TC74HC4049,4050AP/AF/AFN/AFT
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HC4049AP,TC74HC4049AF,TC74HC4049AFN,TC74HC4049AFT
TC74HC4050AP,TC74HC4050AF,TC74HC4050AFN,TC74HC4050AFT
TC74HC4049AP/AF/AFN/AFT
TC74HC4050AP/AF/AFN/AFT
HEX BUFFER /转换器（反相）
（十六进制）
注意： xxxFN （JEDEC SOP）不在可用
缓冲器/转换器
日本。
TC74HC4049AP ， TC74HC4050AP
该TC74HC4049A和TC74HC4050A是高速CMOS
HEX缓冲器制造与硅栅
2
MOS技术。
它们实现类似于等效的高速操作
输入通道，同时保持CMOS低功耗。
该TC74HC4049A是一个反相缓冲器，而
TC74HC4050A是一个非反相缓冲器。内部电路
的3-阶段（ HC4049A ）或2-级（ HC4050A ）组成
invertaers ，它提供了高抗噪性和稳定
输出。
输入保护电路是由那些其他高的不同
高速CMOS集成电路。它们消除在V二极管
CC
SIDE
因而从高级别volages提供的逻辑电平转换
高达15 V至低电平电压。
他们是有用的电池备份电路，因为输入
电压可在集成电路的这些不被V偏压施加
CC
.
TC74HC4049AF ， TC74HC4050AF
特点
高速：吨
pd
=
9 ns（典型值），在V
CC
=
5 V
低功耗：我
CC
=
1
μA
（最大值）在Ta
=
25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
=
V
NIL
=
28% V
CC
（分钟）
输出驱动能力： 15输入通道负载
对称的输出阻抗： | I
OH
|
=
I
OL
=
6毫安（分钟）
平衡传输延迟：吨
PLH
t
PHL
宽工作电压范围： V
CC （ OPR ）
=
2 V至6 V
引脚和功能与4049B / 4050B兼容
TC74HC4049AFT ， TC74HC4050AFT
TC74HC4049AFN ， TC74HC4050AFN
重量
DIP16-P-300-2.54A
SOP16-P-300-1.27A
SOL16-P-150-1.27
TSSOP16-P-0044-0.65A
：1.00克（典型值）。
0.18克（典型值）。
0.13克（典型值）。
0.06克（典型值）。
1
2007-10-01
TC74HC4049,4050AP/AF/AFN/AFT
引脚分配
TC74HC4049A
V
CC
1Y
1A
2Y
2A
1
2
3
4
5
6
7
8
（ TOP VIEW ）
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
V
CC
1Y
1A
2Y
2A
3Y
3A
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
（ TOP VIEW ）
TC74HC4050A
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
6Y
6A
NC
5Y
5A
4Y
4A
6Y
6A
NC
5Y
5A
4Y
4A
3Y
3A
GND
NC ：无连接
IEC逻辑符号
TC74HC4049A
1
TC74HC4050A
1
1A
2A
3A
4A
5A
6A
(3)
(5)
(7)
(9)
(11)
(14)
(2)
(4)
(6)
(10)
(12)
(15)
1Y
2Y
3Y
4Y
5Y
6Y
1A
2A
3A
4A
5A
6A
(3)
(5)
(7)
(9)
(11)
(14)
(2)
(4)
(6)
(10)
(12)
(15)
1Y
2Y
3Y
4Y
5Y
6Y
真值表
A
Y（ 4049A ）
H
L
Y（ 4050A ）
L
H
L
H
输入和输出等效电路
TC74HC4049A
V
CC
TC74HC4050A
V
CC
A
Y
A
Y
GND
GND
2
2007-10-01
TC74HC4049,4050AP/AF/AFN/AFT
绝对最大额定值（注1 ）
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5-7
为0.5 18
0.5 V
CC
+
0.5
20
±
20
±
35
±
75
单位
V
（注2 ）
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
500 （ DIP ） （注3 ） / 180 （ SOP / TSSOP ）
65 150
注1 ：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注2 ：直流输入电压（V
IN
）指定的被测量到GND ，并且不涉及到V
CC
.
推荐的工作范围是0 V至15 V ，它可以转换成逻辑电平为15 V至5 V或5
V 2 V.
注3： 500毫瓦Ta的范围
= 40
至65℃ 。来自TA
=
65 85 ℃的降额因子
10
毫瓦/°C的应
应用到300毫瓦。
工作范围（注）
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
等级
2至6个
0至15
0到V
CC
4085
单位
V
V
V
°C
01000 （Ⅴ
CC
=
2.0 V)
输入上升和下降时间
t
r
, t
f
0到500 （Ⅴ
CC
=
4.5 V)
0到400 （V
CC
=
6.0 V)
ns
注意：
必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
3
2007-10-01
TC74HC4049,4050AP/AF/AFN/AFT
电气特性
DC特性
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
2.0
高级别输入
电压
V
IH
Ta
=
25°C
民
1.50
3.15
4.20
Ta
=
4085 ℃下
最大
单位
典型值。
民
1.50
3.15
4.20
最大
4.5
6.0
2.0
V
0.50
1.35
1.80
0.50
1.35
1.80
低电平输入
电压
V
IL
4.5
6.0
2.0
V
1.9
4.4
5.9
4.18
5.68
2.0
4.5
6.0
4.31
5.80
0.0
0.0
0.0
0.17
0.18
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
I
OH
=
20
μ
A
高电平的输出
电压
V
OH
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
OH
=
6毫安
I
OH
=
7.8毫安
I
OL
=
20
μ
A
低电平输出
电压
V
OL
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
OL
=
6毫安
I
OL
=
7.8毫安
输入漏
当前
静态电源
当前
I
IN
I
CC
V
IN
=
V
CC
或GND
V
IN
=
15 V
V
IN
=
V
CC
或GND
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
V
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±
0.1
±
0.5
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±
1.0
±
5.0
μ
A
μ
A
V
1.0
10.0
AC特性
（输入：吨
r
=
t
f
=
6 NS ）
特征
符号
测试条件
C
L
（PF ）
t
TLH
t
THL
TA = 25°C
V
CC
(V)
2.0
民
Ta
=
4085 ℃下
最大
60
12
10
75
15
13
100
20
17
10
单位
典型值。
25
6
5
30
9
8
45
14
12
5
26
民
最大
75
15
13
95
19
16
145
29
25
10
输出转换时间
50
4.5
6.0
2.0
ns
50
传播延迟
时间
t
PLH
t
PHL
4.5
6.0
2.0
ns
150
4.5
6.0
输入电容
功耗
电容
C
IN
C
PD
pF
pF
（注）
注意：
C
PD
被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以由下式得到：
I
CC （ OPR ）
=
C
PD
·V
CC
·f
IN
+
I
CC
/ 6 （每门）
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2007-10-01
TC74HC4049,4050AP/AF/AFN/AFT
包装尺寸
重量：1.00克（典型值）。
5
2007-10-01
QQ：2880707522 复制
