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TC74HCT273AP/AF
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HCT273AP,TC74HCT273AF
八路D型触发器与Clear FLOP
该TC74HCT273A是一个高速CMOS八D型
触发器制作与硅栅
2
MOS技术。
它实现了类似于等效的高速操作
输入通道，同时保持CMOS低功耗。
他们的输入与TTL ， NMOS和CMOS兼容
输出电压电平。
施加到D输入信息信号被传输到
在时钟脉冲的正向边沿Q输出。
当
CLR
输入为“L ”时， Q输出是在低
逻辑电平无关的其他输入端。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
TC74HCT273AP
TC74HCT273AF
特点
高速：F
最大
= 90 MHz（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 4
μA
（最大）在TA = 25℃
兼容TTL输出： V
IH
= 2.0 V（分钟）
V
IL
= 0.8 V（最大值）
广泛的接口能力： LSTTL ， NMOS ， CMOS
输出驱动能力： 10输入通道负载
对称的输出阻抗： | I
OH
| = I
OL
= 4 MA（ MIN ）
平衡传输延迟：吨
PLH
t
PHL
引脚和功能与74LS273兼容
重量
DIP20-P-300-2.54A
SOP20-P-300-1.27A
：1.30克（典型值）。
0.22克（典型值）。
引脚分配
1
2007-10-01
TC74HCT273AP/AF
IEC逻辑符号
真值表
输入
产量
CK
X
Q
L
L
H
Qn
CLR
L
H
H
H
D
X
L
H
X
功能
明确
没有变化
X ：无关
系统框图
2
2007-10-01
TC74HCT273AP/AF
绝对最大额定值（注1 ）
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5~7
0.5~V
CC
+
0.5
0.5~V
CC
+
0.5
±20
±20
±25
±50
500 （ DIP ） （注2 ） / 180 （ SOP ）
65~150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
注1 ：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注2： 500毫瓦Ta的范围
= 40~65°C.
从TA
=
65 85 ℃的降额因子
10
毫瓦/°C的应
应用到300毫瓦。
工作范围（注）
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
t
r
, t
f
等级
4.5~5.5
0~V
CC
0~V
CC
40~85
0~500
单位
V
V
V
°C
ns
注意：
必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
电气特性
DC特性
测试条件
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
高电平的输出
电压
低电平输出
电压
输入漏
当前
静态电源
当前
符号
V
CC
(V)
I
OH
= 20 μA
V
IN
=
V
IH
or
I
OH
= 4
mA
V
IL
I
OL
=
20
μA
V
IN
=
V
IH
or
I
OL
=
4毫安
V
IL
V
IN
=
V
CC
或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
每输入： V
IN
=
0.5 V或2.4 V
其他输入： V
CC
或GND
4.5~
5.5
4.5~
5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
5.5
5.5
5.5
民
2.0
4.4
4.18
Ta
=
25°C
典型值。
4.5
4.31
0.0
0.17
最大
0.8
0.1
0.26
±0.1
4.0
2.0
Ta
= 40~85°C
民
2.0
4.4
4.13
最大
0.8
0.1
0.33
±1.0
40.0
2.9
单位
V
IH
V
IL
V
OH
V
V
V
V
OL
I
IN
I
CC
I
C
V
μA
μA
mA
3
2007-10-01
TC74HCT273AP/AF
时序要求
（输入：吨
r
=
t
f
=
6 NS ）
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
最小脉冲宽度
（CK）
最小脉冲宽度
(
CLR ）
t
瓦特（L）的
t
瓦特（H）的
4.5
5.5
Ta
=
25°C
典型值。
极限
15
14
Ta
=
40
~85°C
极限
19
17
ns
单位
t
瓦特（L）的
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
15
14
10
10
5
10
10
9
30
35
19
17
13
13
6
13
13
12
24
28
ns
最小建立时间
t
s
ns
最小保持时间
最低移走时间
(
CLR
)
时钟频率
t
h
ns
t
REM
ns
f
兆赫
AC特性
(C
L
=
15 pF的，V
CC
=
5 V ，TA
=
25 ° C，输入：吨
r
=
t
f
=
6 NS ）
特征
输出转换时间
传播延迟时间
（CK- Q）的
传播延迟时间
(
CLR
-Q)
最大时钟频率
符号
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PHL
t
PHL
f
最大
测试条件
民
典型值。
4
最大
8
单位
ns
15
25
ns
18
90
28
ns
兆赫
40
4
2007-10-01
TC74HCT273AP/AF
AC特性
(C
L
=
50 pF的输入：吨
r
=
t
f
=
6 NS ）
测试条件
特征
符号
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
f
最大
C
IN
C
PD
（注）
V
CC
(V)
Ta
=
25°C
民
Ta
=
40~85°C
最大
15
14
30
27
32
29
典型值。
9
8
19
17
22
18
71
81
5
29
民
最大
19
18
38
34
40
36
单位
输出转换时间
传播延迟
时间
（CK- Q）的
传播延迟
时间
（ CLR -Q ）
最大时钟
频率
输入电容
功耗
电容
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
ns
ns
ns
30
35
24
28
兆赫
pF
pF
10
10
注意：
C
PD
被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以由下式得到：
I
CC
（ OPR ）
=
C
PD
½V
CC
½f
IN
+
I
CC
/ 8 （每个触发器）
而全碳
PD
件时。触发器进行操作，可以得到由下式：
C
PD
（总）
=
18
+
11½n
5
2007-10-01
查看更多TC74HCT273AFPDF信息
推荐型号
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TSIC101FDB
TN1506NW
TC1321EOA
TDL2A-433-9
T89C51RD2-SLVI-L
TAJV336M050S
TPS73633DCQR
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TC74HCT02AP
TPS77515-EP
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