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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第589页 > TC682CPA
TC682
反相电压倍增
产品特点:
99.9%的电压转换效率
92%的电源转换效率
宽输入电压范围:
- + 2.4V至+ 5.5V
只有3个外部电容要求
185
μA
电源电流
节省空间的8引脚SOIC和8引脚PDIP
套餐
概述:
在TC682是CMOS电荷泵转换器,其
提供了从单个的反相输出翻倍
正电源。板载12千赫(典型值)的振荡器
提供时钟,只有3个外部电容
要求全电路实现。
低输出源阻抗(通常为140 )
提供的输出电流高达10 mA的电流。该TC682为特色的
Tures的低静态电流和高效率,使
它用于多种应用的理想选择是
需要从单一来源的负电压
正电源(例如:产生-6V的从一个
3V锂电池,或-10V从+ 5V逻辑产生
供应) 。
最少的外部元件数和小的物理
在TC682的尺寸使得它在许多中等有用
目前,双电压模拟电源。
应用范围:
从-10V + 5V逻辑电源
-6V从单一3V锂电池
便携式测量仪器
手机
LCD偏置发生器
面板表
运算放大器电源
功能框图
V
IN
+ 2.4V < V
IN
& LT ; + 5.5V
器件选型表
部分
TC682COA
TC682CPA
TC682EOA
TC682EPA
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
操作
温度。
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
V
IN
C
1
+
C
1
+
C
1
TC682
C
2
+
C
2
+
C
2
V
OUT
GND
+
GND
全部大写= 3.3
μF
V
OUT
= - ( 2× V
IN
)
V
OUT
C
OUT
套餐类型
8引脚PDIP
C
1
– 1
C
2
+ 2
C
2
– 3
V
OUT
4
TC682CPA
TC682EPA
8
7
6
5
NC
C
1
+
V
IN
GND
C
1
C
2
+
C
2
V
OUT
1
2
3
4
TC682COA
TC682EOA
8引脚SOIC
8
7
6
5
NC
C
1
+
V
IN
GND
2006年Microchip的科技公司
DS21453C第1页
TC682
1.0
电动
特征
*条件超过上述“绝对在列
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
V
IN
.......................................................................+5.8V
V
IN
dv / dt的............................................... ......... 1V / sec
V
OUT
...................................................................-11.6V
短路持续时间 - V
OUT
.....................连续
功率耗散(T
A
70°C)
8引脚PDIP .............................................. 730毫瓦
8引脚SOIC .............................................. 470毫瓦
工作温度范围.............- 40 ° C至+ 85°C
存储温度(偏) .......- 65 ° C至+ 150°C
TC682电气规范
电气特性:
在工作温度范围内,V
IN
= + 5V,测试电路图3-1 ,除非另有说明。
符号
V
IN
I
IN
R
OUT
参数
电源电压范围
电源电流
V
OUT
源电阻
2.4
90
99
典型值
185
140
170
12
92
99.9
最大
5.5
300
400
180
230
320
单位
V
μA
Ω
测试条件
R
L
= 2 kΩ
R
L
=
∞,
T
A
= 25°C
R
L
=
I
L–
= 10毫安,T
A
= 25°C
I
L–
= 10毫安
I
L–
= 5毫安, V
IN
= 2.8V
R
L
= 2 kΩ的,T
A
= 25°C
V
OUT
, R
L
=
F
OSC
P
EFF
V
OutEff
振荡器频率
功率英法fi效率
电压转换效率
千赫
%
%
DS21453C第2页
2006年Microchip的科技公司
TC682
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1:
PIN号
( 8引脚PDIP ,
SOIC )
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚功能表
符号
C1–
C2+
C2–
V
OUT
GND
V
IN
C1+
NC
描述
输入。电容C1的负端。
输入。电容器C2的正端。
输入。电容器C2的负端。
输出。负输出电压( -2V
IN
).
