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TC74LVX573F/FT

东芝CMOS数字集成电路

硅单片

TC74LVX573F,TC74LVX573FT

八D型锁存器具有三态输出

该TC74LVX573F / FT是一个高速CMOS八进制锁存器与

三态输出与制造的硅栅CMOS技术。

在3 -V系统设计使用，实现了高速操作

同时保持CMOS低功耗。

此装置适用于操作的低电压和电池

系统。

这8位D型锁存器由一个锁存使能输入控制

（LE）和一个输出使能输入端（

OE

）。当

OE

输入

高，这八个输出处于高阻抗状态。

输入保护电路，保证了0至5.5V可

施加到输入引脚，而不考虑电源电压。

这种装置可以被用于连接5V至3V系统和两个

供给系统，如后备电池。该电路可以防止

设备损坏，由于不匹配的电源电压和输入电压。

TC74LVX573F

TC74LVX573FT

特点

高速：吨

pd

=

6.4 ns（典型值）（V

CC

=

3.3 V)

低功耗：我

CC

=

4

μA

（最大值）（大

=

25°C)

输入电压： V

IL

=

0.8 V（最大值）（V

CC

=

3 V)

V

IH

=

2.0 V （最小值）（V

CC

=

3 V)

提供所有输入掉电保护

平衡传输延迟：吨

PLH

t

PHL

低噪音： V

OLP

=

0.8 V（最大值）

引脚和功能与74HC573兼容

重量

SOP20-P-300-1.27A

TSSOP20-P-0044-0.65A

0.22克（典型值）。

0.08克（典型值）。

1

2007-10-17

TC74LVX573F/FT

引脚分配

（ TOP VIEW ）

IEC逻辑符号

OE

LE

(1)

(11)

EN

C1

OE

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

1

2

3

4

5

6

7

8

9

20

19

18

17

16

15

14

13

12

11

V

CC

Q0

Q1

Q2

Q3

Q4

Q5

Q6

Q7

LE

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

(8)

(9)

1D

(19)

(18)

(17)

(16)

(15)

(14)

(13)

(12)

Q0

Q1

Q2

Q3

Q4

Q5

Q6

Q7

GND 10

真值表

输入

OE

H

L

LE

X

L

H

D

X

L

H

输出

Z

Qn

L

H

X ：无关

Z：高阻

尺寸Qn ： Q输出被锁存于当LE的输入取为低逻辑电平的时间。

系统框图

D0

2

D

D1

3

D

D2

4

D

D3

5

D

D4

6

D

D5

7

D

D6

8

D

D7

9

D

LE

11

L

Q

L

Q

L

Q

L

Q

L

Q

L

Q

L

Q

L

Q

OE

1

19

Q0

18

Q1

17

Q2

16

Q3

15

Q4

14

Q5

13

Q6

12

Q7

2

2007-10-17

TC74LVX573F/FT

绝对最大额定值

（注）

特征

电源电压范围

直流输入电压

直流输出电压

输入二极管电流

输出二极管电流

直流输出电流

DC V

CC

/接地电流

功耗

储存温度

符号

V

CC

V

IN

V

OUT

I

IK

I

OK

I

OUT

I

CC

P

D

T

英镑

等级

为0.5 7.0

0.5 V

CC

+

0.5

20

±

20

±

25

±

75

单位

V

mA

mW

°C

180

65 150

注意：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC的性能，甚至

破坏。

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

额定值和工作范围。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

工作范围

（注）

特征

电源电压

输入电压

输出电压

工作温度

输入上升和下降时间

符号

V

CC

V

IN

V

OUT

T

OPR

DT / DV

等级

2.0 3.6

0至5.5

0到V

CC

4085

单位

V

°C

NS / V

0-100

注意：必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。

未使用的输入必须连接到VCC或GND 。

3

2007-10-17

TC74LVX573F/FT

电气特性

DC特性

特征

对称

BOL

测试条件

V

CC

(V)

