TC75S59F/FU/FE
东芝CMOS线性集成电路硅单片
TC75S59F,TC75S59FU,TC75S59FE
单比较
该TC75S59F / TC75S59FU / TC75S59FE是CMOS中普通
目的比较单一。该装置可以操作关单
电源，并绘制一个较低的电源电流比
常规双极通用比较器。该器件的
开漏输出级可以是线或与其他的
漏极开路输出电路。
TC75S59F
特点
低电流电源
单电源工作
宽共模输入电压范围： V
SS
~V
DD
0.9 V
漏极开路输出电路
低输入偏置电流
小型封装
TC75S59FU
: I
DD
= 100
μA
（典型值）。
TC75S59FE
重量
SSOP5 -P - 0.95 ： 0.014克（典型值）。
SSOP5 -P - 0.65A 0.006克（典型值）。
SON5-P-0.50
：0.003克（典型值）。
记号
（ TOP VIEW ）
5
4
引脚连接
（ TOP VIEW ）
V
DD
5
OUT
4
TF
1
2
3
1
IN （ - ）
2
V
SS
3
IN （+）
1
2007-11-01
TC75S59F/FU/FE
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
电源电压
差分输入电压
输入电压
输出电流
功耗
TC75S59F/FU
TC75S59FE
符号
V
DD
, V
SS
DV
IN
V
IN
I
O
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
±3.5
或7
±7
V
SS
~V
DD
±35
200
100
40~85
55~125
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
工作温度
储存温度
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注：本设备的CMOS结构使得它容易出现闩锁。为了防止闩锁，请采取以下
注意事项：
确保没有I / O引脚的电平过超过V
DD
或低于V
SS
.
此外，检查电时序。
不要使设备噪音过大。
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2007-11-01
TC75S59F/FU/FE
电气特性
(V
DD
=
5 V, V
SS
=
GND ，TA
=
25°C)
特征
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
共模输入电压
电源电流
电压增益
灌电流
输出漏电流
输出电压
工作电源电压
传播延迟时间（打开）
符号
V
IO
I
IO
I
I
巨细胞病毒
IN
I
DD
（注）
G
V
I
SINK
I
泄漏
V
OL
V
DD
t
PLH （1）
t
PLH （2）
t
PHL （ 1 ）
t
PHL （ 2 ）
t
TLH
t
THL
TEST
电路
V
OL
=
0.5 V
V
O
=
5 V
I
SINK
=
5.0毫安
在驱动器
=
100毫伏
TTL输入的步骤
在驱动器
=
100毫伏
TTL输入的步骤
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
测试条件
民
0
13
1.8
典型值。
±1
1
1
110
94
25
5
0.1
200
140
80
60
160
3
最大
±7
4.1
220
0.3
7.0
单位
mV
pA
pA
V
μA
dB
mA
nA
V
V
ns
传播延迟时间（关闭）
ns
响应时间
ns
电气特性
(V
DD
=
3 V, V
SS
=
GND ，TA
=
25°C)
特征
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
共模输入电压
电源电流
灌电流
输出漏电流
输出电压
传播延迟时间（打开）
传播延迟时间（关闭）
响应时间
符号
V
IO
I
IO
I
I
巨细胞病毒
IN
I
DD
（注）
I
SINK
I
泄漏
V
OL
t
PLH
t
PHL
t
TLH
t
THL
TEST
电路
V
OL
=
0.5 V
V
O
=
3 V
I
SINK
=
5.0毫安
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
测试条件
民
0
6
典型值。
±1
1
1
100
18
5
0.15
160
70
170
3
最大
±7
2.1
200
0.35
单位
mV
pA
pA
V
μA
mA
nA
V
ns
ns
ns
注：此器件的电流消耗增加其工作频率的升高。注意，功率
功耗不应超过允许功耗。
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2007-11-01
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