输入。地面上。
输入。电源电压。
输入。电容C1正端。
无连接。
2006年Microchip的科技公司
DS21453C第3页
TC682
3.0
V
IN
(+5V)
+
7
1
2
3
C
1
+
C
1
详细说明
+5V
6
V
IN
SW1
+
C
1
SW2
V–
OUT
+
C
OUT
R
L
SW3
+
SW4
-10V
V
OUT
C
2
+
C
3
C
1
TC682
C
2
+
C
2
5
V
OUT
4
GND
C
2
+
图3-3:
电荷泵 - 第2期
GND
全部大写= 3.3
μF
3.3
最大工作极限
图3-1:
TC682测试电路
3.1
第1阶段
V
SS
电荷存储 - 时钟的这个阶段之前,
周期,电容C
1
已经收取到+ 5V 。
1+
is
然后切换到地,并在C中的电荷
1–
is
转移到C
2–
。由于C
2+
为+ 5V ,该电压
电容器C两端的潜力
2
现在是-10V 。
V
IN
= +5V
在TC682具有片内齐纳二极管钳位V
IN
到约5.8V ,而V
OUT
为-11.6V 。从来没有
超过最大电源电压或过度
电流会通过这些二极管被短路,有可能
损坏芯片。该TC682将工作在
整个工作温度范围内具有一个输入
电压2V至5.5V 。
3.4
效率方面的考虑
理论上一个电荷泵倍压器能
接近100 %的效率下下
条件:
电荷泵开关已经几乎没有偏移
和极低的导通电阻。
最小功率由驱动电路消耗。
水库和泵的阻抗
电容是可以忽略不计。
为TC682 ,效率是如下所示:
电压效率= V
OUT
/ (-2V
IN
)
V
OUT
= -2V
IN
+ V
V
= (I
OUT
) (R
OUT
)
功率损耗
= I
OUT
(V
)
会有之间足够的电压差
V
OUT
和-2V
IN
如果泵电容的阻抗
1
和C
2
高相对于它们各自的
输出负载。
水库电容C的值越大,
3
将减少
输出纹波。泵和水库的值越大,
电容提高了工作效率。看
第4.2节
“电容的选择”
“电容的选择” 。
SW1
+
+
C
1
SW2
-5V
SW3
C
2
SW4
+
V
OUT
C
3
图3-2:
电荷泵 - 阶段1
3.2
第2阶段
V
SS
转让 - 时钟的第二阶段连接neg-
的C ative端
2
水库的负面影响
电容C
3
和C的正极端子
2
到了地面,
生成-10V转移到C
3
。同时,
电容C的正极
1
切换为+ 5V和
负端连接到地。
2
然后
切换为V
CC
与GND和第1阶段重新开始。
DS21453C第4页
2006年Microchip的科技公司
TC682
4.0
4.1
典型应用
负倍增器
输出电压纹波由C3的影响。通常情况下,
C3的值越大越少的脉动对于给定的负载
电流。式为
P-P
V
纹波
以下给出的是
V
纹波
= {1/[2(f
X -C 3) 〕+ 2 (ESR
C3
)} (I
OUT
)
对于一个10
μF
( 0.5 ESR)电容C3 ,女
= 10
kHz和我
OUT
= 10毫安峰 - 峰值纹波电压
在输出端将是小于60毫伏。在大多数
应用程序(我
OUT
< = 10 mA)的10-20
μF
电容和
1-5
μF
泵电容就足够了。表4-2显示
V
纹波
对于C3的不同的值(假定1 ESR) 。
在TC682中最常见的应用是作为一个
电荷泵电压转换器,它提供了一个
的2倍的正输入电压的负输出
(图4-1 ) 。
+
C
1
22
μF
1
C
1
C
1
+ 7
表4-1:
TC682
6
5
GND
+
C
3
22
μF
V–
OUT
C
2
+
2 C +
2
22
μF
3 C –
2
4
V–
OUT
输出电阻
VS. C1,C2
R
OUT
(Ω)
4085
2084
510
285
145
125
105
94
87
V
IN
GND
V
IN
C1,C2 (μF)
0.05
0.10
0.47
1.00
3.30
5.00
10.00
22.00
100.00
图4-1:
反相电压倍增
4.2
电容的选择
在TC682的输出电阻被确定时,在
部,由所使用的电容器的ESR 。表达式
对于R
OUT
导出如下所示:
R
OUT
= 2(R
SW1
+ R
SW2
+ ESR
C1
+ R
SW3
+ R
SW4
+ ESR
C2
)
+2(R
SW1
+ R
SW2
