TC7SA08F/FU
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC7SA08F,TC7SA08FU
2输入与门
特点
低电压工作： V
CC
= 1.8~3.6 V
高速运转：吨
pd
= 2.8纳秒（最大值） （V
CC
= 3.0~3.6 V)
: t
pd
= 3.7纳秒（最大值） （V
CC
= 2.3~2.7 V)
: t
pd
= 7.4纳秒（最大值） （V
CC
= 1.8 V)
高输出电流
: I
OH
/I
OL
= ±24 MA（分钟） （V
CC
= 3.0 V)
: I
OH
/I
OL
= ±18 MA（分钟） （V
CC
= 2.3 V)
: I
OH
/I
OL
= ±6 MA（分） （V
CC
= 1.8 V)
3.6 - V宽容输入
3.6 -V断电保护输出
TC74VCX08FT相当于
TC7SA08FU
TC7SA08F
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
功耗
DC V
CC
/接地电流
存储温度范围
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
P
D
I
CC
T
英镑
等级
0.5~4.6
0.5~4.6
0.5~4.6
（注1 ）
0.5~V
CC
+0.5 （注2）
50
50
±50
200
±100
65~150
（注3）
重量
SSOP5 -P - 0.95 ： 0.016克（典型值）。
SSOP5 -P - 0.65A 0.006克（典型值）。
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
mA
°C
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ： V
CC
= 0 V
注2 ：高或低的状态。我
OUT
绝对最大额定值必须遵守。
注3 ： V
OUT
＆ LT ; GND
1
2007-11-01
TC7SA08F/FU
＆ LT ;
DC特性
（大
= 40~85°C,
1.8 V
=
V
CC
< 2.3V）
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
高层
输入电压
低层
V
IL
I
OH
= 100 μA
I
OH
= 6
mA
低层
输入漏电流
关机漏电流
静态电源电流
V
OL
I
IN
I
关闭
I
CC
V
IN
=
V
IH
或V
IL
V
IN
=
0~3.6 V
V
IN
, V
OUT
=
0~3.6 V
V
IN
=
V
CC
或GND
V
CC
＆ LT ;
(V
IN
, V
OUT
)
＆ LT ;
3.6 V
=
=
I
OL
=
100
μA
I
OL
=
6毫安
1.8~2.3
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
0
1.8
1.8
V
IH
1.8~2.3
0.7
×
V
CC
V
CC
0.2
1.4
0.2
×
V
CC
0.2
0.3
±5.0
10.0
20.0
±20.0
μA
μA
μA
V
V
民
最大
单位
高层
输出电压
V
OH
V
IN
=
V
IH
AC特性
（大
= 40~85°C,
输入：吨
r
=
t
f
=
2.0纳秒，C
L
=
30 pF的，R
L
=
500
Ω)
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
1.8
传播延迟时间
t
PLH
t
PHL
图1 ，图2中
2.5
±
0.2
3.3
±
0.3
民
1.5
1.0
0.8
最大
7.4
3.7
2.8
ns
单位
对于C
L
=
为50 pF ，增加约300 ps至交流最大规格。
4
2007-11-01
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