TC74HC112AP/AF/AFN
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HC112AP,TC74HC112AF,TC74HC112AFN
双J- K双稳态触发器与预置和清除
该TC74HC112A是一个高速CMOS双J- K双稳态
FLOP制造与硅栅
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MOS技术。
它实现了类似于等效的高速操作
输入通道，同时保持CMOS低功耗。
按照逻辑电平施加到J和K
输入，输出的负向跳变发生变化的状态
的时钟脉冲。
CLR
和
PR
是独立的时钟和被活化
通过对相应的输入为低逻辑电平。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
注意： xxxFN （JEDEC SOP）不在可用
日本。
TC74HC112AP
TC74HC112AF
特点
高速：F
最大
= 67 MHz（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 2
μA
（最大）在TA = 25℃
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
（分钟）
输出驱动能力： 10输入通道负载
对称的输出阻抗： | I
OH
| = I
OL
= 4 MA（ MIN ）
平衡传输延迟：吨
PLH
t
PHL
宽工作电压范围： V
CC
（OPR ）= 2到6伏
引脚和功能与74LS112兼容
TC74HC112AFN
引脚分配
重量
DIP16-P-300-2.54A
SOP16-P-300-1.27A
SOL16-P-150-1.27
：1.00克（典型值）。
0.18克（典型值）。
0.13克（典型值）。
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2007-10-01
TC74HC112AP/AF/AFN
绝对最大额定值（注1 ）
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5-7
0.5 V
CC
+
0.5
0.5 V
CC
+
0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
500 （ DIP ） （注2 ） / 180 （ SOP ）
65 150
注1 ：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注2： 500毫瓦Ta的范围
= 40
至65℃ 。来自TA
=
65 85 ℃的降额因子
10
毫瓦/°C的应
应用到300毫瓦。
工作范围（注）
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
等级
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
4085
单位
V
V
V
°C
01000 （Ⅴ
CC
=
2.0 V)
输入上升和下降时间
t
r
, t
f
0到500 （Ⅴ
CC
=
4.5 V)
0到400 （V
CC
=
6.0 V)
ns
注意：
必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
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2007-10-01
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