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TC74HC40105AP/AF

东芝CMOS数字集成电路

硅单片

TC74HC40105AP,TC74HC40105AF

4位× 16字FIFO寄存器

该TC74HC40105A是一个高速CMOS 4位× 16字

先入先出（ FIFO ） Strage注册制硅

门

MOS技术。

它实现了高速操作，同时保持

CMOS的低功耗。

该设备能处理16 4位字，它是

可以处理不同的变速输入和输出数据

率。

当在DATA -IN- READY （DIR）为高电平时，数据被写入到

在此消彼长的高转换寄存器由低（ SI ）

输入。而当DATA- OUT- READY （DOR ）为高电平时，数据被读出

出寄存器由高向低过渡

移

OUT

(

）输入。

如果主复位（ MR）为高电平时， DIR变为高电平，

DOR变低。在内部寄存器中的数据不改变

但被宣布无效。

该TC74HC40105A可以级联，以形成较长的寄存器

或者更广泛的词。

数据输出型（QN ）是三态输出。当

产量

启用（

）保持高，尺寸Qn的是高

阻抗状态。

所有的输入都配备了防静电保护电路

解除或瞬态过电压。

TC74HC40105AP

TC74HC40105AF

重量

DIP16-P-300-2.54A

SOP16-P-300-1.27A

：1.00克（典型值）。

0.18克（典型值）。

特点

高速：F

最大

25 MHz（典型值）在V

5 V

低功耗：我

A（最大值）在Ta

25°C

高抗干扰性： V

美国国立卫生研究院

NIL

28% V

（分钟）

输出驱动能力： 10输入通道负载为DIR ， DOR

15输入通道负载为Q0到Q3

对称的输出阻抗： | I

4毫安（分钟）

为DIR ， DOR

6毫安（分钟）

为Q0到Q3

平衡传输延迟：吨

PLH

PHL

宽工作电压范围： V

（ OPR ）

2到6伏

2007-10-01

TC74HC40105AP/AF

引脚分配

IEC逻辑符号

系统框图

2007-10-01

TC74HC40105AP/AF

时序图

Z：高阻

框图

2007-10-01

TC74HC40105AP/AF

功能说明

(1)

写入数据

数据可以被写入到FIFO中，每当DIR是高和低到高的跳变发生在

SI引脚。

DIR将切换瞬间，直到数据已被转移到第二字寄存器。

SI必须切换下一个4位的字可以写之前。在第一和随后的话将

自动波及到该装置的输出端，即使没有输入数据的一个完整的16个字。

当所有16个字都充满了数据， DIR变低并附加数据不能被写入到

装置。

读数据

当一个数据字出现在十六的数据寄存器（只输出缓冲器之前）， DOR云

高，并且如果

为低电平时，数据可以被输出在高到低转换

留在寄存器中现在的数据涟漪到下一个更高的字位置打开第一

对于新的数据字位置上。 DIR变高和附加数据可以被写入期间的输出

数据， DOR每次读取后，切换瞬间。当数据寄存器变空， DOR云

低，

被忽略。

硕士休息

当高被输入到MR ，内部控制逻辑被初始化。这使得DIR去高

DOR变为低电平。的数据寄存器的内容不改变，但均无效，将被写入

当第一个字被加载了。

级联

该TC74HC40105A可以简单地通过连接第一的DOR被级联，以形成较长的寄存器

装置的所述第二装置的所述第二和DIR到SI

第一。其他设备可能

通过重复上述的级联。当然，所述第一设备的尺寸Qn输出必须连接到

所述第二的DN输入。

在这种模式下，经过电源电压接通时的MR脉冲必须应用。对于更广泛的词

超过400位来自各FIFO的DIR和DOR输出必须分别相与和SI和

输入必须在每个并联。

(2)

(3)

(4)

绝对最大额定值（注1 ）

特征

电源电压范围

直流输入电压

直流输出电压

输入二极管电流

输出二极管电流

直流输出电流

DC V

/接地电流

功耗

储存温度

（ DIR ， DOR ）

（ Q0到Q3 ）

符号

OUT

英镑

等级

0.5

7到

0.5

到V

0.5

到V

0.5

±20

±25

±35

±75

500 （ DIP ）（注2 ） / 180 （ SOP ）

150

单位

°C

注1 ：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或

甚至是破坏。

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著

即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对

最大额定值和经营范围。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注2： 500毫瓦Ta的范围

= 40

至65℃ 。来自TA

65 85 ℃的降额因子

毫瓦/°C的应

应用到300毫瓦。

2007-10-01

TC74HC40105AP/AF

工作范围（注）

特征

电源电压

输入电压

输出电压

工作温度

符号

OUT

OPR

等级

2至6个

0到V

01000 （Ⅴ

2.0 V)

输入上升和下降时间

, t

0到500 （Ⅴ

4.5 V)

0到400 （V

6.0 V)

单位

°C

注意：

必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。

未使用的输入必须连接到VCC或GND 。

电气特性

DC特性

测试条件

特征

符号

(V)

2.0

高级别输入

电压

4.5

6.0

2.0

低电平输入

电压

4.5

6.0

2.0

或V

高电平的输出

电压

（ DIR

DOR ）

（ Q0到

Q3)

= 20 μA

= 4

= 5.2

= 6

= 7.8

μA

4毫安

5.2毫安

6毫安

7.8毫安

4.5

6.0

4.5

6.0

4.5

6.0

2.0

或V

低电平输出

电压

（ DIR

DOR ）

（ Q0到

Q3)

三态输出

FF-态电流

输入漏

当前

静态电源

当前

或V

OUT

或GND

4.5

6.0

4.5

6.0

4.5

6.0

民

1.50

3.15

4.20

1.9

4.4

5.9

4.18

5.68

4.18

5.68

25°C

典型值。

2.0

4.5

6.0

4.31

5.80

4.31

5.80

0.0

0.17

0.18

0.17

0.18

最大

0.50

1.35

1.80

0.1

0.26

±0.5

±0.1

4.0

= 40

85°C

民

1.50

3.15

4.20

1.9

4.4

5.9

4.13

5.63

4.13

5.63

最大

0.50

1.35

1.80

0.1

0.33

±5.0

±1.0

40.0

μA

单位

2007-10-01

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