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评价
KIT
可用的
1
TC660
百毫安充电泵DC- TO- DC电压转换器
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
引脚兼容TC7660
高输出电流..................................... 100毫安
转换( + 1.5V至5.5V )至( - 1.5V到 - 5.5V )
电源效率@ 100毫安......................... 88 % (典型值)
低功耗................ 200
A @ 5 V
IN
低成本和易于使用
只需要两个外部电容器 -
选择的振荡器频率10kHz的....... / 90KHz的
ESD保护................................................ ...为4kV
概述
在TC660的DC- DC电压转换器产生一
负电压源,即能够支持100毫安马克西
最大负载,在1.5V的正电压输入至5.5V 。只
两个外部电容器。
电源电压被存储在一个非专用
电容器然后翻转并传输到一个输出reser-
案中案电容。板载振荡器一般运行在一
10kHz的带V的频率
+
在5V 。这个频率可以是
通过加入来自OSC的外部电容的降低
(引脚7)到地,或通过连接升温至90KHz的
频率控制引脚( FC )与V
+
中,为了优化电容
符大小,静态电流和输出电压纹波
频率。使用1.5V之间的输入电压工作
3.0V是由接地的低压输入端(引脚6)调节。
工作在高输入电压( 3.0V至5.5V )是accom-
留LV开plished 。
在TC660开路输出电压是在0.1 %
输入电压与输出开路的。动力
转换效率为98% ,当输出负载之间
2毫安和5毫安。
2
3
4
5
6
7
应用
s
s
s
s
笔记本电脑
基于P控制器
过程仪表
汽车仪表
引脚配置
(拨及SOIC )
8 V+
7 OSC
8 V+
7 OSC
订购信息
产品型号
TC660COA
TC660CPA
TC660EOA
TC660EPA
FC 1
CAP + 2
FC 1
CAP + 2
GND 3
CAP - 4
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
GND 3
TC660CPA
6 LV
CAP - 4
TC660EPA
5 VOUT
TC660COA
6 LV
TC660EOA
5 VOUT
TC7660EV
功能框图
V + CAP +
8
FC
1
2
评估板
电荷泵家庭
OSC
7
RC
振荡器
÷
2
电压是多少?
水平
翻译者
4
CAP -
LV
6
5
国内
电压
调节器
逻辑
VOUT
TC660
3
GND
8
TC660-2 96年9月10日
TELCOM半导体,INC。的
4-5
百毫安充电泵DC- TO- DC
电压转换器
TC660
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ........... + 6V
LV , FC , OSC输入
电压(注1 ) ....................... V
OUT
= 0.3V至(V
+
+0.3V)
目前进入LV (注1 ) ...................... 20
A
对于V
+
>3.5V
输出短路持续时间(V
供应
5.5V ) (注3 ) 。10秒
功率耗散(注2 ) (T
A
70°C)
SOIC ................................................. .............. 470mW
塑料DIP ................................................ ...... 730mW
工作温度范围
后缀................................................ .. 0 ° C至+ 70°C
后缀E ............................................. - 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) ................. + 300℃
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
电气特性:
规格测量在工作温度范围内,
V
+
= 5V ,C
OSC
=开放, C1 , C2 = 150μF , FC =打开,测试电路
(图1 )中,除非另有说明。
符号
I
+
参数
电源电流
测试条件
R
L
=
FC引脚= OPEN或GND
FC引脚= V
+
LV = HIGH ,R
L
= 1 k
LV = GND ,R
L
= 1 k
LV = OUT ,R
L
= 1千欧(图9)
I
OUT
= 100毫安
V
OUT
< - 4V
7脚打开; 1脚开路或接地
引脚1 = V
+
引脚1开
引脚1 = V
+
R
L
= 1 kΩ的连接V之间
+
&放大器; V
OUT
R
L
= 500Ω连接V之间
OUT
& GND
I
L
= 100mA至GND
R
L
=
V
+
3
1.5
2.5
100
96
92
99
典型值
200
1
6.5
10
90
+1.1
+5
98
96
88
99.9
最大
500
3
5.5
5.5
5.5
10
单位
A
mA
V
V
+
电源电压范围
R
OUT
I
OUT
F
OSC
I
OSC
P
EFF
输出源电阻
输出电流
振荡器频率
输入电流
电源使用效率(注4 )
mA
千赫
A
%
V
OUT
E
FF
电压转换效率
%
注意事项:
1.连接所有输入端电压高于
或小于接地可能引起破坏性的闩锁。所以建议不
从资源的投入,从外部电源供电之前被应用到"power了TC660的up" 。
2.线性降额高于50℃的5.5毫瓦/ ℃。
3.为防止损坏设备,请勿短期V
OUT
到V
+
.
