TC74VCXH16244FT
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74VCXH16244FT
低电压16位总线缓冲器与Bushold
该TC74VCXH16244FT是一个高性能的CMOS 16位
总线缓冲器。在1.8 V， 2.5 V或3.3 V系统设计的使用，
实现了高速操作，同时保持低的CMOS
功耗。
这个装置被非反相具有四个三态缓冲器
低电平有效输出使能。它可被用作四个4位缓冲器2
8位缓冲器或一个16位的缓冲区。当
OE
输入为高电平时，
输出处于高阻抗状态。该装置是
设计成与3态存储器地址驱动器等中使用
该数据输入包括主动bushold电路，消除了
重量0.25克（典型值）。
无需外部上拉电阻持有未使用的或浮动
数据输入在一个有效的逻辑电平。
所有的输入都配有防止静电放电保护电路。
特点
低电压工作： V
CC
= 1.8 3.6 V
Bushold上的数据输入不再需要外部上拉/下拉电阻
高速运转：吨
pd
= 2.5纳秒（最大值） （V
CC
= 3.0 3.6 V ）
: t
pd
= 3.0纳秒（最大值） （Ⅴ
CC
= 2.3 2.7 V ）
: t
pd
= 5.0纳秒（最大值） （Ⅴ
CC
= 1.8 V)
输出电流：我
OH
/I
OL
= ±24 MA（分钟） （V
CC
= 3.0 V)
: I
OH
/I
OL
= ±18 MA（分钟） （V
CC
= 2.3 V)
: I
OH
/I
OL
= ±6 MA（分） （V
CC
= 1.8 V)
闭锁性能：
300
mA
ESD性能：机器型号
≥ ±200
V
人体模型
≥ ±2000
V
包装： TSSOP
3.6 -V容错功能和断电保护控制输入和输出
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2007-10-19
TC74VCXH16244FT
绝对最大额定值（注1 ）
特征
电源电压
直流输入电压
(
OE
)
（一）
符号
V
CC
V
IN
等级
0.5
4.6
0.5
4.6
0.5
到V
CC
+
0.5
0.5
到4.6 （注2）
直流输出电压
V
OUT
0.5
到V
CC
+
0.5
（注3）
输入二极管电流
输出二极管电流
输出电流
功耗
DC V
CC
每个电源引脚/接地电流
储存温度
I
IK
I
OK
I
OUT
P
D
I
CC
/I
GND
T
英镑
50
±50
±50
400
±100
65
150
（注4 ）
mA
mA
mA
mW
mA
°C
V
单位
V
V
注1 ：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注2 ： OFF状态
注3 ：高或低的状态。我
OUT
绝对最大额定值必须遵守。
注4 ： V
OUT
＆ LT ;
GND ，V
OUT
＆ GT ;
V
CC
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2007-10-19
TC74VCXH16244FT
工作范围
（注1 ） （注2 ）
特征
电源电压
(
OE
)
（一）
符号
V
CC
等级
为1.8 3.6
为1.2 3.6 （注3）
0.3
3.6
0到V
CC
0到3.6 （注4 ）
0到V
CC
（注5 ）
±24
输出电流
I
OH
/I
OL
±18
±6
工作温度
输入上升和下降时间
T
OPR
DT / DV
40
85
0-10
（注9 ）
（注6 ）
（注7 ）
（注8）
°C
NS / V
mA
单位
V
输入电压
V
IN
V
输出电压
V
OUT
V
注1：必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
注2 ：浮动或不使用的控制输入必须保持高电平或低电平。
注3 ：数据保留
注4 ： OFF状态
注5 ：高或低的状态
注6 ： V
CC
=
3.0至3.6 V
注7 ： V
CC
=
2.3 2.7 V
注8 ： V
CC
=
1.8 V
注9： V
IN
=
0.8至2.0V ，V
CC
=
3.0 V
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