TC74HC299AP/AF
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HC299AP
,
TC74HC299AF
8位PIPO移位寄存器异步清零
该TC74HC299A是一个高速CMOS 8位PIPO SHIFT
REGISTER制造与硅栅
2
MOS技术。
它实现了类似于等效的高速操作
输入通道，同时保持CMOS低功耗。
它拥有四种模式（ HOLD ，左移，右移并
LOAD DATA ）由两个选择输入（ S0，S1 ）控制的。
当一个或两个使能（
G1
,
G2
）高，八个I / O
输出被强制为高阻抗状态;不过，
顺序操作或寄存器的信息交换也不受影响。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
TC74HC299AP
TC74HC299AF
产品特点（注1 ） （注2 ）
高速：F
最大
=
42 MHz（典型值）在V
CC
=
5 V
低功耗：我
CC
=
4
μA
（最大值）在Ta
=
25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
=
V
NIL
=
28% V
CC
（分钟）
输出驱动能力的
： 15输入通道负载的QA到QH
10输入通道负载的质量保证“ ， QH ”
对称的输出阻抗
: |I
OH
|
=
I
OL
=
6毫安（分钟）为QA到QH
|I
OH
|
=
I
OL
=
4毫安（分钟）为QA ' ， QH “
平衡传输延迟：吨
PLH
t
PHL
宽工作电压范围： V
CC
（ OPR ）
=
2到6伏
引脚和功能与74LS299兼容
注1 ：信号不适用任何巴士总站时，它在输出模式。可能会造成的损害。
注2 ：所有浮动（高阻抗）总线端子必须有自己的输入电平固定的方式拉或下拉
下拉电阻。
重量
DlP20-P-300-2.54A
SOP20-P-300-1.27A
：1.30克（典型值）。
0.22克（典型值）。
引脚分配
1
2007-10-01
TC74HC299AP/AF
IEC逻辑符号
真值表
输入
模式
CLR
输入
/输出
时钟
串行
输出
功能
SELECT
S1
S0
输出
控制
G1
（注）
X
L
L
L
L
L
L
L
X
G2
（注）
X
L
L
L
L
L
L
L
X
A / QA
CK
X
X
X
X
SL
X
X
X
X
X
X
H
L
X
SR
X
X
X
X
H
L
X
X
X
Z
L
L
QA0
H
L
QBN
QBN
a
H / QH
QA¤
QH “
Z
CLR
HOLD
移
右
移
左
负载
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
L
X
L
L
L
H
H
H
H
X
L
L
H
H
L
L
H
Z
L
L
QH0
QGN
QGN
H
L
h
L
L
L
QA0
H
L
QBN
QBN
a
L
L
L
QH0
QGN
QGN
H
L
h
注意：
当一个或两个输出控制是高，这八个输入/输出端子均处于高阻抗状态;
不过顺序的或寄存器清零不受影响。
Z：高阻
Qn0 ：建立尺寸Qn的表示稳态输入条件之前的水平。
量子神经网络：尺寸Qn所表示最近积极转型前的水平
↓
or
↑.
