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TC74HC597AP/AF
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HC597AP,TC74HC597AF
8位锁存器/移位寄存器
该TC74HC597A是一个高速CMOS 8位
并行/串行串行输出锁存器/ SHIFT
REGISTER制造与硅栅
2
MOS技术。
它实现了类似于等效的高速操作
输入通道,同时保持CMOS低功耗。
它由一个8位数据的寄存器供给的8位的移位的
注册。该并行数据在A至H的输入被存储在
上RCK的正向跳变的输入寄存器。
SLOAD
输入为低电平时,输入寄存器的数据
送入移位寄存器。当
SLOAD
输入保持高电平,
串行数据输入( SI )启用和八个触发器
在SCK的上升沿进行串行移位。
直接清除输入(
SCLR
)将8位的移位寄存器为零。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
TC74HC597AP
TC74HC597AF
特点
高速:F
最大
=
60 MHz(典型值)在V
CC
=
5 V
低功耗:我
CC
=
4
μA
(最大值)在Ta
=
25°C
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
=
V
NIL
=
28% V
CC
输出驱动能力: 10输入通道负载
对称的输出阻抗: | I
OH
|
=
I
OL
=
4毫安(分钟)
平衡传输延迟:吨
PLH
t
PHL
宽工作电压范围: V
CC
( OPR )
=
2到6伏
引脚和功能与74LS597兼容
重量
DIP16-P-300-2.54A
SOP16-P-300-1.27A
:1.00克(典型值)。
0.18克(典型值)。
引脚分配
1
2007-10-01
TC74HC597AP/AF
IEC逻辑符号
真值表
输入
SI
X
X
L
H
X
X
X
X
X
SCK
X
X
SCLR
L
H
H
H
H
X
X
SLOAD
H
L
H
H
H
X
X
RCK
X
X
X
X
X
S.R.清为“ L”
功能
输入寄存器数据存储到S.R.
S.R.的第一阶段变成“L”。其他阶段存储前级的数据,
分别。
S.R.的第一阶段变成“H” 。其他阶段存储前级的数据,
分别。
S.R.国家不改变。
在A至H行输入数据存储到输入寄存器。
存储寄存器级不被改变。
X :无关
2
2007-10-01
TC74HC597AP/AF
时序图
3
2007-10-01
TC74HC597AP/AF
系统框图
4
2007-10-01
TC74HC597AP/AF
绝对最大额定值(注1 )
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5
7.0
0.5
到V
CC
+
0.5
0.5
到V
CC
+
0.5
±20
±20
±25
±50
500 ( DIP ) (注2 ) / 180 ( SOP )
65
150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
注1 :任何超过绝对最大额定值,即使短暂,导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注2: 500毫瓦Ta的范围
= 40
至65℃ 。来自TA
=
65 85 ℃的降额因子
10
毫瓦/°C,应
应用到300毫瓦。
工作范围(注)
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
等级
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
40
85
01000 (Ⅴ
CC
=
2.0 V)
输入上升和下降时间
t
r
, t
f
0到500 (Ⅴ
CC
=
4.5 V)
0到400 (V
CC
=
6.0 V)
ns
单位
V
V
V
°C
注意:
必须保持在工作范围,以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
5
2007-10-01
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