TC7MH540,541FK
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC7MH540FK,TC7MH541FK
八路总线缓冲器
TC7MH540FK倒，三态输出
TC7MH541FK不倒，三态输出
该TC7MH540FK和TC7MH541FK是先进的高
高速CMOS八进制总线缓冲器制造与硅栅
C
2
MOS技术。
它们实现类似于等效的高速操作
双极肖特基TTL ，同时保持CMOS低功耗
耗散。
该TC7MH540FK是反相型，并且TC7MH541FK
是一个非反相型。
当任一G1或G2都高，该终端输出在
重量：0.03克（典型值）。
高阻抗状态。
输入保护电路，保证了0 5.5 V即可
施加到输入引脚，而不考虑电源电压。这种装置可被用于接口5伏到3V
系统和两个电源系统，如后备电池。该电路可以防止因设备损坏
不匹配的电源电压和输入电压。
特点
高速：吨
pd
= 3.7 ns（典型值）（V
CC
= 5 V)
低功耗：我
CC
= 4
μA
（最大值） （ TA = 25 ° C）
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
（分钟）
提供所有输入掉电保护。
平衡传输延迟：吨
PLH
≈
t
PHL
宽工作电压范围： V
CC （ OPR ）
= 2~5.5 V
低噪音： V
OLP
= 1.0 V（最大值）
引脚和功能与74ALS540 / 541兼容
1
2007-10-19
TC7MH540,541FK
绝对最大额定值
（注）
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5~7.0
0.5~7.0
0.5~V
CC
+
0.5
20
±
20
±
25
±
75
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
180
65~150
注意：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC的性能，甚至
破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
工作范围
（注）
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
DT / DV
等级
2.0~5.5
0~5.5
0~V
CC
40~85
单位
V
V
V
°C
NS / V
0~100 (V
CC
=
3.3
±
0.3 V)
0~20 (V
CC
=
5
±
0.5 V)
注意：必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
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2007-10-19
TC7MH540,541FK
东芝CMOS数字集成电路硅单片
TC7MH540FK,TC7MH541FK
八路总线缓冲器
TC7MH540FK倒，三态输出
TC7MH541FK不倒，三态输出
该TC7MH540FK和TC7MH541FK是先进的高
高速CMOS八进制总线缓冲器制造与硅栅
C
2
MOS技术。
它们实现类似于等效的高速操作
双极肖特基TTL ，同时保持CMOS低功耗
耗散。
该TC7MH540FK是反相型，并且TC7MH541FK
是一个非反相型。
当任一G1或G2都高，该终端输出在
重量：0.03克（典型值）。
高阻抗状态。
输入保护电路确保0到7V的可应用
到输入引脚，而不考虑电源电压。这种装置可被用于接口5 V至3 V系统和
2供给系统，如后备电池。该电路可以防止设备损坏，由于不匹配供应和
输入电压。
特点
高速：吨
pd
= 3.7 ns（典型值）（V
CC
= 5 V)
低功耗：我
CC
= 4 μA （最大值） （ TA = 25 ° C）
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
（分钟）
提供所有输入掉电保护。
平衡传输延迟：吨
PLH
≈
t
PHL
宽工作电压范围： V
CC （ OPR ）
= 2~5.5 V
低噪音： V
OLP
= 1.0 V（最大值）
引脚和功能与74ALS540 / 541兼容
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2001-10-23
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