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TC74HC4066AP/AF/AFN/AFT
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HC4066AP,TC74HC4066AF,TC74HC4066AFN,TC74HC4066AFT
四路双向开关
该TC74HC4066A是一个高速CMOS QUAD双边
开关制造与硅栅
2
MOS技术。
它由四个独立的高速切换能力
控制数字或模拟信号,同时保持了
CMOS的低功耗。
控制输入端(C)的设置来控制开关。开关
变为ON而C输入为高电平,使开关断开
而低。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
注意: xxxFN (JEDEC SOP)不在可用
日本。
TC74HC4066AP
特点
高速:吨
pd
= 7 ns(典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗:我
CC
= 1
μA
(最大)在TA = 25℃
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
(分钟)
低导通电阻,R
ON
= 50
Ω
(典型值)在V
CC
= 9 V
高线性度: THD = 0.05 % (典型值),在V
CC
= 5 V
引脚和功能与4066B兼容
TC74HC4066AF
TC74HC4066AFN
TC74HC4066AFT
重量
DIP14-P-300-2.54
SOP14-P-300-1.27A
SOL14-P-150-1.27
TSSOP14-P-0044-0.65A
:0.96克(典型值)。
0.18克(典型值)。
0.12克(典型值)。
0.06克(典型值)。
1
2007-10-01
TC74HC4066AP/AF/AFN/AFT
引脚分配
IEC逻辑符号
(13)
(1)
(5)
(4)
(6)
(8)
(12)
(11)
(10)
4O/I
(9)
3O/I
(3)
2O/I
1I/O
1O/I
2O/I
2I/O
2C
3C
GND
(V
SS
)
1
2
3
4
5
6
7
( TOP VIEW )
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
1C
4C
4I/O
1C
1I/O
2C
2I/O
3C
×1
1
1
(2)
1O/I
4O/I
3O/I
3I/O
3I/O
4C
4I/O
真值表
控制
H
L
开关功能
On
关闭
2
2007-10-01
TC74HC4066AP/AF/AFN/AFT
绝对最大额定值(注1 )
特征
电源电压范围
控制输入电压
开关I / O电压
控制输入二极管电流
I / O二极管电流
通过开关电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
I / O
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5
13
0.5
到V
CC
+ 0.5
0.5
到V
CC
+ 0.5
±20
±20
±25
±50
500 ( DIP ) (注2 ) / 180 ( SOP / TSSOP )
65
150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
注1 :任何超过绝对最大额定值,即使短暂,导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注2 : 500毫瓦Ta的范围=
40
至65℃ 。来自TA = 65 85°C的降额因子
10
毫瓦/°C,应
施加高达300毫瓦。
工作范围(注)
特征
电源电压
控制输入电压
开关I / O电压
工作温度
符号
V
CC
V
IN
V
I / O
T
OPR
等级
2至12个
0到V
CC
0到V
CC
40
85
01000 (Ⅴ
CC
= 2.0 V)
输入上升和下降时间
t
r,
t
f
0到500 (Ⅴ
CC
= 4.5 V)
0到400 (V
CC
= 6.0 V)
0到250 (Ⅴ
CC
= 10.0 V)
ns
单位
V
V
V
°C
注意:
必须保持在工作范围,以确保设备的正常运行。
未使用的控制输入必须连接到VCC或GND 。
3
2007-10-01
TC74HC4066AP/AF/AFN/AFT
电气特性
DC特性
TA = 25°C
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
2.0
高级控制
输入电压
V
IHC
4.5
9.0
12.0
2.0
低电平控制
输入电压
V
ILC
4.5
9.0
12.0
V
IN
= V
IHC
V
I / O
= V
CC
到GND
I
I / O
1毫安
抗性
R
ON
V
IN
= V
IHC
V
I / O
= V
CC
或GND
I
I / O
1毫安
ON的区别
之间的电阻
开关
输入/输出泄漏
当前
(开关OFF)
开关输入泄漏
当前
(开关,输出
开)
控制输入电流
静态电源
当前
V
IN
= V
IHC
ΔR
ON
V
I / O
= V
CC
到GND
I
I / O
1毫安
V
OS
= V
CC
或GND
I
关闭
V
IS
= GND或V
CC
V
IN
= V
ILC
V
OS
=V
CC
或GND
V
IN
= V
IHC
V
IN
= V
CC
或GND
12.0
±100
±1000
nA
4.5
9.0
12.0
2.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
1.50
3.15
6.30
8.40
典型值。
96
55
45
160
70
50
45
10
5
5
最大
0.50
1.35
2.70
3.60
170
85
80
100
75
70
TA =
40
至85℃
1.50
3.15
6.30
8.40
最大
0.50
1.35
2.70
3.60
200
100
90
130
95
90
V
V
单位
I
IZ
12.0
±100
±1000
nA
I
IN
12.0
6.0
±100
1.0
4.0
8.0
±1000
10.0
40.0
80.0
nA
I
CC
V
IN
= V
CC
或GND
9.0
12.0
μA
4
2007-10-01
TC74HC4066AP/AF/AFN/AFT
AC特性
(C
L
= 50 pF的输入:吨
r
= t
f
= 6纳秒)
特征
符号
测试条件
工作电压(V )
2.0
相位差
输入之间
产量
φ
我-O
4.5
9.0
12.0
2.0
输出使能时间
t
PZL
t
PZH
R
L
= 1 k
4.5
9.0
12.0
2.0
输出禁止时间
t
PLZ
t
PHZ
R
L
= 1 k
4.5
9.0
12.0
R
L
= 1 k
最大控制
输入频率
C
L
= 15 pF的
V
OUT
= 1/2 V
CC
控制输入
电容
开关端子
电容
馈通
电容
功耗
电容
C
IN
C
I / O
C
IOS
C
PD
(注)
2.0
4.5
9.0
12.0
TA = 25°C
典型值。
10
4
3
3
18
8
6
6
20
10
8
8
30
30
30
30
5
6
0.5
15
最大
50
10
8
7
100
20
12
12
115
23
20
18
10
TA =
40
至85℃
最大
65
13
10
9
125
25
22
18
145
29
25
22
10
pF
pF
pF
pF
兆赫
pF
pF
pF
单位
注意:
C
PD
被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以由下式得到:
I
CC ( OPR )
= C
PD
·V
CC
·f
IN
+ I
CC
/ 4 (每通道)
5
2007-10-01
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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