TC7SZ14AFS
東芝
CMOS
デジタル集積回路
シリコン モノリシック
TC7SZ14AFS
施密特反相器
特
長
高出力電流
超高速動½
動½電圧範囲
: ± 24毫安(最小) (V
CC
= 3V)
: t
pd
= 3.7纳秒(标准) (V
CC
= 5V, 50
p
F)
: V
CC
= 1.65 ~ 5.5V
入力端子に½
5.5 V
トレラント機½あり
SON5-P-0.35
( FSV )
質量:
0.001 g (標準)
現品表示
½名
ピン接続図
( TOP VIEW )
IN A
1
5
J
K
GND
2
V
CC
NC 3
4输出Y
絶対最大定格
(大
=
25°C)
項
電
入
出
源
力
力
目
電
電
電
圧
圧
圧
記
号
定
格
単½
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
0.5
~ 6
0.5
~ 6
0.5
~ V
CC
+0.5
20
±20
(注1)
±50
±50
50
65
~ 150
入 力 保 護 ダ イ オ ー ド 電 流
出 力 保 護 ダ イ オ ー ド 電 流
出
電
許
保
源
/
容
存
力
G
N
電
D
損
温
電
流
流
失
度
注:
本½品の½用条件
(½用温度/電流/電圧等)
が絶対最大定格/動½範囲以内での½用においても½ 高負荷
(高温
および大電流/高電圧印加½ 多大な温度変化等) で連続して½用される場合は½ 信頼性が著しく½下するおそれ
があります。
弊社導½信頼性ハンドブック
(取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法)
およ
び個別信頼性情報
(信頼性試験レポート½
推定故障率等) をご確認の上½ 適切な信頼性設計をお願いします。
注
1: V
OUT
< GND ,V
OUT
& GT ; V
CC
1
2009-09-17
TC7SZ14AFS
項
目
記号
測 定 条 件
V
CC
(V)
1.65
1.8
I
OH
= 100 μA
2.3
3.0
H
レベル
V
OH
V
IN
=
V
N
4.5
I
OH
= 4
mA
I
OH
= 8
mA
I
OH
= 16
mA
I
OH
= 24
mA
出
力
電
圧
I
OH
= 32
mA
1.65
2.3
3.0
3.0
4.5
1.65
1.8
I
OL
=
100
μA
2.3
3.0
L
レベル
V
OL
V
IN
=
V
P
4.5
I
OL
=
4毫安
I
OL
=
8毫安
I
OL
=
16毫安
I
OL
=
24毫安
I
OL
=
32毫安
入
力
電
流
I
IN
I
关闭
I
CC
V
IN
=
5.5 V或GND
V
IN
或V
OUT
=
5.5 V
V
IN
=
5.5 V或GND
1.65
2.3
3.0
3.0
4.5
0 ~ 5.5
0.0
1.65 ~ 5.5
Ta
=
25°C
最小
標準
最大
1.55
1.7
2.2
2.9
4.4
1.29
1.9
2.4
2.3
3.8
1.65
1.8
2.3
3.0
4.5
1.52
2.15
2.8
2.68
4.2
0
0
0
0
0
0.08
0.1
0.15
0.22
0.22
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.24
0.3
0.4
0.55
0.55
±1
1
1
Ta
= 40~85°C
最小
最大
1.55
1.7
2.2
2.9
4.4
1.29
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.24
0.3
0.4
0.55
0.55
±10
10
10
μA
μA
μA
V
単½
電源
关闭
リーク電流
静
的
消
費
電
流
AC电圧
(特に指定がない场合,输入:吨
r
=
t
f
=
3 NS )
項
目
記号
測 定 条
件
V
CC
(V)
1.8±0.15
C
L
=
15 pF½
R
L
=
1 MΩ
2.5
±
0.2
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
C
L
=
50 pF½
R
L
=
500
Ω
入
等
価
力
内
部
容
容
量
量
C
IN
C
PD
(注 3)
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
0~5.5
3.3
5.5
最小
2.0
1.0
1.0
0.5
1.5
0.5
Ta
=
25°C
標準
9.1
5.0
3.7
3.1
4.4
3.7
4
15
20
最大
15.0
9.0
6.3
5.2
7.2
5.9
Ta
= 40~85°C
最小
2.0
1.0
1.0
0.5
1.5
0.5
最大
15.6
9.5
6.5
5.5
7.5
6.2
pF
pF
pF
ns
単½
伝
搬
遅
延
時
間
t
