TC74VHCV573FT/FK
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74VHCV573FT,TC74VHCV573FK
八路施密特D类锁存器具有三态输出
该TC74VHCV573是一种先进的高速CMOS八路
与3态输出与制造硅栅锁
C2MOS技术。
它实现了类似相当于双极高速动作
肖特基TTL同时保持CMOS低功耗
耗散。
这8位D型锁存器由一个锁存使能输入控制（ LE）的
及一个输出使能输入端（
OE
).
当
OE
输入为高时， 8输出处于高
阻抗状态。
输入端子有正向之间的滞后
负向阈值。因此TC74VHCV573能够
现蕾缓慢变化的输入信号的上升和转变
提供了改进的抗噪声性能。
输入保护和输出电路确保在0 5.5 V即可
施加到输入和输出
（注）
不考虑销
电源电压。这些结构可以防止因设备损坏
到不匹配的供给和输入/输出电压，如电池
备份等。
注意：
输出关断状态。
TC74VHCV573FT
TC74VHCV573FK
特点
高速：吨
pd
=
5.0 ns（典型值）在V
CC
=
5 V
低功耗：我
CC
=
2
μA
（最大值）在Ta
=
25°C
宽工作电压范围： V
CC （ OPR ）
=
1.8 V至5.5 V
输出继电器电流： | I
OH
|/I
OL
=
16毫安（分钟） （V
CC
=
4.5 V)
提供TSSOP和VSSOP （美国）
提供的所有输入和输出掉电保护功能
引脚和功能与74系列兼容
（ 74AC / VHC / HC / F / ALS / LS等） 573型
重量
TSSOP20-P-0044-0.65A
VSSOP20-P-0030-0.50
0.08克（典型值）。
：0.03克（典型值）。
1
2010-07-09
TC74VHCV573FT/FK
引脚分配
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20
V
CC
19
18
17
16
15
14
13
12
11
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
LE
GND 10
（ TOP VIEW ）
真值表
输入
OE
LE
X
L
H
H
D
X
X
L
H
产量
Z
Q
n
L
H
H
L
L
L
X ：无关
Z：高阻
Q
n
： Q输出被锁存于当LE的输入取为低逻辑电平的时间。
系统框图
D0
2
3
D1
4
D2
5
D3
6
D4
7
D5
D6
8
D7
9
D
11
LE
1
OE
19
Q0
L
Q
D
L
Q
D
L
Q
D
L
Q
D
L
Q
D
L
Q
D
L
Q
D
L
Q
18
Q1
17
Q2
16
Q3
15
Q4
14
Q5
13
Q6
12
Q7
2
2010-07-09
TC74VHCV573FT/FK
绝对最大额定值（注1 ）
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
功耗
DC V
CC
/接地电流
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
P
D
I
CC
/I
GND
T
英镑
等级
0.5
7.0
0.5
7.0
为0.5 7.0
0.5 V
CC
+
0.5
单位
V
V
（注2 ）
（注3）
V
mA
（注4 ）
mA
mA
mW
mA
°C
50
±
50
±
50
180
±
100
65
150
注1 ：
任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注2 ：输出处于关闭状态
注3 ：高或低的状态。我
OUT
绝对最大额定值必须遵守。
注4 ： V
OUT
＆ LT ;
GND ，V
OUT
＆ GT ;
V
CC
工作范围（注1 ）
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
DT / DV
等级
1.85.5
0至5.5
0至5.5
0到V
CC
4085
单位
V
V
（注2 ）
（注3）
V
°C
MS / V
020 （ VCC = 3.3
±
0.3V)
0到1（ Vcc的= 5
±
0.5V)
注1：必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到无论是V
CC
或GND 。
注2 ：输出处于关闭状态
注3 ：高或低的状态。
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2010-07-09
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