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TC74VHC9151P/FT/FK,9152P/FT/FK
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74VHC9151P,TC74VHC9151FT,TC74VHC9151FK
TC74VHC9152P,TC74VHC9152FT,TC74VHC9152FK
TC74VHC9151P / FT / FK 9位施密特缓冲器
TC74VHC9152P / FT / FK 9位施密特反相器
TC74VHC9151P,TC74VHC9152P
该TC74VHC9151 / 9152顷超高速9位施密特
采用硅栅CMOS技术缓冲器/逆变器制造。
该TC74VHC9151 / 9152结合了低功耗
CMOS与TTL肖特基速度。
TC74VHC9151输出是一个非反相型和
TC74VHC9152输出是反相型。
所有的输入具有正向之间的滞后
负向阈值。因此, TC74VHC9151 / 9152顷
现蕾能够慢慢改变输入的转变
信号,并提供改进的抗噪声性能。
此外,所有的投入有一个新开发的保护
电路没有恢复到V二极管
CC
。这使得输入
能够容忍高达5伏特甚至当电源已关闭。
输入掉电保护功能,使
TC74VHC9151 / 9152适用于广泛的应用,例如
不同电压之间的接口,电压转换
从5 V至3 V和电池备份电路。
TC74VHC9151FT,TC74VHC9152FT
特点
高速:吨
pd
= 3.6 ns(典型值)(V
CC
= 5 V)
低电源电流:I
CC
= 4
μA
(最大值) ( TA = 25 ° C)
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
(分钟)
所有的输入提供具有掉电保护功能。
对称的上升和下降延迟:吨
PLH
t
PHL
宽工作电压范围: V
CC ( OPR )
= 2 5.5 V
TC74VHC9151FK,TC74VHC9152FK
重量
DIP20-P-300-2.54A
TSSOP20-P-0044-0.65A
VSSOP20-P-0030-0.50
:1.30克(典型值)。
0.08克(典型值)。
:0.03克(典型值)。
1
2010-08-31
TC74VHC9151P/FT/FK,9152P/FT/FK
引脚分配
TC74VHC9151
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
( TOP VIEW )
V
CC
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
TC74VHC9152
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
( TOP VIEW )
V
CC
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
GND 10
GND 10
真值表
A
L
H
Y
TC74VHC9151
L
H
TC74VHC9152
H
L
2
2010-08-31
TC74VHC9151P/FT/FK,9152P/FT/FK
绝对最大额定值(注1)
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5
7.0
0.5
7.0
0.5
到V
CC
+ 0.5
20
±20
±25
±75
500 ( DIP ) (注2 ) / 180 ( TSSOP / VSSOP )
65
150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
注1 :任何超过绝对最大额定值,即使短暂,导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注2: 500毫瓦Ta的范围
= 40
至65℃ 。来自TA
=
65 85 ℃的降额因子
10
毫瓦/°C的应
应用到300毫瓦。
工作范围(注)
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
等级
2.05.5
0至5.5
0到V
CC
40
85
单位
V
V
V
°C
注意:
必须保持在工作范围,以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到无论是V
CC
或GND 。
3
2010-08-31
TC74VHC9151P/FT/FK,9152P/FT/FK
电气特性
DC特性
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
3.0
正阈值
电压
V
P
4.5
5.5
3.0
负阈值
电压
V
N
4.5
5.5
3.0
滞后电压
V
H
4.5
5.5
2.0
I
OH
=
50 μA
高电平的输出
电压
V
OH
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
O
H
=
4
mA
I
OH
=
8
mA
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
I
OL
= 50
μA
低电平输出
电压
V
OL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
输入漏电流
静态电源
当前
I
IN
I
CC
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
3.0
4.5
3.0
4.5
0至5.5
5.5
0.90
1.35
1.65
0.30
0.40
0.50
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
TA = 25°C
典型值
2.0
3.0
4.5
0.0
0.0
0.0
最大
2.20
3.15
3.85
1.20
1.40
1.60
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
4.0
TA =
40~85°C
0.90
1.35
1.65
0.30
0.40
0.50
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
最大
2.20
3.15
3.85
1.20
1.40
1.60
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
40.0
μA
μA
V
V
V
V
V
单位
4
2010-08-31
TC74VHC9151P/FT/FK,9152P/FT/FK
AC特性
(输入:吨
r
= t
f
3 = NS)
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
传播延迟
时间
(TC74VHC9151)
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
C
L
(PF )
15
50
15
50
15
50
15
50
50
50
TA = 25°C
典型值。
4.8
8.1
3.3
5.7
4.8
7.8
3.6
5.7
4
11
10
最大
9.4
16.1
6.0
10.5
9.3
15.4
6.3
10.2
1.5
1.0
10
TA =
40
至85℃
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
10.7
18.4
6.8
11.9
10.6
17.6
7.1
11.6
1.5
1.0
10
ns
pF
pF
ns
ns
单位
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
(TC74VHC9152)
t
PLH
t
PHL
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
TC74VHC9151
TC74VHC9152
(f
IN
=
1兆赫)
(f
IN
=
1兆赫)
输出到输出偏斜
输入电容
功耗
电容(注2 )
t
OSHL
t
OSLH
C
IN
C
PD
(注1 )
注1 :参数通过设计保证。
t
OSLH
= |t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
t
PHLn
|
注2 :C
PD
被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以由下式得到:
I
CC ( OPR )
= C
PD
·V
CC
·f
IN
+ I
CC
/ 9 (每位)
5
2010-08-31
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