TC74HCT652AP
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HCT652AP
八路总线收发器/寄存器（三态）
该TC74HCT652A是高速CMOS八路总线
收发器/寄存器制造与硅栅
2
MOS
技术。
它实现了类似于等效的高速操作
输入通道，同时保持CMOS低功耗。
它的输入与TTL ， NMOS和CMOS输出兼容
电压电平。
此设备是总线收发器具有三态输出， D型
FL IP- FL OPS和控制电路安排复
发送直接从内部寄存器中的数据的。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
重量：1.50克（典型值）。
产品特点（注1 ） （注2 ）
高速：F
最大
= 60 MHz（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 4
μA
（最大）在TA = 25℃
兼容TTL输出： V
IH
= 2.0 V（分钟）
V
IL
= 0.8 V（最大值）
输出驱动能力： 15输入通道负载
对称的输出阻抗： | I
OH
| = I
OL
= 6 MA（ MIN ）
平衡传输延迟：吨
PLH
t
PHL
引脚和功能与74LS652兼容
注1 ：信号不适用任何巴士总站时，它是在放出来的模式。可能会造成的损害。
注2 ：所有浮动（高阻抗）总线端子必须有自己的输入电平固定的方式拉或下拉
下拉电阻。
引脚分配
1
2007-10-01
TC74HCT652AP
真值表
GAB
GBA
出租车
X
CBA
X
（注）
SAB
X
SBA
X
A
输入
Z
X
输入
B
输入
Z
X
输出
L
H
L
H
Qn
L
H
输入
L
H
L
H
X
L
H
输出
Qn
功能
甲乙公共汽车的输出功能
禁用。
A和B总线作为输入的
内部触发器。总线上的数据将被存储
在时钟的上升沿。
L
H
（注）
X
X
X
（注）
X
（注）
X
L
X
L
H
A总线上的数据显示在B总线上。
H
H
X
（注）
（注）
X
（注）
X
（注）
X
（注）
X
X
（注）
L
X
L
H
X
L
H
输出
A总线上的数据显示在B总线上，
并且被存储到在所述存储触发器
CAB上升边缘。
在存储触发器的数据被显示
对B总线。
对A总线的数据存储到一个
存储触发器上的CAB的上升沿，并
所存储的数据，直接传播到B总线。
H
X
H
X
X
L
L
H
B总线上的数据都显示在一个总线上。
L
L
（注）
X
（注）
X
（注）
X
（注）
X
L
L
H
Qn
L
H
输出
Qn
B总线上的数据都显示在一个总线上，
并且被存储到在所述存储乙触发器
升CBA的边缘。
在B存储触发器的数据被显示
对A总线。
在B总线上的数据被存储到乙
存储触发器在CBA的上升沿和
存储的数据直接传播到A总线。
存储到内部触发器中的数据是
分别在A和B总线显示。
X
H
X
X
（注）
H
H
L
X
（注）
H
H
X ：无关
QN ：存储到内部触发器由最近低的时钟输入高电平跳变的数据。
Z：高阻
注意：
时钟内部不带门控或者GAB或
GBA
。因此，对A和/或B总线数据可能
被读入存储触发器在任何时间。
3
2007-10-01
TC74HCT652AP
绝对最大额定值（注1 ）
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5~7.0
0.5~V
CC
+
0.5
0.5~V
CC
+
0.5
±
20
±
20
±
35
±
75
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
（注2 ）
mW
°C
500 （ DIP ）
65
150
注1 ：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注2： 500毫瓦Ta的范围
= 40
至65℃ 。来自TA
=
65 85 ℃的降额因子
10
毫瓦/°C，应
施加高达300毫瓦。
工作范围（注）
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
t
r
, t
f
等级
4.5~5.5
0~V
CC
0~V
CC
40~85
单位
V
V
V
°C
ns
0~500
注意：
必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
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2007-10-01
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