A，H ：稳态输入A的，分别为水平，H 。
X：不关心。
2
2007-10-01
TC74HC299AP/AF
绝对最大额定值（注1 ）
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
（ QH ' ）
（ QA到QH ）
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5-7
0.5 V
CC
+
0.5
0.5 V
CC
+
0.5
±
20
±
20
±
25
±
35
±
75
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
500 （ DIP ） （注2 ） / 180 （ SOP ）
65 150
注1 ：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注2： 500毫瓦Ta的范围
= 40
至65℃ 。来自TA
=
65 85 ℃的降额因子
10
毫瓦/°C的应
应用到300毫瓦。
工作范围（注）
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
等级
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
4085
单位
V
V
V
°C
01000 （Ⅴ
CC
=
2.0 V)
输入上升和下降时间
t
r
, t
f
0到500 （Ⅴ
CC
=
4.5 V)
0到400 （V
CC
=
6.0 V)
ns
注意：
必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
4
2007-10-01
TC74HC299AP/AF
東芝
CMOS
デジタル集積回路 シリコン モノリシック
TC74HC299AP,TC74HC299AF
8位PIPO移位寄存器异步清零
TC74HC299A
は、シリコンゲート
CMOS
技術を用いた高速
CMOS 8
ビットパラレルイン、パラレルアウトシフトレジスタです。
CMOS
の特長である½い消費電流で
LSTTL
に匹敵する高速動½を
実現できます。 個のファンクョンセレクト入力
(S0, S1)
により、
2
ホールド、シフトレフト、シフトライト、ロードデータの
4
種類の
モードを選択できます。また、2 個のアウトプットコントロール入力
(
G1
,
G2
)
の一方または両方を
H
レベルにすることにより、
内部レ
ジスタに½響を与えることなく
8
個のインプット/アウトプット端子
を高インピーダンスにできるため、バスラインとのインタフェース
に最適です。クリア端子
(
CLR
)
を
“L”
にすると、クロックに非同
期でカウンタがリセットされます。
また、すべての入力には、静電破壊から素子を保護するためにダ
イオードが付加されています。
TC74HC299AP
TC74HC299AF
特
長
高速動½
½消費電流
高雑音½裕度
高ファンアウト
: f
最大
= 42兆赫（标准） （V
CC
= 5 V)
: I
CC
= 4
A
（最大时）（Ta = 25 ° C）
: V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
(最小)
： 15 LSTTL
個を直接駆動可½
对于QA QH
出力
： 10 LSTTL
個を直接駆動可½
对于QA ' ， QH “
出力
対称出力インピーダンス
: |I
OH
| = I
OL
= 6 MA（最小）
对于QA QH
出力
: |I
OH
| = I
OL
= 4 MA（最小）
对于QA ' ， QH “
出力
バランスのとれた遅延時間
: t
PLH
t
PHL
: V
CC
（ OPR ） = 2 6 V
输入通道（ 74LS299 ）
と同一ピン接続、同一ファンクション
広い動½電圧範囲
注
1:
バス端子が出力モード時には、
外部より信号を与えないで
ください。
バス端子がフローティング
(高インピーダンス状態)
のと
きには、外部抵抗による入力レベルの固定が必要です。
質量
DIP20 -P - 300-2.54A ：1.30克（标准）
SOP20 -P - 300-1.27A 0.22克（标准）
SOP20 -P - 300-1.27 0.22克（标准）
ピン接続図
1
2004-12-10
TC74HC299AP/AF
最大定格
項
電
入
出
源
力
力
目
電
電
電
圧
圧
圧
記 号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
定
格
単½
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
0.5~7
0.5~V
CC
+
0.5
0.5~V
CC
+
0.5
±20
±20
±25
±35
±75
500 （ DIP ） （注4 ） / 180 （ SOP ）
65150
入 力 保 護 ダ イ オ ー ド 電 流
出 力 寄 生 ダ イ オ ー ド 電 流
出
電
許
保
源
力
/
容
存
電
G
N
流
D
損
温
(Q
A
’, Q
H
’)
(Q
A
~Q
H
)
電
流
失
度
注
4:
Ta
= 40~65°C
まで、500
mW.Ta
=
65~85°C
の範囲では10
毫瓦/°C的
で、300
mW
までディレーティングし
てください。
推奨動½条件
項
電
入
出
動
源
力
力
½
目
電
電
電
温
圧
圧
圧
度
記 号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
定
2~6
0~V
CC
0~V
CC
40~85
0~1000 (V
CC
=
2.0 V)
入
力 上
昇 、 下
降 時
間
t
r
, t
f
0~500 (V
CC
=
4.5 V)
0~400 (V
CC
=
6.0 V)
ns
格
単½
V
V
V
°C
4
2004-12-10
QQ：2881677436 复制
