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TC74HC367,368AP/AF/AFN
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HC367AP,TC74HC367AF,TC74HC367AFN
TC74HC368AP,TC74HC368AF,TC74HC368AFN
HEX总线缓冲器
TC74HC367AP/AF/AFN
TC74HC368AP/AF/AFN
非倒
(3-state)
反相（三态）
注意： xxxFN （JEDEC SOP）不在可用
日本。
TC74HC367AP ， TC74HC368AP
该TC74HC367A和TC74HC368A是高速CMOS
三态总线缓冲器制造与硅栅
2
MOS
技术。
它们实现类似于等效的高速操作
输入通道，同时保持CMOS低功耗。
它们包含6缓冲区;四个缓冲器是由一个控制
使能输入（
G1
） ，另两个缓冲器是由控制
另一个使能输入（
G2
） 。每个缓冲器组的输出是
当启用
G1
和/或
G2
输入保持为低电平;如果举高，
这些输出是在高阻抗状态。
该TC74HC367A是一个非反相输出型，而
TC74HC368A是反相输出型。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
TC74HC367AF ， TC74HC368AF
特点
高速：吨
pd
=
11 ns（典型值），在V
CC
=
5 V
低功耗：我
CC
=
4
μA
（最大值）在Ta
=
25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
=
V
NIL
= 28% V
CC
（分钟）
输出驱动能力： 15输入通道负载
对称的输出阻抗： | I
OH
|
=
I
OL
=
6毫安
平衡传输延迟：吨
PLH
t
PHL
宽工作电压范围： V
CC
（ OPR ）
=
2到6伏
引脚和功能与74LS367 / 368兼容
TC74HC367AFN ， TC74HC368AFN
重量
DIP16-P-300-2.54A
SOP16-P-300-1.27A
SOL16-P-150-1.27
：1.00克（典型值）。
0.18克（典型值）。
0.13克（典型值）。
1
2007-10-01
TC74HC367,368AP/AF/AFN
引脚分配
TC74HC367A
TC74HC368A
IEC逻辑符号
TC74HC367A
TC74HC368A
真值表
输入
输出
G
L
L
H
An
L
H
X
Y（ 367A ）
L
H
Z
Y（ 368A ）
H
L
Z
X ：无关
Z：高阻
2
2007-10-01
TC74HC367,368AP/AF/AFN
绝对最大额定值（注1 ）
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5-7
0.5 V
CC
+
0.5
0.5 V
CC
+
0.5
±
20
±
20
±
35
±
75
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
500 （ DIP ） （注2 ） / 180 （ SOP ）
65 150
注1 ：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注2： 500毫瓦Ta的范围
= 40
至65℃ 。来自TA
=
65 85 ℃的降额因子
10
毫瓦/°C的应
应用到300毫瓦。
工作范围（注）
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
等级
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
4085
单位
V
V
V
°C
01000 （Ⅴ
CC
=
2.0 V)
输入上升和下降时间
t
r
, t
f
0到500 （Ⅴ
CC
=
4.5 V)
0到400 （V
CC
=
6.0 V)
ns
注意：
必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
3
2007-10-01
TC74HC367,368AP/AF/AFN
电气特性
DC特性
测试条件
特征
符号
V
CC
(V)
2.0
高级别输入
电压
V
IH
Ta
=
25°C
民
1.50
3.15
4.20
Ta
=
4085 ℃下
最大
单位
典型值。
民
1.50
3.15
4.20
最大
4.5
6.0
2.0
V
0.50
1.35
1.80
0.50
1.35
1.80
低电平输入
电压
V
IL
4.5
6.0
2.0
V
1.9
4.4
5.9
4.18
5.68
2.0
4.5
6.0
4.31
5.80
0.0
0.0
0.0
0.17
0.18
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
高电平的输出
电压
V
OH
V
IN
=
V
IH
or
V
IL
I
OH
=
20
μ
A
I
OH
=
6毫安
I
OH
=
7.8毫安
I
OL
=
20
μ
A
I
OL
=
6毫安
I
OL
=
7.8毫安
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
V
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±
0.5
±
0.1
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±
5.0
±
1.0
μ
A
μ
A
μ
A
低电平输出
电压
V
OL
V
IN
=
V
IH
or
V
I L
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
V
三态输出
FF-态电流
输入漏
当前
静态电源
当前
I
OZ
I
IN
I
CC
V
IN
=
V
IH
或V
IL
V
OUT
=
V
CC
或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
4.0
40.0
4
2007-10-01
TC74HC367,368AP/AF/AFN
AC特性
（输入：吨
r
=
t
f
=
6 NS ）
测试条件
特征
符号
CL
（PF ）
Ta
=
25°C
V
CC
(V)
2.0
50
4.5
6.0
2.0
50
4.5
6.0
2.0
民
Ta
=
4085 ℃下
最大
60
12
10
95
19
16
130
26
22
120
24
20
160
32
27
120
24
20
10
单位
典型值。
25
7
6
36
12
10
40
16
14
36
12
10
40
16
14
35
15
13
5
10
36
30
民
最大
75
15
13
120
24
20
165
33
28
150
30
26
200
40
34
150
30
26
10
输出转换时间
t
TLH
t
THL
ns
传播延迟
时间
t
PLH
t
PHL
ns
150
4.5
6.0
2.0
50
输出使能时间
t
PZL
t
PZH
R
L
=
1 k
Ω
150
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
ns
输出禁止时间
t
PLZ
t
PHZ
C
IN
C
OUT
C
PD
2.0
R
L
=
1 k
Ω
50
4.5
6.0
ns
输入电容
输出电容
功耗
电容
pF
pF
pF
TC74HC367A
（注） TC74HC368A
注意：
C
PD
被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以由下式得到：
I
CC
（ OPR ）
=
C
PD
½V
CC
½f
IN
+
I
CC
/ 6（每比特）
5
2007-10-01
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