OL
V
IN
=
V
N
4.5
I
OL
=
4毫安
I
OL
=
8毫安
I
OL
=
16毫安
I
OL
=
24毫安
I
OL
=
32毫安
输入漏电流
静态电源电流
I
IN
I
CC
V
IN
=
5.5 V或GND
V
IN
=
5.5 V或GND
1.65
2.3
3.0
3.0
4.5
0至5.5
1.65
5.5
1.55
1.7
2.2
2.9
4.4
1.29
1.9
2.4
2.3
3.8
典型值。
1.65
1.8
2.3
3.0
4.5
1.52
2.15
2.8
2.68
4.2
0
0
0
0
0
0.08
0.1
0.15
0.22
0.22
最大
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.24
0.3
0.4
0.55
0.55
±1
1
Ta
= 40
至85℃
1.55
1.7
2.2
2.9
4.4
1.29
1.9
2.4
2.3
3.8
最大
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.24
0.3
0.4
0.55
0.55
±10
10
μA
μA
V
单位
AC特性
(
除非另有规定ED ,
输入吨
r
=
t
f
=
3 NS )
特征
符号
TEST
条件
Ta
=
25°C
V
CC
(V)
1.8± 0.15
C
L
=
15 pF½
R
L
=
1 MΩ
2.5
±
0.2
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
C
L
=
50 pF½
R
L
=
500
Ω
输入电容
功率耗散电容
C
IN
C
PD
(注3)
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
0至5.5
3.3
5.5
2.0
1.0
1.0
0.5
1.5
0.5
典型值。
9.1
5.0
3.7
3.1
4.4
3.7
4
15
20
最大
15.0
9.0
6.3
5.2
7.2
5.9
Ta
= 40
至85℃
2.0
1.0
1.0
0.5
1.5
0.5
最大
17.0
9.5
6.5
5.5
7.5
6.2
pF
pF
pF
ns
单位
传播延迟时间
t
PLH
t
PHL
注3 :
C
PD
被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以由下式得到:
I
CC ( OPR )
=
C
PD
½V
CC
½f
IN
+
I
CC
3
2009-09-17
TC7SZ17AFS
包装尺寸
SON5-P-0.35
单位:mm
重量:0.001克(典型值)。
4
2009-09-17
TC7SZ17AFS
限制产品使用
东芝公司及其子公司和联营公司(统称为“ TOSHIBA” ) ,保留更改信息的权利
在这个文件中,以及相关的硬件,软件和系统(统称为“产品”) ,恕不另行通知。
本文档的任何信息均不得转载未经东芝事先书面许可。即使
东芝的书面许可,复制是允许的,只要还原度没有改变/遗漏。
虽然东芝的作品不断地提高产品的质量和可靠性,产品可能出现故障或失败。客户
负责符合安全标准,并提供足够的设计和保障他们的硬件,软件和
这最大限度地降低风险,并避免出现在产品的故障或失效可能导致生命丧失,身体系统
人身伤害或财产损失,包括数据丢失或损坏。在客户使用的产品,创造设计包括
产品,或纳入产品到他们自己的应用程序,用户还必须参考,并符合第(一)的最新版本
所有相关的东芝信息,包括但不限于本文件,规格,数据表和应用说明
对于产品,并提出了“东芝半导体可靠性手册”中的注意事项和条件, (二)
与该产品将被用于或应用程序的说明。客户全权负责各方面的
自己的产品设计和应用,包括但不限于: ( a)确定在这样的使用本产品的适当性
设计或应用程序; (二)评估和确定的任何信息本文件所载的适用性,或图表,
图表,程序,算法,样本应用电路,或任何其他引用的文件; (三)确认所有操作
参数对这样的设计和应用。
东芝半导体公司没有责任为客户的产品设计或
应用程序。
产品适用于一般电子设备的应用程序(使用例如,计算机,个人设备,办公设备,测量
设备,工业机器人和家用电子电器) ,或针对特定应用本文件中的明确规定。
产品既不打算也不保证在设备或系统的使用要求非常高的质量水平和/或
可靠性和/或故障或故障可能导致人的生命,人身伤害,严重财产损失或严重损失
公众的影响( “误用”)。意想不到的用途包括,但不限于核设施中使用的设备,二手设备
在航空航天工业,医疗设备,用于汽车,火车,轮船等运输,交通信号设备
设备,用来控制发火或爆炸,安全装置,电梯和自动扶梯设备,相关电力设备
电力,装备财务相关领域。不要使用产品的误用,除非在此特别许可
文档。
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适用于特定用途,精度信息,或不侵权的。
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限制,在设计,开发,使用,核武器,化学武器或生物武器或导弹储存或生产
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请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品,
包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任
不遵守适用的法律和法规。
5
2009-09-17
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    TC7SZ17AFS
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TC7SZ17AFS
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TC7SZ17AFS
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2024
20918
SON5
原装现货上海库存,欢迎咨询
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TC7SZ17AFS
TOSHIBA/东芝
16+
60000
SON5
全新原装正品/质量有保证
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TOSHIBA
2346+
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
TC7SZ17AFS
TOSHIBA/东芝
21+22+
15800
SON5
全新原装正品/质量有保证
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