TC75W56FU/FK
东芝CMOS线性集成电路
硅单片
TC75W56FU,TC75W56FK
双比较器
TC75W56是CMOS型通用双比较器能
单电源操作，并使用较低的电源电流比
传统的双极性比较。其推挽输出可以连接
直接向本土IC公司如TTL和CMOS电路。
特点
低电源电流：I
DD
= 20μA （典型值）。
单电源工作
宽共模输入电压范围： V
SS
~V
DD
0.9V
推挽式输出电路
低输入偏置电流
小型封装
重量
SSOP8 -P - 0.65 ： 0.021克（典型值）。
SSOP8 -P - 0.50A ： 0.01克（典型值）。
记号
（ TOP VIEW ）
引脚连接
（ TOP VIEW ）
1
2007-11-01
TC75W56FU/FK
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
电源电压
差分输入电压
输入电压
输出电流
符号
V
DD
, V
SS
DV
IN
V
IN
I
OUT
等级
± 3.5或7
±7
V
SS
~V
DD
±3.5
250
(TC75W56FU)
200
(TC75W56FK)
40~85
55~125
N
V
V
V
mA
功耗
P
D
mW
工作温度
储存温度
T
OPR
T
英镑
°C
°C
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注：由于本品有时会带来latchcap ，这是特有的CMOS器件，请注意以下几点
要点：
不提高之外V I / O引脚的电平
DD
，也降低它低于V
SS
.
考虑电源的定时，也。
不要让任何异常声音输入设备。
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2007-11-01
TC75W56FU/FK
电气特性
(V
DD
= 5V, V
SS
= GND ， TA = 25 ° C）
特征
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
共模输入电压
电源电流
电压增益
灌电流
源出电流
输出电压
工作电源电压
传播延迟时间（打开）
符号
V
IO
I
IO
I
I
巨细胞病毒
IN
I
DD
（注）
G
V
I
SINK
I
来源
V
OL
V
OH
V
DD
t
PLH
(1)
t
PLH
(2)
t
PHL
(1)
t
PHL
(2)
t
TLH
t
THL
TEST
电路
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
V
OL
= 0.5V
V
OH
= 4.5V
I
SINK
= 5.0毫安
I
来源
= 5.0毫安
―
在开车= 100mV的
TTL输入的步骤
在开车= 100mV的
TTL步骤i NPUT
在开车= 100mV的
在开车= 100mV的
测试条件
―
―
―
―
―
―
民
―
―
―
0
―
―
13
9
―
4.7
1.8
―
―
―
―
―
―
典型值。
±1
1
1
―
22
94
25
21
0.1
4.9
―
680
500
250
380
60
8
最大
±7
―
―
4.1
44
―
―
―
0.3
―
7.0
―
―
―
―
―
―
ns
单位
mV
pA
pA
V
μA
dB
mA
mA
V
V
ns
传播延迟时间（关闭）
ns
响应时间
电气特性
(V
DD
= 3V, V
SS
= GND ， TA = 25 ° C）
特征
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
共模输入电压
电源电流
灌电流
源出电流
输出电压
符号
V
IO
I
IO
I
I
巨细胞病毒
IN
I
DD
（注）
I
SINK
I
来源
V
OL
V
OH
t
PLH
TEST
电路
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
V
OL
= 0.5V
V
OH
= 2.5V
I
SINK
= 5.0毫安
I
来源
= 5.0毫安
在开车= 100mV的
测试条件
―
―
―
―
―
民
―
―
―
0
―
6
3
―
2.65
―
典型值。
±1
1
1
―
20
18
15
0.15
2.85
550
最大
±7
―
―
2.1
40
―
―
0.35
―
―
单位
mV
pA
pA
V
μA
mA
mA
V
传播延迟时间（打开）
ns
传播延迟时间（关闭）
t
PHL
t
TLH
t
THL
―
―
―
在开车= 100mV的
在开车= 100mV的
在开车= 100mV的
―
―
―
250
30
8
―
―
―
ns
响应时间
ns
注意：
因为这种产品导致的增加的电流消耗与操作频率的增加，确保
该功率消耗不超过可允许的损耗。
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2007-11-01
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