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TC74HC85AP/AF/AFN
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HC85AP,TC74HC85AF,TC74HC85AFN
4位数值比较器
该TC74HC85A是一个高速CMOS 4位二进制
比较器制造与硅栅
2
MOS技术。
它实现了类似于等效的高速操作
输入通道,同时保持CMOS低功耗。
该TC74HC85A比较适用于输入拖4位字
A0- A3和B0 B3,和提供一个高电压电平
三路输出:一个> B,A < B,或者A = B。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
注意: xxxFN (JEDEC SOP)不在可用
日本。
TC74HC85AP
特点
高速:吨
pd
= 22 ns(典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗:我
CC
= 4
μA
(最大)在TA = 25℃
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
(分钟)
输出驱动能力: 10输入通道负载
对称的输出阻抗: | I
OH
| = I
OL
= 4 MA( MIN )
平衡传输延迟:吨
PLH
t
PHL
宽工作电压范围: V
CC
( OPR ) = 2 6 V
引脚和功能与74LS85兼容
TC74HC85AF
TC74HC85AFN
引脚分配
重量
DIP16-P-300-2.54A
SOP16-P-300-1.27A
SOL16-P-150-1.27
:1.00克(典型值)。
0.18克(典型值)。
0.13克(典型值)。
1
2007-10-01
TC74HC85AP/AF/AFN
IEC逻辑符号
真值表
INPUTS模式对比
A3
& GT ;
B3
A3
=
B3
A3
=
B3
A3
=
B3
X
A2
& GT ;
B2
A2
=
B2
A2
=
B2
X
X
A1
& GT ;
B1
A1
=
B1
X
X
X
A0
& GT ;
B0
级联输入
A
& GT ;
B
X
X
X
X
L
X
A3
=
B3 , A2
=
B2 , A1
=
B1 , A0
=
B0
L
H
H
A3
=
B3
A3
=
B3
A3
=
B3
A3
& LT ;
B3
A2
=
B2
A2
=
B2
A2
& LT ;
B2
X
A1
=
B1
A1
& LT ;
B1
X
X
A0
& LT ;
B0
X
X
X
X
X
X
X
A
& LT ;
B
X
X
X
X
L
X
H
L
H
X
X
X
X
A
=
B
X
X
X
X
L
H
L
L
L
X
X
X
X
A
& GT ;
B
H
H
H
H
H
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
A
& LT ;
B
L
L
L
L
H
L
H
L
L
H
H
H
H
A
=
B
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
X :无关
2
2007-10-01
TC74HC85AP/AF/AFN
系统框图
绝对最大额定值(注1 )
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5~7
0.5~V
CC
+
0.5
0.5~V
CC
+
0.5
±20
±20
±25
±50
500 ( DIP ) (注2 ) / 180 ( SOP )
65~150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
注1 :任何超过绝对最大额定值,即使短暂,导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注2: 500毫瓦Ta的范围
= 40
至65℃ 。来自TA
=
65 85 ℃的降额因子
10
毫瓦/°C的应
应用到300毫瓦。
3
2007-10-01
TC74HC85AP/AF/AFN
工作范围(注)
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
等级
2~6
0~V
CC
0~V
CC
40~85
0~1000 (V
CC
=
2.0 V)
输入上升和下降时间
t
r
, t
f
0~500 (V
CC
=
4.5 V)
0~400 (V
CC
=
6.0 V)
ns
单位
V
V
V
°C
注意:
必须保持在工作范围,以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
电气特性
DC特性
测试条件
特征
符号
V
CC
(V)
2.0
高级别输入
电压
V
IH
4.5
6.0
2.0
低电平输入
电压
V
IL
4.5
6.0
2.0
高电平的输出
电压
V
IN
=
V
IH
or
V
IL
I
OH
= 20 μA
I
OH
= 4
mA
I
OH
= 5.2
mA
I
OL
=
20
μA
I
OL
=
4毫安
I
OL
=
5.2毫安
输入漏
当前
静态电源
当前
I
IN
I
CC
V
IN
=
V
CC
或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
低电平输出
电压
V
IN
=
V
IH
or
V
IL
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
1.50
3.15
4.20
1.9
4.4
5.9
4.18
5.68
Ta
=
25°C
典型值。
2.0
4.5
6.0
4.31
5.80
0.0
0.0
0.0
0.17
0.18
最大
0.50
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
4.0
Ta
= 40~85°C
1.50
3.15
4.20
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
最大
0.50
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
40.0
μA
μA
V
V
V
V
单位
V
OH
V
OL
4
2007-10-01
TC74HC85AP/AF/AFN
AC特性
(C
L
=
15 pF的,V
CC
=
5 V ,TA
=
25 ° C,输入:吨
r
=
t
f
=
6 NS )
特征
输出转换时间
传播延迟时间
(A , B- OUT )
传播延迟时间
( CASCADE -OUT )
符号
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
测试条件
典型值。
4
最大
8
单位
ns
22
34
ns
10
18
ns
AC特性
(C
L
=
50 pF的输入:吨
r
=
t
f
=
6 NS )
测试条件
特征
符号
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
Ta
=
25°C
典型值。
30
8
7
90
26
22
40
13
11
5
25
最大
75
15
13
195
39
33
110
22
19
10
Ta
= 40~85°C
最大
95
19
16
245
49
42
140
28
24
10
pF
pF
ns
ns
ns
单位
输出转换时间
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
C
IN
C
PD
(注)
传播延迟
时间
(A , B- OUT )
传播延迟
时间
( CASCADE -OUT )
输入电容
功耗
电容
注意:
C
PD
被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以由下式得到:
I
CC
( OPR )
=
C
PD
½V
CC
½f
IN
+
I
CC
5
2007-10-01
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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