+ ESR
C1
+ R
SW3
+ R
SW4
+ ESR
C2
)
+1/(f
X C 1 )+ 1 / (六
X C2 )
+ ESR
C3
表4-2 :
C3( μF)
0.50
1.00
3.30
5.00
10.00
22.00
100.00
V
纹波
峰 - 峰值
VS. C3 (我
OUT
10mA)
V
纹波
(毫伏)
1020
520
172
120
70
43
25
假设所有的开关电阻大约
等于:
R
OUT
= 16R
SW
+ 4ESR
C1
+ 4ESR
C2
+ ESR
C3
+1/(f
X C 1 )+ 1 / (六
X C2 )
R
OUT
通常140在+ 25°C与V
IN
= + 5V和3.3
μF
低ESR电容。固定期限( 16R
SW
)是
关于80-90 。它可以很容易地看出,增加或
减小C1和C2的值会影响效率
R的变化
OUT
。不过,要小心的ESR。这
短期可以很快成为占主导地位的大型电 -
裂解电容。表4-1显示为R
OUT
各种
C1和C2的值(假定0.5 ESR) 。 C1必须
额定电压为6VDC或更大,而C2和C3必须
额定电压为12VDC或更大。
2006年Microchip的科技公司
DS21453C第5页
评价
KIT
可用的
1
TC682
反相电压倍增
特点
s
s
s
s
s
s
99.9%的电压转换效率
92%的电源转换效率
宽输入电压范围............... + 2.4V至+ 5.5V
只需要3外部电容
185
供电电流
节省空间的8引脚SOIC和8引脚塑料DIP
套餐
概述
在TC682是CMOS电荷泵转换器,其
提供了从单个正反相输出翻倍
供应量。板载12kHz的(典型值)的振荡器提供
时钟和只有3外部电容需要充分
电路实现。
低输出源阻抗(通常为140Ω ) ,亲
志愿组织输出电流高达10mA 。该TC682具有低
静态电流和高效率,使其成为理想的
对于各种各样的应用,需要一个选择
从一个正电源衍生负电压(
例如:代 - 6V从3V锂电池或 - 10V
从+ 5V逻辑电源产生的) 。
最少的外部元件数和小的物理
在TC682的尺寸使得它在许多中等电流是有用的,
双电压模拟电源。
2
3
4
5
6
7
8
7
NC
C1+
VIN
GND
TC682-2 96年8月21日
应用
s
s
s
s
s
s
s
- 从10V + 5V逻辑电源
- 从单3V锂电池6V
便携式测量仪器
手机
LCD偏置发生器
面板表
运算放大器电源
订购信息
产品型号
TC682COA
TC682CPA
TC682EOA
TC682EPA
TC7660EV
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
评估板
电荷泵家庭
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
典型工作电路
VIN
+ 2.4V < < VIN + 5.5V
销刀豆网络gurations
C1+
C1–
C2+
C2–
TC682
VOUT
GND
VOUT = - (2× VIN)
VOUT
+
COUT
C1– 1
C2+ 2
C2– 3
VOUT
4
TC682COA
TC682EOA
VIN
C1–
C2+
C2–
VOUT
1
2
3
4
8引脚DIP
8
7
TC682CPA
TC682EPA
6
5
NC
C1+
VIN
GND
+
C1
+
C2
8引脚SOIC
GND
全部大写= 3.3
F
6
5
8
4-21
TELCOM半导体,INC。的
反相电压倍增
TC682
绝对最大额定值*
V
IN
.......................................................................... +5.8V
V
IN
dv / dt的............................................... .............. 1V /微秒
V
OUT
......................................................................– 11.6V
V
OUT
短路持续时间连续............................