2.0

H电平

输入电压

L电平

V

IL

Ta

=

25°C

民

1.5

2.0

2.4

Ta

=

40

85°C

最大

单位

典型值。

民

1.5

2.0

2.4

最大

V

IH

3.0

3.6

2.0

3.0

3.6

0.5

0.8

0.5

0.8

V

H电平

输出电压

L电平

V

OH

I

OH

=

50

μ

A

V

IN

=

V

IH

I

OH

=

50

μ

A

或V

IL

I

OH

=

4毫安

V

IN

=

V

IH

I

OL

=

50

μ

A

或V

IL

I

OL

=

4毫安

V

IN

=

V

IH

或V

IL

V

OUT

=

V

CC

或GND

V

IN

=

5.5 V或GND

V

IN

=

V

CC

或GND

I

OL

=

50

μ

A

2.0

3.0

2.0

3.0

3.6

1.9

2.9

2.58

2.0

3.0

1.9

2.9

2.48

0

0.1

0.36

±

0.25

±

0.1

0.44

±

2.5

±

1.0

V

OL

三态输出

FF-态电流

输入漏电流

静态电源电流

I

OZ

I

IN

I

CC

μ

A

μ

A

μ

A

4.0

40.0

时序要求

（输入：吨

r

=

t

f

=

3 NS ）

特征

符号

测试条件

V

CC

(V)

最小脉冲宽度

（ LE）的

最小建立时间

t

瓦特（H）的

Ta

=

25°C

极限

6.5

5.0

3.5

1.5

Ta

=

40

85°C

极限

7.5

5.0

3.5

1.5

单位

2.7

3.3

±

0.3

2.7

3.3

±

0.3

2.7

3.3

±

0.3

ns

t

s

ns

最小保持时间

t

h

ns

4

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TC74LVX573F/FT

AC特性

（输入：吨

r

=

t

f

=

3 NS ）

特征

符号

测试条件

V

CC

（ V）C

L

（PF ）

t

PLH

Ta

=

25°C

民

Ta

=

40

85°C

最大

15.6

19.1

10.1

13.6

14.5

18.0

9.3

12.8

15.0

18.5

9.7

13.2

19.1

13.6

1.5

10

―

单位

典型值。

8.2

10.7

6.4

8.9

7.6

10.1

5.9

8.4

7.8

10.3

6.1

8.6

12.1

10.1

民

1.0

最大

18.5

22.0

12.0

15.5

17.5

21.0

11.0

14.5

18.5

22.0

12.0

15.5

22.0

15.5

1.5

10

传播延迟时间

（ LE- Q）的

2.7

15

50

15

50

15

50

15

50

15

50

15

50

（注2 ）

ns

t

PHL

3.3

±

0.3

传播延迟时间

（D- Q）的

t

PLH

2.7

ns

t

PHL

3.3

±

0.3

t

PZL

输出使能时间

t

PZH

t

PLZ

t

PHZ

t

OSLH

t

OSHL

C

IN

C

OUT

C

PD

2.7

R

L

=

1 k

Ω

3.3

±

0.3

2.7

3.3

±

0.3

2.7

3.3

±

0.3

ns

输出禁止时间

R

L

=

1 k

Ω

ns

输出到输出偏斜

输入电容

输出电容

功率耗散电容

（注1 ）

ns

pF

4

6

29

（注3）

注1 ：参数通过设计保证。

(t

OSLH

=

|t

PLHm

t

PLHn

|, t

OSHL

=

|t

PHLm

t

PHLn

|)

注2 ：参数通过设计保证。

注3 ：C

PD

被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值

电流消耗。

平均工作电流可以由下式得到：

I

CC （ OPR ）

=

C

PD

½V

CC

½f

IN

+

I

CC

/ 8 （每锁存器）

而全碳

PD

件时。的闩锁操作可通过下面的等式来获得：

C

PD

（总）

=

21

+

8½n

5

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