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TC74VCXH162373FT
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74VCXH162373FT
低电压16位D类锁存器与Bushold
该TC74VCXH162373FT是一个高性能的CMOS 16位
D型锁存器。在1.8 V, 2.5 V或3.3 V系统设计的使用,
实现了高速操作,同时保持低的CMOS
功耗。
该16位D型锁存器由一个锁存使能输入控制
(LE)和一个输出使能输入端(
OE
),这是常见的每个
字节。它可以作为2个8位锁存器或一个16位锁存器。当
OE
输入为高电平时,输出处于高阻抗状态。
26 Ω串联电阻有助于减少输出过冲和
冲无需外部电阻器。
重量0.25克(典型值)。
在三维数据输入包括主动bushold电路,消除了
无需外部上拉电阻持有未使用的或浮动
数据输入在一个有效的逻辑电平。
所有的输入都配有防止静电放电保护电路。
特点
在输出端26 Ω串联电阻
低电压工作: V
CC
= 1.8 3.6 V
Bushold上的数据输入不再需要外部上拉/下拉电阻
高速运转:吨
pd
= 3.3纳秒(最大值) (Ⅴ
CC
= 3.0 3.6 V )
: t
pd
= 4.5纳秒(最大值) (Ⅴ
CC
= 2.3 2.7 V )
: t
pd
= 5.8纳秒(最大值) (V
CC
= 1.8 V)
输出电流:我
OH
/I
OL
= ±12 MA(分) (V
CC
= 3.0 V)
: I
OH
/I
OL
= ±8 MA(分钟) (V
CC
= 2.3 V)
: I
OH
/I
OL
= ±4 MA(分钟) (V
CC
= 1.8 V)
闭锁性能:
300
mA
ESD性能:机器型号
≥ ±200
V
人体模型
≥ ±2000
V
包装: TSSOP
3.6 -V容错功能和断电保护控制输入和输出
1
2007-10-19
TC74VCXH162373FT
引脚分配
( TOP VIEW )
IEC逻辑符号
1
48
24
25
47
46
44
43
41
40
38
37
36
35
33
32
30
29
27
26
4D
2
1OE
1Q1
1Q2
GND
1Q3
1Q4
V
CC
1Q5
1Q6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
48
47
46
45
44
43
42
1LE
1D1
1D2
GND
1OE
1EN
C3
2EN
C4
3D
1
2
3
5
6
8
9
11
12
13
14
16
17
19
20
22
23
1Q1
1Q2
1Q3
1Q4
1Q5
1Q6
1Q7
1Q8
2Q1
2Q2
2Q3
2Q4
2Q5
2Q6
2Q7
2Q8
1LE
2OE
2LE
1D1
1D2
1D3
1D4
1D5
1D6
1D7
1D8
2D1
2D2
2D3
2D4
2D5
2D6
2D7
2D8
1D3
1D4
V
CC
1D5
1D6
GND
1D7
1D8
2D1
2D2
GND
2D3
2D4
V
CC
2D5
2D6
GND
2D7
2D8
2LE
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
GND 10
1Q7 11
1Q8 12
2Q1 13
2Q2 14
GND 15
2Q3 16
2Q4 17
V
CC
18
2Q5 19
2Q6 20
GND 21
2Q7 22
2Q8 23
2OE
24
2
2007-10-19
TC74VCXH162373FT
真值表
输入
输出
1D1-1D8
X
X
L
H
1Q1-1Q8
Z
Qn
L
H
1OE
H
L
L
L
1LE
X
L
H
H
输入
输出
2D1-2D8
X
X
L
H
2Q1-2Q8
Z
Qn
L
H
2OE
H
L
L
L
2LE
X
L
H
H
X :无关
Z:高阻
尺寸Qn : Q输出被锁存于当LE的输入取为低逻辑电平的时间。
系统框图
1D1
47
D
1D2
46
D
1D3
44
D
1D4
43
D
1D5
41
D
1D6
40
D
1D7
38
D
1D8
37
D
1LE
48
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
1OE
1
2
1Q1
2D1
36
D
2D2
35
D
3
1Q2
2D3
33
D
5
1Q3
2D4
32
D
6
1Q4
2D5
30
D
8
1Q5
2D6
29
D
9
1Q6
2D7
27
D
11
1Q7
2D8
26
D
12
1Q8
2LE
25
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
LE
Q
2OE
24
13
2Q1
14
2Q2
16
2Q3
17
2Q4
19
2Q5
20
2Q6
22
2Q7
23
2Q8
3
2007-10-19
