TC74VHCT08AF/AFN/AFT/AFK
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74VHCT08AF,TC74VHCT08AFN,TC74VHCT08AFT,TC74VHCT08AFK
四2输入与门
该TC74VHCT08A是一种先进的高速CMOS
2输入与门制造与硅栅
2
MOS
技术。
它实现了类似于等效的高速操作
双极肖特基TTL ，同时保持CMOS低功耗
耗散。
输入电压与TTL输出电压兼容。
此设备可被用作一个电平转换器，用于连接3.3
V至5 V系统。
输入保护和输出电路确保在0 5.5 V即可
被施加到输入和输出
（注）
不考虑销
电源电压。这些结构可以防止设备损坏
由于不匹配的供给和输入/输出电压，如
后备电池，热板插入等
注意：
V
CC
=
0 V
注意： xxxFN （JEDEC SOP）不在可用
日本。
TC74VHCT08AF
TC74VHCT08AFN
特点
高速：吨
pd
=
5.0 ns（典型值）在V
CC
=
5 V
低功耗：我
CC
=
2
μA
（最大值）在Ta
=
25°C
兼容TTL输出： V
IL
=
0.8 V（最大值）
V
IH
=
2.0 V（分钟）
提供对所有输入和输出掉电保护功能。
平衡传输延迟：吨
PLH
t
PHL
低噪音： V
OLP
=
0.8 V（最大值）
引脚和功能与74系列兼容
（ 74AC / HC / F / ALS / LS等） 08型。
TC74VHCT08AFK
TC74VHCT08AFT
重量
SOP14-P-300-1.27A
SOL14-P-150-1.27
TSSOP14-P-0044-0.65A
VSSOP14-P-0030-0.50
0.18克（典型值）。
0.12克（典型值）。
0.06克（典型值）。
0.02克（典型值）。
1
2007-10-01
TC74VHCT08AF/AFN/AFT/AFK
引脚分配
IEC逻辑符号
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
(1)
(2)
(4)
(5)
(9)
(10)
(12)
(13)
＆放大器;
(3)
(6)
(8)
(11)
1A
1B
1Y
2A
2B
2Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
（ TOP VIEW ）
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
4B
4A
4Y
3B
3A
3Y
1Y
2Y
3Y
4Y
真值表
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
Y
L
L
L
H
绝对最大额定值（注1 ）
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5
7.0
0.5
7.0
0.5
7.0
0.5
到V
CC
+
0.5
20
±20
±25
±50
180
65
150
（注4 ）
（注2 ）
（注3）
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
注1 ：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注2 ： V
CC
=
0 V
注3 ：高或低的状态。我
OUT
绝对最大额定值必须遵守。
注4 ： V
OUT
＆ LT ;
GND ，V
OUT
＆ GT ;
V
CC
2
2007-10-01
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