功率耗散(T
A
70°C)
塑料DIP ................................................ ........... 730mW
SOIC ................................................. .............. 470mW
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) ................. + 300℃
*这是一个额定值,器件在这些功能操作
或高于任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
电气特性:
在工作温度范围内,V
IN
= + 5V ,测试电路如图1所示,
除非另有说明。
符号
V
IN
I
IN
R
OUT
参数
电源电压范围
电源电流
V
OUT
源电阻
源电阻
振荡器频率
功率英法fi效率
电压转换效率
测试条件
R
L
= 2k
R
L
=
∞,
T
A
= 25°C
R
L
=
I
L
= 10毫安,T
A
= 25°C
I
L
= 10毫安
I
L
= 5毫安,V
IN
= 2.8V
R
L
=为2kΩ ,T
A
= 25°C
V
OUT
, R
L
=
2.4
90
99
典型值
185
140
170
12
92
99.9
最大
5.5
300
400
180
230
320
单位
V
A
F
OSC
P
EFF
V
OUT
E
FF
千赫
%
%
Telcom公司半导体公司保留在任何时间详见本手册,恕不另行通知,在电路改变或规格的权利。最小值
和最大值的保证。所有其他规范的目的是作为唯一的指导方针。 Telcom公司半导体公司对使用任何责任
本文所述的任何电路和不作任何陈述,他们是不受专利侵权。
引脚说明
PIN号
8引脚DIP / SOIC符号说明
1
2
3
4
5
6
7
8
C
1
+
C
2
C
2
VIN
(+5V)
7
1
2
3
C1+
C1–
6
VIN
+
C1
V
OUT
GND
V
IN
+
C
1
N / C
输入。电容C1的负
终奌站。
输入。电容C2正
终奌站。
输入。电容C2的负
终奌站
输出。负输出电压
(– 2V
IN
)
输入。设备接地。
输入。电源电压。
输入。电容C1正
终奌站
无连接
TC682
+
C2
C2+
C2–
V OUT
GND
5
GND
4
C
+ OUT
RL
VOUT
全部大写= 3.3
F
图1. TC682测试电路
4-22
TELCOM半导体,INC。的
反相电压倍增
1
TC682
效率方面的考虑
理论上一个电荷泵倍压器能
接近在下列条件下100 %的效率:
电荷泵开关已经几乎没有偏移
和极低的导通电阻。
最小功率由驱动电路消耗
水库和水泵电容器的阻抗
器是可以忽略不计。
为TC682 ,效率是如下所示:
详细说明
第1阶段
V
SS
电荷存储 - 时钟的这个阶段之前,
+
周期,电容C
1
已经收取到+ 5V 。
1
然后
切换到地面,并在C中的电荷
1
被转移至C
2
+
。由于C
2
为+ 5V,在电容器上的电压电势
C
2
现在是-10V 。
V
IN
= +5V
2
3
4
5
6
SW1
+
+
C
1
SW2
–5V
SW3
C
2
SW4
+
V
OUT
C
3
电压效率= V
OUT
/ (– 2V
IN
)
V
OUT
= – 2V
IN
+ V
V
= (I
OUT
) (R
OUT
)
功率损耗
V
OUT
= I
OUT
(V
)
图2.电荷泵 - 阶段1
第2阶段
V
SS
转让 - 时钟的第二阶段连接
的C负极
2
水库的负面影响
电容C
3
和C的正极端子
2
到了地面,
将生成的 - 10V至C
3
。同时,该
电容C的积极的一面
1
被切换至+ 5V和
负端连接到地。
2
然后,切换到
V
CC
与GND和第1阶段重新开始。
+5V
会有之间足够的电压差
2 V
IN
如果泵电容器的阻抗
C
1
和C
2
高相对于它们各自的输出
负载。
水库电容C的值越大,
3
将减少
输出纹波。泵和水库的值越大,
电容提高了工作效率。见"Capacitor Selec-
tion"的应用部分。
应用
负倍增器
在TC682中最常见的应用是作为一个
电荷泵电压转换器,它提供了一个负
输出的2倍的正输入电压(图4) 。
SW1
+
C
1
SW2
+
SW3
V
OUT
C
2
+
–10V
C
2
22F
3 C –
2
4
SW4
C
3
C
1
22F
1
C
1
C
1
+ 7
2 C +
2
TC682
V
IN
GND
图3.电荷泵 - 第2期
6
5
V
IN
GND
C
3
22F
V
OUT
7
最大工作极限
在TC682具有片内齐纳二极管钳位V
IN
to
大约5.8V ,而V
OUT
到 - 11.6V 。从来没有超过
最大电源电压或过电流将被分流
通过这些二极管,有可能损坏晶片。该TC682
将工作在整个工作温度范围内具有
2V的输入电压到5.5V 。
TELCOM半导体,INC。的
V
OUT
图4.反相电压倍增
4-23
8
反相电压倍增
TC682
电容的选择
在TC682的输出电阻被确定时,在
部,由所使用的电容器的ESR 。为表达
R
OUT
导出如下所示:
R
OUT
= 2(R
SW1
+ R
SW2
+ ESR
C1
+ R
SW3
+ R
SW4
+ ESR
C2
)
+2(R
SW1
+ R
SW2
+ ESR
C1
+ R
SW3
+ R
SW4
+ ESR
C2
)
+1/(f
X C 1 )+ 1 / (六
X C2 )
+ ESR
C3
假设所有的开关电阻大约
等于...
