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TC7MH165FK
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC7MH165FK
8位移位寄存器（ P-IN ， S- OUT）
该TC7MH165FK是一种先进的高速CMOS 8位
制造与硅并行/串行输入，串行输出的移位寄存器
门
2
MOS技术。
它实现了类似于等效的高速操作
双极肖特基TTL ，同时保持CMOS低功耗
耗散。
它包括并行或串行输入，串行输出8位的移位
注册一个门控时钟输入。当SHIFT / LOAD输入
是高举，串行数据输入使能和八个
触发器与每个时钟脉冲进行串行转换。
当SHIFT / LOAD输入为低电平时，并行数据
同步加载到寄存器的正向过渡
重量0.02克（典型值）。
的时钟脉冲。
在CK- INH输入应转向高只有当CK
输入保持高电平。
输入保护电路确保为0 5.5 V，可以应用到输入引脚不考虑供应
电压。这种装置可被用于接口5 V至3 V系统及在两个供电系统，如后备电池。
该电路可以防止设备损坏，由于不匹配的电源电压和输入电压。
特点
高速：F
最大
= 150 MHz（典型值）（V
CC
= 5 V)
低功耗：我
CC
= 4
μA
（最大值） （ TA = 25 ° C）
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
（分钟）
提供所有输入掉电保护。
平衡传输延迟：吨
PLH
≈
t
PHL
宽工作电压范围： V
CC （ OPR ）
= 2~5.5 V
引脚和功能与74ALS165兼容
1
2007-10-19
TC7MH165FK
引脚分配
（ TOP VIEW ）
IEC逻辑符号
SRG 8
C1 [ LOAD ]
＆ GT ;
1
=
C2/
→
S / L
CK
E
F
G
H
Q
H
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
CK INH
D
(1)
S / L
(15)
CK INH
(2)
CK
SI
(10)
(11)
(12)
(13)
(14)
(3)
(4)
(5)
(6)
2D
1D
1D
C
B
A
SI
Q
H
A
B
C
D
E
F
G
H
GND
(9)
1D
(7)
Q
H
Q
H
真值表
输入
SHIFT /
负载
L
CK INH
X
CK
X
在串行
X
并行
一............
一............
内部输出
Q
A
a
Q
B
b
Q
H
h
输出
Q
H
h
Q
Gn
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
X
H
L
H
L
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
H
L
Q
An
Q
An
Q
An
Q
An
Q
Gn
Q
Gn
Q
Gn
Q
Gn
Q
Gn
Q
Gn
Q
Gn
没有变化
没有变化
X ：无关
一个..... H：在输入A至H分别为稳态输入电压电平
Q
An
-Q
Gn
：Q的电平
A
~Q
G
分别在CK的最近正跳变之前。
2
2007-10-19
TC7MH165FK
时序图
CK
CK INH
串行输入
SHIFT /
负载
A
H
不要在意，直到
S / L变为“L”的
B
L
C
L
D
并行
输入
E
H
L
F
H
G
L
H
H
产量
Q
H
H
L
H
L
H
L
L
H
产量
Q
H
L
H
L
H
L
H
H
L
串行移位
负载
抑制
串行移位
3
2007-10-19
TC7MH165FK
系统框图
A
11
12
B
13
C
14
D
3
E
4
F
5
G
6
H
串行
输入
10
时钟
2
D
PD
Q
D
PD
Q
D
PD
Q
D
PD
Q
D
PD
Q
D
PD
Q
D
PD
Q
D
PD
Q
9
7
Q
H
Q
H
CK
S / L
CK
S / L
CK
S / L
CK
S / L
CK
S / L
CK
S / L
CK
S / L
CK
S / L
15
时钟
抑制
倒装佛罗里达州运
PD
1
SHIFT /
负载
D
φ
φ
L
Q
φ
L
φ
φ
φ
φ
φ
CK
S / L
φ
L
φ
L
4
2007-10-19
TC7MH165FK
绝对最大额定值
（注）
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5~7.0
0.5~7.0
0.5~V
CC
+
0.5
20
±
20
±
25
±
50
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
180
65~150
注意：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC的性能，甚至
破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
工作范围
（注）
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
DT / DV
等级
2.0~5.5
0~5.5
0~V
CC
40~85
单位
V
V
V
°C
NS / V
0~100 (V
CC
=
3.3
±
0.3 V)
0~20 (V
CC
=
5
±
0.5 V)
注意：必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
电气特性
DC特性
特征
符号
测试条件
Ta
=
25°C
V
CC
(V)
2.0
高层
输入电压
低层
V
IL
Ta
=
40~85°C
最大
民
1.50
V
CC
×
0.7
典型值。
民
1.50
V
CC
×
0.7
最大
单位
V
IH
3.0~5.5
2.0
3.0~5.5
2.0
0.50
V
CC
×
0.3
0.50
V
CC
×
0.3
V
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
高层
V
OH
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
OH
=
50
μ
A
I
OH
=
4毫安
I
OH
=
8毫安
I
OL
=
50
μ
A
I
OL
=
4毫安
I
OL
=
8毫安
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
0~5.5
5.5
输出电压
0
0
0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±
0.1
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±
1.0
V
低层
V
OL
V
IN
=
V
IH
或V
IL
输入漏电流
静态电源电流
I
IN
I
CC
V
IN
=
5.5 V或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
μ
A
μ
A
4.0
40.0
5
2007-10-19
查看更多TC7MH165FKPDF信息
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