TC74VCXHR162543FT
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74VCXHR162543FT
低电压16位寄存收发器Bushold
该TC74VCXHR162543FT是一个高性能的CMOS
16位注册的收发器。在1.8 -V ， 2.5 -V设计用于或
3.3 -V系统，它实现了高速操作，而
保持在CMOS低功耗。
该TC74VCXHR162543FT可以用作两个8位
收发器或一个16位收发器。独立的锁存使能
（ LEAB或LEBA ）和输出使能（ OEAB或OEBA ）输入是
提供给每个寄存器以允许独立控制在任一
数据流的方向。
在A到B使能（ CEAB ）输入必须为低才能进入
重量0.25克（典型值）。
从A或从B.如果CEAB输出数据低， LEAB
为低电平时， A到B锁存器是透明的;随后
LEAB低到高的转变提出了Alatches的存储模式。与CEAB和OEAB都低时，三态
B输出是活动的，并反映在数据存在于甲锁存器的输出。
从B数据流向是类似的，但需要使用CEBA ， LEBA和OEBA投入。
当
OE
输入为高电平时，输出处于高阻抗状态。此装置被设计成与所使用
三态存储器地址驱动器等
26 Ω串联电阻有助于降低输出电压过冲和下冲，无需外部电阻器。
在A，B的数据输入包括主动bushold电路，无需外部上拉电阻持有
未使用的或浮动的数据在输入一个有效的逻辑电平。
所有的输入都配有防止静电放电保护电路。
特点（注）
在输出端26 Ω串联电阻
低电压工作： V
CC
= 1.8 3.6 V
Bushold上的数据输入不再需要外部上拉/下拉电阻
高速运转：吨
pd
= 4.4纳秒（最大值） （V
CC
= 3.0 3.6 V ）
: t
pd
= 5.4纳秒（最大值） （V
CC
= 2.3 2.7 V ）
: t
pd
= 9.8纳秒（最大值） （V
CC
= 1.8 V)
3.6 -V容错控制输入
输出电流：我
OH
/I
OL
= ±12 MA（分） （V
CC
= 3.0 V)
: I
OH
/I
OL
= ±8 MA（分钟） （V
CC
= 2.3 V)
: I
OH
/I
OL
= ±4 MA（分钟） （V
CC
= 1.8 V)
闭锁性能：
300
mA
ESD性能：机器型号
≥ ±200
V
人体模型
≥ ±2000
V
包装： TSSOP
注意：
不要在信号应用到任何总线引脚，当它处于输出模式。可能会造成的损害。
1
2007-10-19
TC74VCXHR162543FT
绝对最大额定值（注1 ）
特征
电源电压
（ OEAB ， OEBA ， LEAB ，
LEBA ， CEAB ， CEBA ）
V
IN
（安， BN）
符号
V
CC
等级
0.5 4.6
0.5 4.6
0.5 V
CC
+
0.5
单位
V
DC输入
电压
V
（注2 ）
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
P
D
I
CC
/I
GND
T
英镑
0.5 V
CC
+
0.5
DC
产量
电压
输入二极管电流
（安， BN）
（注3）
50
±
50
±
50
V
mA
输出二极管电流
输出电流
功耗
DC V
CC
每个电源引脚/接地电流
储存温度
（注4 ）
mA
mA
mW
mA
°C
400
±
100
65 150
注1 ：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注2 ： OFF状态
注3 ：高或低的状态。我
OUT
绝对最大额定值必须遵守。
注4 ： V
OUT
＆ LT ;
GND ，V
OUT
＆ GT ;
V
CC
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2007-10-19
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