R
OUT
= 16R
SW
+ 4ESR
C1
+ 4ESR
C2
+ ESR
C3
+1/(f
X C 1 )+ 1 / (六
X C2 )
R
OUT
通常140在+ 25°C与V
IN
= + 5V和
3.3μF的低ESR电容。固定期限( 16R
SW
)为约
80-90Ω 。它可以很容易地看出,增加或减少
C1和C2的值会影响效率由R的变化
OUT
.
不过,要小心的ESR。这个词可以快速
成为占主导地位的大电解电容。表1
显示为R
OUT
C1和C2的各种值(假设为0.5Ω
ESR ) 。 C1的额定电压为6V直流或更高,而C2和C3
必须在额定电压为12VDC或更高。
输出电压纹波由C3的影响。通常情况下,
C3的值越大越少的脉动对于给定的负载
电流。式为
P-P
V
纹波
以下给出的是
V
纹波
= {1/[2(f
X -C 3) 〕+ 2 (ESR
C3
)} (I
OUT
)
对于一个10μF ( 0.5Ω ESR)电容C3 ,女
= 10kHz的
OUT
= 10毫安处的峰 - 峰值纹波电压
输出将小于60mV的。在大多数应用中(我
OUT
& LT ;
= 10毫安)一10-20μF电容和1-5μF泵电容
就足够了。表2示出了V
纹波
对于C3的不同值
(假设1Ω ESR ) 。
表1。R
OUT
VS. C1,C2
C1, C2 (
F)
0.05
0.10
0.47
1.00
3.30
5.00
10.00
22.00
100.00
表2. V
纹波
峰峰与C3 (我
OUT
= 10毫安)
C3 (
F)
0.50
1.00
3.30
5.00
10.00
22.00
100.00
V
纹波
(毫伏)
1020
520
172
120
70
43
25
并联设备
并联多个TC682s降低输出电阻
tance转换器。有效输出电阻是
单个设备的数量除以输出电阻
的设备。如图5所示,每个需要单独
泵用电容器C
1
和C
2
的,但所有可以共享一个
储能电容。
-5V稳压电源从单
3V电池
图6示出 - 使用一个3V 5V电源
电池。该TC682提供 - 6V在V
OUT
,这是稳压
由负LDO 5V - 迟来来。输入到TC682
可以从3V变化到5.5V ,而不会影响监管appre-
ciably 。甲TC54装置被连接到所述电池,以检测
欠压。本机设置为检测在2.7V 。具有较高的
输入电压时,更大的电流可以从输出绘制
的TC682 。与5V的V
IN
, 10毫安可以从绘制
稳压输出。假设为150Ω源内阻
转换器,与我
L
= 10毫安,电荷泵将下垂1.5V 。
R
OUT
(
)
4085
2084
510
285
145
125
105
94
87
4-24
TELCOM半导体,INC。的
反相电压倍增
1
TC682
V
IN
2
+
10F
C
1
+
C
1
V
IN
10F
C
1
+
+
C
1
V
IN
TC682
+
10F
C
2
GND
C+
2
TC682
V
OUT
+
10F
C+
2
C
2
V
OUT
GND
供应
+
C
OUT
22F
3
4
GND
图5.并联TC682降低了输出的源电阻
5
+
10F
+
3V
+
10F
C
1
C+
2
+
C
1
V
IN
TC682
V
SS
V
OUT
GND
22F
+ C
OUT
+
V
OUT
1F
6
-5供应
C
2
V
IN
负LDO
调节器
TC54VC2702Exx
V
IN
V
SS
V
OUT
LOW BATTERY
7
从3V电池如图6负电源派生
8
4-25
TELCOM半导体,INC。的
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