TC74VCX541FT/FK/FTG
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74VCX541FT , TC74VCX541FK , TC74VCX541FTG
低电压八路总线缓冲器,具有3.6 V容限输入和输出
该TC74VCX541是一种高性能的CMOS八进制总线
缓存是保证运营从1.2 V至3.6 V 。
设计用于使用1.5V , 1.8 V , 2.5 V或3.3 V系统中,
实现了高速操作,同时维修器材在CMOS低
功耗。
它也设计有耐过电压和输入
输出可达3.6 V.
该装置是具有两个非反相三态缓冲器
低电平有效输出使能。当任一OE1或OE2为高电平,则
终端输出处于高阻抗状态。该装置是
设计成与3态存储器地址驱动器等中使用
所有的输入都配备了防静电保护电路
放电。
TC74VCX541FT
TC74VCX541FK
产品特点(注1 )
低电压工作: V
CC
= 1.2~3.6 V
高速运行:吨
pd
= 3.5纳秒(最大值) (Ⅴ
CC
= 3.0~3.6 V)
t
pd
= 4.2纳秒(最大值) (V
CC
= 2.3~2.7 V)
t
pd
= 8.4纳秒(最大值) (V
CC
= 1.65~1.95 V)
t
pd
= 16.8纳秒(最大值) (V
CC
= 1.4~1.6 V)
t
pd
= 42.0纳秒(最大值) (V
CC
= 1.2 V)
3.6 V容限输入和输出。
输出电流:我
OH
/I
OL
= ±24 MA(分钟) (V
CC
= 3.0 V)
I
OH
/I
OL
= ±18 MA(分钟) (V
CC
= 2.3 V)
I
OH
/I
OL
= ±6 MA(分) (V
CC
= 1.65 V)
I
OH
/I
OL
= ±2 MA(分钟) (V
CC
= 1.4 V)
闭锁性能:
300
mA
ESD性能:机器型号
≥ ±200
V
人体模型
≥ ±2000
V
包装: TSSOP
VSSOP (美国)
VQON
提供对所有输入和输出掉电保护功能。
VQON20-0404-0.50
TC74VCX541FTG
重量
TSSOP20-P-0044-0.65A
VSSOP20-P-0030-0.50
VQON20-P-0404-0.50
0.08克(典型值)。
:0.03克(典型值)。
: 0.0145克(典型值)。
注1:当安装VQON包,推荐磁通的类型是RA或RMA 。
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2007-10-19
TC74VCX541FT/FK/FTG
绝对最大额定值(注1 )
特征
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
功耗
DC V
CC
/接地电流
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
P
D
I
CC
/I
GND
T
英镑
等级
0.5~4.6
0.5~4.6
0.5~4.6
单位
V
V
(注2 )
V
mA
(注4 )
mA
mA
mW
mA
°C
0.5~V
CC
+
0.5
(注3)
50
±
50
±
50
180
±
100
65~150
注1 :任何超过绝对最大额定值,即使短暂,导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注2 :截止状态
注3 :高或低的状态。我
OUT
绝对最大额定值必须遵守。
注4 : V
OUT
& LT ;
GND ,V
OUT
& GT ;
V
CC
工作范围(注1 )
特征
电源电压
输入电压
输出电压
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
等级
1.2~3.6
0.3~3.6
单位
V
V
(注2 )
(注3)
(注4 )
(注5 )
(注6 )
(注7 )
°C
(注8)
NS / V
mA
V
0~3.6
0~V
CC
±
24
±
18
±
6
±
2
40~85
输出电流
I
OH
/I
OL
工作温度
输入上升和下降时间
T
OPR
DT / DV
0~10
注1:必须保持在工作范围,以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
注2 :截止状态
注3 :高或低的状态
注4 : V
CC
=
3.0~3.6 V
注5 : V
CC
=
2.3~2.7 V
注6 : V
CC
=
1.65~1.95 V
注7 : V
CC
=
1.4~1.6 V
注8 : V
IN
=
0.8~2.0 V, V
CC
=
3.0 V
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2007-10-19