PLH
t
PHL
注
3:
C
PD
は½ 無負荷時の動½消費電流より算出した
IC
内部の等価容量です。
無負荷時の平均動½消費電流は½ 次式により求められます。
I
CC ( OPR )
=
C
PD
½V
CC
½f
IN
+
I
CC
4
2009-09-17
TC7SZ14AFS
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC7SZ14AFS
施密特反相器
特点
高电平输出电流
: ± 24毫安(分钟) V
CC
= 3.0VSuper
高速运行
: t
pd
= 3.7纳秒(典型值)。
在V
CC
= 5V , 50pF的
: V
CC ( OPR )
= 1.65 5.5V
工作电压范围
5.5 - V宽容输入
SON5-P-0.35
( FSV )
重量:0.001克(典型值)。
记号
产品名称
引脚配置(顶视图)
IN A
1
5
V
CC
J
K
GND
2
NC 3
4输出Y
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5
6
0.5
6
0.5
到Vcc + 0.5V
20
±20
±50
±50
50
65
150
(Note1)
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使
的操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
注1 : V
OUT
< GND ,V
OUT
& GT ; V
CC
1
2009-07-27
TC7SZ14AFS
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
1.65
1.8
I
OH
= 100 μA
2.3
3.0
高层
V
OH
V
IN
=
V
N
4.5
I
OH
= 4
mA
I
OH
= 8
mA
I
OH
= 16
mA
I
OH
= 24
mA
产量
电压
I
OH
= 32
mA
1.65
2.3
3.0
3.0
4.5
1.65
1.8
I
OL
=
100
μA
2.3
3.0
低层
V
OL
V
IN
=
V
P
4.5
I
OL
=
4毫安
I
OL
=
8毫安
I
OL
=
16毫安
I
OL
=
24毫安
I
OL
=
32毫安
输入漏电流
关机泄漏
当前
静态电源电流
I
IN
I
关闭
I
CC
V
IN
=
5.5 V或GND
V
IN
或V
OUT
=
5.5 V
V
IN
=
5.5 V或GND
1.65
2.3
3.0
3.0
4.5
0至5.5
0.0
1.65 5.5
民
1.55
1.7
2.2
2.9
4.4
1.29
1.9
2.4
2.3
3.8
Ta
=
25°C
典型值。
1.65
1.8
2.3
3.0
4.5
1.52
2.15
2.8
2.68
4.2
0
0
0
0
0
0.08
0.1
0.15
0.22
0.22
最大
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.24
0.3
0.4
0.55
0.55
±1
1
1
Ta
= 40
to
85°C
民
Ma
1.55
1.7
2.2
2.9
4.4
1.29
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.24
0.3
0.4
0.55
0.55
±10
10
10
μA
μA
μA
V
单位
AC电气特性
(除特别注明外输入,T
r
=
t
f
=
3 NS )
特征
符号测试条件
Ta
=
25°C
V
CC
(V)
1.8±0.15
C
L
=
15 pF½
R
L
=
1 MΩ
2.5
±
0.2
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
C
L
=
50 pF½
R
L
=
500
Ω
输入电容
功率耗散电容
C
IN
C
PD
(注3)
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
0至5.5
3.3
5.5
民
2.0
1.0
1.0
0.5
1.5
0.5
典型值。
9.1
5.0
3.7
3.1
4.4
3.7
4
15
20
最大
15.0
9.0
6.3
5.2
7.2
5.9
Ta
= 40~85°C
民
2.0
1.0
1.0
0.5
1.5
0.5
最大
15.6
9.5
6.5
5.5
7.5
6.2
pF
pF
pF
ns
单位
传播延迟时间
t
PLH
t
PHL
注3: CPD被定义为内部等效电容被从操作已计算的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以由下式获得。
I
CC ( OPR )
=
C
PD
½V
CC
½f
IN
+
I
CC
4
2009-07-27