4.为了最大限度地提高输出电压和效率的性能,采用低ESR的电容对C
1
和C
2
.
4-6
TELCOM半导体,INC。的
百毫安充电泵DC- TO- DC
电压转换器
TC660
典型特征
使用图1的测试电路与V的生成的所有曲线
+
= 5V ,LV = GND , FC =开放的,和T
A
= + 25 ° C,除非
另有说明。
1)
600
500
1
2
3
电源电流与
电源电压
2)
10,000
电源电流与
振荡器频率
3)
100
效率与
负载电流
V+ = 5.5V
电源电流( μA )
电源电流( μA )
效率(%)
400
300
200
DOUBLER模式
LV = OUT
1000
DOUBLER模式
92
84
V+ = 3.5V
76
V+ = 4.5V
100
LV =开
100
LV = GND
0
1.5 2.0
2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
电源电压( V)
5.0 5.5
10
反相模式
68
V+ = 2.5V
V+ = 1.5V
0
20
40
60
80
负载电流(mA )
100
1
0.01
0.1
1
10
振荡器频率(kHz )
100
60
4
5
4)
2.0
输出电压降
与负载电流
5)
-5.0
输出电压 -
振荡器频率
6)
100
96
效率与
振荡器频率
ILOAD = 10毫安
输出电压降
从供给电压( V)
V+ = 3.5V
1.2
V+ = 1.5V
V+ = 2.5V
V+ = 4.5V
输出电压(V)
1.6
-4.5
I负荷= 1毫安
-4.0
电源效率( % )
ILOAD = 10毫安
92
88
84
80
76
72
68
64
I负荷= 1毫安
0.1 0.2 0.4
1 2 4
10 20 40
振荡器频率(kHz )
100
ILOAD =
80mA
ILOAD = 80毫安
0.8
-3.5
0.4
V+ = 5.5V
0
0
20
40
60
80
负载电流(mA )
100
-3.0
0.1 0.2 0.4
1 2 4
10 20 40
振荡器频率(kHz )
100
60
6
7
7)
15
输出源电阻
- 电源电压
8)
输出源电阻(Ω )
16
14
12
10
输出源电阻
与温度的关系
V + = 1.5VDC
9)
12
振荡器频率
- 电源电压
LV GROUNDED
10
8
6
FC = OPEN , OSC = OPEN
4
2
0
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
电源电压( V)
LV开
输出源电阻(Ω )
12
9
6
V + = 3VDC
8
6
V + = 5VDC
4
-40
-20
0
20
40
60
80
100
3
振荡器频率(kHz )
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
电源电压( V)
温度(℃)
8
TELCOM半导体,INC。的
4-7
百毫安充电泵DC- TO- DC
电压转换器
TC660
典型特征
(续)
10)
100
振荡器频率(kHz )
LV GROUNDED
振子频率(KHz )
80
LV开
振荡器频率
- 电源电压
11)
12
10
8
6
4
振荡器频率
与温度的关系
12)
100
振荡器工频突变(千赫)
振荡器频率
与温度的关系
80
60
FC = V + , OSC = OPEN
60
40
40
FC = V + , OSC = OPEN
20
FC = OPEN , OSC = OPEN
2
0
-40
20
0
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
电源电压( V)
-20
20
40
60
温度(℃)
0
80
100
0
-40
-20
20
40
60
0
温度(℃)
80
100
13)
振荡器频率
与外接电容
14)
TC7660和TC660输出
电压和功率效率
- 负载电流,V
+ =
5V
TC7660
100
100
振荡器频率(kHz )
FC = V +
输出电压(V)
10
-3.0
TC660
-3.8
EFF
VOUT
TC660
84
1
-4.2
76
0.1
FC =开
-4.6
TC7660
40
60
80
负载电流(mA )
68
0.01
-5.0
1 2
5 10 20
100 500 2000 10000
电容(pF)
0
2.0
60
100
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
FC
+
GND
V
OUT
LV
OSC
V
+
描述
内部振荡器的频率控制。 F
在10 kHz的FC
打开;
90千赫时,
FC = V
+
。 FC没有任何影响,如果OSC是过载。
外部电容+终端
电源地(逆变器)或正输入(倍增)
外部电容 - 终端
负电压输出(逆变器)或接地(倍增)
"Low - Voltage"针。连接到GND引脚用于变频器运行时, V
IN
< 3V ;离开
打开或高于3V GND。当过驱动OSC ,连接到GND 。
对于内部OSC的外部控制。连接分机。 C来自OSC至GND (接近PKG )。
降低振荡器的频率
正电压输入(逆变器)或输出(倍增)
电源效率( % )
-3.4
92
4-8
TELCOM半导体,INC。的
百毫安充电泵DC- TO- DC
电压转换器
TC660
电路描述
在TC660中包含所有必要的电路的COM
完整的电压逆变器(图1) ,除两
外部电容器,其可以是便宜的150μF polar-
源化的电解电容器。操作最好通过理解
考虑图2 ,它显示了一种理想化的电压
逆变器。电容C
1
被充电到电压V
+
对于半
周期时,开关S
1
和S
3
被关闭。 (注:开关
S
2
和S
4
是在此半周期打开。 )在第二个
动作的半周期内,开关S
2
和S
4
被关闭,以
S
1
和S
3
开,从而将电容C
1
负面
V
+
伏。充电,然后从C转移
1
到C
2
,使得
C上的电压
2
正是V
+
假定理想的开关和
基于C空载
2
.
