TC7MH373FK
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC7MH373FK
八D型锁存器具有三态输出
该TC7MH373FK是一种先进的高速CMOS八进制
具有三态输出的制造与硅栅锁存
2
MOS
技术。
它实现了类似于等效的高速操作
双极肖特基TTL ，而腌制的CMOS低功耗
耗散。
这8位D型锁存器由一个锁存使能输入控制
（LE）和一个输出使能输入端（OE） 。
当OE输入为高时， 8输出处于高
阻抗状态。
输入保护电路，可确保在0到5.5 V即可
施加到输入引脚可以用于接口5伏到3伏
系统和两个电源系统，如后备电池。
该电路可以防止损坏，由于不匹配的电源
和输入电压。
重量：0.03克（典型值）。
特点
高速：吨
pd
= 5.0 ns（典型值）（V
CC
= 5 V)
低功耗：我
CC
= 4
μA
（最大值） （ TA = 25 ° C）
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
（分钟）
提供所有输入掉电保护。
平衡传输延迟：吨
PLH
≈
t
PHL
宽工作电压范围： V
CC （ OPR ）
= 2~5.5 V
低噪音： V
OLP
= 0.8 （最大）
引脚和功能与74ALS373兼容
1
2007-10-19
TC7MH373FK
引脚分配
（ TOP VIEW ）
IEC逻辑符号
OE
LE
(1)
(11)
EN
C1
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
LE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
(3)
(4)
(7)
(8)
(13)
(14)
(17)
(18)
1D
(2)
(5)
(6)
(9)
(12)
(15)
(16)
(19)
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
GND 10
真值表
输入
输出
D
X
X
L
H
Z
Q
n
L
H
OE
H
L
L
L
LE
X
L
H
H
X ：无关
Z：高阻
Q
n
： Q输出被锁存于当LE的输入取为低逻辑电平的时间。
系统框图
D0
3
D
D1
4
D
D2
7
D
D3
8
D
D4
13
D
D5
14
D
D6
17
D
D7
18
D
LE
11
L
Q
L
Q
L
Q
L
Q
L
Q
L
Q
L
Q
L
Q
OE
1
2
Q0
5
Q1
6
Q2
9
Q3
12
Q4
15
Q5
16
Q6
19
Q7
2
2007-10-19
TC7MH373FK
绝对最大额定值
（注）
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5~7.0
0.5~7.0
0.5~V
CC
+
0.5
20
±
20
±
25
±
75
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
180
65~150
注意：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC的性能，甚至
破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
工作范围
（注）
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
DT / DV
等级
2.0~5.5
0~5.5
0~V
CC
40~85
单位
V
V
V
°C
NS / V
0~100 (V
CC
=
3.3
±
0.3 V)
0~20 (V
CC
=
5
±
0.5 V)
注意：必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
3
2007-10-19
TC7MH373FK
时序要求
（输入：吨
r
=
t
f
=
3 NS ）
特征
最小脉冲宽度
（ LE）的
最小建立时间
符号
测试条件
Ta
=
25°C
V
CC
(V)
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
典型值。
Ta
=
40~85°C
极限
5.0
5.0
4.0
4.0
1.0
1.0
极限
5.0
5.0
4.0
4.0
1.0
1.0
单位
t
瓦特（H）的
ns
t
s
ns
最小保持时间
t
h
ns
AC特性
（输入：吨
r
=
t
f
=
3 NS ）
特征
符号
测试条件
Ta
=
25°C
V
CC
（ V）C
L
（PF ）
3.3
±
0.3
t
PLH
t
PHL
Ta
=
40~85°C
最大
11.0
14.5
7.2
9.2
11.4
14.9
7.2
9.2
11.4
14.9
8.1
10.1
13.2
9.2
1.5
1.0
10
民
典型值。
7.0
9.5
4.9
6.4
7.3
9.8
5.0
6.5
7.3
9.8
5.5
7.0
9.5
6.5
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
13.0
16.5
8.5
10.5
13.5
17.0
8.5
10.5
13.5
17.0
9.5
11.5
15.0
10.5
1.5
1.0
10
单位
15
50
15
50
15
50
15
50
15
50
15
50
50
50
50
50
传播延迟时间
（ LE- Q）的
ns
5.0
±
0.5
传播延迟时间
（D- Q）的
3.3
±
0.3
t
PLH
t
PHL
ns
5.0
±
0.5
三态输出使能时间
t
PZL
t
PZH
3.3
±
0.3
R
L
=
1 k
Ω
5.0
±
0.5
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
（注1 ）
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
ns
三态输出禁止时间
t
PLZ
t
PHZ
t
OSLH
t
OSHL
C
IN
C
OUT
C
PD
R
L
=
1 k
Ω
ns
输出到输出偏斜
输入电容
总线输入电容
功耗
电容
ns
pF
pF
pF
4
6
27
（注2 ）
注1 ：此参数为设计保证。
t
OSLH
=
|t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
=
|t
PHLm
t
PHLn
|
注2 ：C
PD
被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以由下式得到：
I
CC （ OPR ）
=
C
PD
½V
CC
½f
IN
+
I
CC
/ 8 （每锁存器）
和N个锁存的颗当总的CPD进行操作，可以得到由下式：
C
PD
（总）
=
14
+
13½n
5
2007-10-19
QQ：2881677436 复制