TC74VCXH162373FT
绝对最大额定值(注1 )
特征
电源电压
直流输入电压
(
OE
, LE )
(一)
符号
V
CC
V
IN
等级
0.5 4.6
0.5 4.6
0.5 V
CC
+
0.5
为0.5 4.6 (注2)
0.5 V
CC
+
0.5
单位
V
V
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出电流
功耗
DC V
CC
每个电源引脚/接地电流
储存温度
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
P
D
I
CC
/I
GND
T
英镑
V
mA
(注3)
50
±
50
±
50
(注4 )
mA
mA
mW
mA
°C
400
±
100
65 150
注1 :任何超过绝对最大额定值,即使短暂,导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注2 : OFF状态
注3 :高或低的状态。我
OUT
绝对最大额定值必须遵守。
注4 : V
OUT
& LT ;
GND ,V
OUT
& GT ;
V
CC
工作范围
(注1 ) (注2 )
特征
电源电压
输入电压
输出电压
(
OE
, LE )
(一)
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
等级
为1.8 3.6
为1.2 3.6 (注3)
为0.3 3.6
单位
V
V
V
0到V
CC
0到3.6 (注4 )
0到V
CC
(注5 )
±
12
(注6 )
(注7 )
(注8)
°C
(注9 )
NS / V
mA
输出电流
工作温度
输入上升和下降时间
I
OH
/I
OL
T
OPR
DT / DV
±
8
±
4
4085
0-10
注1:必须保持在工作范围,以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
注2 :浮动或不使用的控制输入必须保持高电平或低电平。
注3 :数据保留
注4 : OFF状态
注5 :高或低的状态
注6 : V
CC
=
3.0至3.6 V
注7 : V
CC
=
2.3 2.7 V
注8 : V
CC
=
1.8 V
注9: V
IN
=
0.8至2.0V ,V
CC
=
3.0 V
4
2007-10-19
TC74VCXH162373FT
电气特性
& LT ;
DC特性
(大
= 40
到85 ° C, 2.7 V
& LT ;
V
CC
=
3.6 V)
特征
H电平
L电平
符号
V
IH
V
IL
测试条件
V
CC
(V)
2.7 3.6
2.7 3.6
2.0
最大
单位
输入电压
0.8
V
I
OH
=
100
μ
A
H电平
V
OH
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
OH
=
6毫安
I
OH
=
8毫安
输出电压
I
OH
=
12毫安
I
OL
=
100
μ
A
L电平
V
OL
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
OL
=
6毫安
I
OL
=
8毫安
I
OL
=
12毫安
输入漏
当前
(
OE
, LE )
(一)
I
IN
V
IN
=
0至3.6 V
V
IN
=
V
CC
或GND
V
IN
=
0.8 V
V
IN
=
2.0 V
(注1 )
(注2 )
V
IN
=
V
IH
或V
IL
V
OUT
=
0至3.6 V
V
OUT
=
0至3.6 V
V
IN
=
V
CC
或GND
V
CC
& LT ;
V
OUT
& LT ;
3.6 V
=
=
V
IH
=
V
CC
0.6 V
2.7 3.6
2.7
3.0
3.0
2.7 3.6
2.7
3.0
3.0
2.7 3.6
2.7 3.6
3.0
3.0
3.6
3.6
2.7 3.6
0
2.7 3.6
V
CC
0.2
2.2
2.4
2.2
V
0.2
0.4
0.5
0.8
±
5.0
±
5.0
μ
A
Bushold输入最小驱动
保持电流
Bushold输入过驱动电流
改变状态
三态输出OFF状态电流
关机漏电流
静态电源电流
增加我
CC
每个输入
I
我( HOLD )
75
75
μ
A
I
我(OD)的
450
450
±
10.0
μ
A
I
OZ
I
关闭
I
CC
Δ
I
CC
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
10.0
20.0
±
20.0
(注3) 2.7 3.6
2.7 3.6
750
注1 :外部驱动源,必须至少在指定的电流切换低到高。
注2 :外部驱动器必须吸收至少指定电流切换HIGH到LOW 。
注3 :只输出高阻抗。
5
2007-10-19
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