四个开关在图2中是MOS功率开关;
S
1
是P沟道器件和S
2
, S
3
和S
4
是N沟道
设备。这种方法的主要困难在于,在
的S集成开关,所述基板
3
和S
4
必须
始终保持反向偏置相对于它们的源极,
但不能太过分,会降低他们的ON电阻。在
另外,在电路启动,并在输出短路
条件(V
OUT
= V
+
)时,输出电压必须被感测的
和衬底偏压相应的调整。如果不
做到这将导致高功率损耗和
可能发生的设备闭锁。此问题是在所消除的
TC660由感测的输出电压的逻辑网络
(V
OUT
)加上电平转换器,并切换
的S基
3
和S
4
到正确的电平,以保持
必要的反向偏压。
以提高低电压操作时, “LV”销应
连接到GND ,禁用内部调节器。为
电源电压大于3.0V时, LV端应
保持开放,以确保闩锁型操作并防止
器件的损坏。
S1
V+
S2
1
2
C2
S4
VOUT = - VIN
C1
S3
GND
3
4
5
6
7
图2.理想化的开关电容
理论功率英法fi效率
注意事项
从理论上讲,一个电压倍增器可以接近100%的
如果某些条件得到满足的效率:
( 1 )驱动电路的功耗最低。
( 2 )输出开关具有极低的导
性,几乎没有偏差。
(3)在泵和储存器的阻抗
电容是可以忽略不计在泵的频率。
该TC660接近这些条件的负
电压倍增如果C值大
1
和C
2
被使用。
能量损失仅在电荷之间的转移
如果在电压发生变化时的电容。
损失的能量
定义为:
E = 1/2杯
1
(V
12
– V
22
)
V+
1
2
C1
150 F
+
3
4
8
7
IS
V+
(+5V)
TC660
6
5
RL
IL
C2
150 F
VOUT
V
1
和V
2
是C上的电压
1
在泵中和
传输周期。如果C的阻抗
1
和C
2
比较
高在泵频率(参见图2)相比
R的值
L
,将有一个实质性的区别
电压V
1
和V
2
。因此,希望不仅要
使C
2
尽可能地大,以消除输出电压
波纹,而且还采用了相应的大值
C
1
为了实现操作的效率最大化。
+
图1. TC660测试电路(逆变器)
8
4-9
TELCOM半导体,INC。的
查看更多TC660EOAPDF信息
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单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TC660EOA
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TC660EOA
MIC
21+
15000.00
SOP8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制

电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
TC660EOA
MICROCHIP/微芯
24+
15300
SOP-8
原装热卖,绝对仓库现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2273544375 复制 点击这里给我发消息 QQ:1402770874 复制

电话:13711580601
联系人:郭
地址:深圳市福田区华强北华强广场B座
TC660EOA
MICROCHIP
22+/23+
1000
QFN24
原装正品 力挺实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
TC660EOA
MICROCHIP
2024+
9675
SOP8
优势现货,全新原装进口
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
TC660EOA
MICROCHIP
20+
500
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ:173779730 复制
电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
TC660EOA
MICROCHI
22+
88779
DIP
有挂就有货 支持订货.备货
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电话:0755-23306107
联系人:业务员
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园4栋
TC660EOA
MICROCHIP
21+
12600
SOP8
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1337449016 复制 点击这里给我发消息 QQ:851428111 复制

电话:0755-23051326
联系人:张先生
地址:深圳市福田区华强北佳和大厦A座11B03室
TC660EOA
MICROCHI
16+
5000
SOP-8
专注进口原装,公司现货出售
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电话:0755-83798683
联系人:许先生
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TC660EOA
MICROCHIP/微芯
22+
14572
SOP8
专营厂家量大可定货
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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2404+
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