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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第948页 > TC655
M
特点
温度比例风扇速度
降低声音的噪声和风扇不再生活
采用FanSenseTM 防止风扇故障和
省去了3芯风扇
过温检测( TC655 )
高效PWM风扇驱动
提供RPM数据
2线SMBus兼容接口
支持任意风扇电压
为"Green"软件控制的关断模式
系统
支持使用低成本NTC / PTC热敏电阻
节省空间的10引脚MSOP封装
- 温度范围: -40 ° C至+ 85°C
TC654/TC655
描述
在TC654和TC655是PWM模式的风扇转速CON-
制器与FanSense电路技术与电刷使用
更少的直流风扇。这些器件实现了温度
比例控制风扇速度从而降低声
风扇噪音并提高风扇寿命。在V的电压
IN
(引脚1 )代表温度,通常亲
通过外部热敏电阻或电压输出vided温
perature传感器。 PWM输出(V
OUT
)被调整
在30%和100%的基础上,在V的电压
IN
.
PWM的占空比,也可以通过编程
SMBus的,以允许风扇速度控制,而不需要
外部热敏电阻。如果V
IN
未连接时,
TC654 / TC655将开始驱动风扇在默认的工作
39.33 %的周期。参见4.3节, "Fan Startup" ,为
更多的细节。
在正常的风机运行,脉冲序列存在于
SENSE1 (引脚8 )和SENSE2 (引脚7 ) 。该TC654 /
TC655利用这些脉冲来计算风扇革命
每分钟( RPM)的系统蒸发散。风扇转速数据被用于
检测累死了,止步不前,打开或未连接风扇。
下面是用户可编程的阈值电平转
会导致TC654 / TC655断言逻辑低警报
信号(故障) 。默认阈值
500 RPM 。此外,如果发生这种情况, F1F (位0<0> )
或F2F (位1<0> ) ,在状态寄存器也将被置
到一个“1”。
超温条件时指示
电压V
IN
超过2.6 V (典型值) 。该TC654 /
TC655显示设备通过设置OTF (位5<X> )在
状态寄存器为“1” 。该TC655器件还
温度过高时拉断层线低
条件。
该TC654 / TC655器件提供10引脚
MSOP封装和使用过程中操作150 μA
化。该设备也可以进入低功耗关断
模式( 5 μA ,典型值),通过设置适当的位
配置寄存器。工作温度
范围内对这些设备为-40 ° C至+ 85°C 。
双重的SMBus PWM风扇速度控制器,带有
风扇故障检测
应用
个人电脑&服务器
LCD投影机
数据通信&电信设备
风扇架
文件服务器
工作站
通用风扇速度控制
套餐类型
10引脚MSOP
V
IN
C
F
SCLK
SDA
GND
1
2
3
4
5
TC654
TC655
10 V
DD
9
8
7
6
V
OUT
SENSE1
SENSE2
故障
SMBus是Intel Corporation的注册商标。
2002年Microchip的科技公司
DS21734A第1页
TC654/TC655
功能框图
TC654/TC655
V
IN
V
OTF
+
OTF
控制
逻辑
+
+
V
DD
V
OUT
C
F
V
启动
定时器
MISSING
脉冲
检测
故障
时钟
发电机
+
SCLK
SDA
串行端口
接口
50 k
SENSE1
为100mV (典型值)。
+
50 k
SENSE2
GND
为100mV (典型值)。
注意:
OTF条件适用于只TC655设备。
DS21734A第2页
2002年Microchip的科技公司
TC654/TC655
1.0
电动
特征
引脚功能表
名字
V
IN
C
F
SCLK
SDA
GND
故障
SENSE2
SENSE1
V
OUT
V
DD
模拟量输入
模拟输出
串行时钟输入
串行数据输入/输出(开漏)
数字(漏极开路)输出
模拟量输入
模拟量输入
数字输出
电源输入
功能
绝对最大额定值*
V
DD
..................................................................................6.5 V
输入电压.................................... -0.3 V至(V
DD
+ 0.3 V)
输出电压................................. -0.3 V至(V
DD
+ 0.3 V)
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用................- 40 ° C至+ 125°C
最高结温,T
J
............................. 150°C
所有引脚的ESD保护
..................................................≥
4千伏
*注:超出上述“最大额定上市
英格斯“,可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市,是不是暗示。曝光
绝对最大额定条件下长时间可能
影响器件的可靠性。
电气规格
电气特性:
除非另有说明,所有参数适用于V指定
DD
= 3.0 V至5.5 V ,
-40°C <T
A
< + 85°C 。
参数
电源电压
工作电源电流
关断模式下电源电流
V
OUT
PWM输出
V
OUT
上升时间
V
OUT
下降时间
吸收电流在V
OUT
产量
源电流在V
OUT
产量
PWM频率
V
IN
输入
V
IN
输入电压为100%的PWM
占空比
V
C(最大值)
- V
C(分钟)
V
IN
输入阻抗
V
IN
输入漏电流
检测输入
SENSE输入阈值电压与
对于GND
故障输出
故障输出低电压
FAULT输出响应时间
风扇转速到数字输出
风扇RPM错误
-15
+15
%
RPM > 1600
注1 :
未经过生产测试,通过设计保证,表征中进行测试。
2:
对于5.0 V > V
DD
5.5 V ,极限为V
IH
= 2.2 V.
V
OL
t
故障
2.4
0.3
V
美国证券交易委员会
I
OL
= 2.5毫安
V
THSENSE
80
100
120
mV
I
IN
V
C(最大值)
V
CRANGE
2.45
1.25
-1.0
2.6
1.4
10M
2.75
1.55
+1.0
V
V
A
V
DD
= 5.0 V
t
R
t
F
I
OL
I
OH
F
1.0
5.0
26
30
50
50
34
微秒
微秒
mA
mA
Hz
I
OH
= 5毫安,
注1
I
OL
= 1毫安,
注1
V
OL
= 10 V的%
DD
V
OH
V型= 80 %
DD
C
F
= 1 F
符号
V
DD
I
DD
I
DDSHDN
3.0
典型值
150
5
最大
5.5
300
10
单位
V
A
A
引脚7 , 8 , 9公开赛
引脚7 , 8 , 9公开赛
条件
2002年Microchip的科技公司
DS21734A第3页
TC654/TC655
电气连接特定的阳离子(续)
电气特性:
除非另有说明,所有参数适用于V指定
DD
= 3.0 V至5.5 V ,
-40°C <T
A
< + 85°C 。
参数
2线串行总线接口
逻辑输入高
逻辑输入低
逻辑输出低
输入电容SDA , SCLK
I / O漏电流
SDA输出低电流
V
IH
V
IL
V
OL
C
IN
I
泄漏
I
OLSDA
2.1
-1.0
6
10
0.8
0.4
15
+1.0
V
V
V
pF
A
mA
V
OL
= 0.6 V
I
OL
= 3毫安
注1
注2
符号
典型值
最大
单位
条件
注1 :
未经过生产测试,通过设计保证,表征中进行测试。
2:
对于5.0 V > V
DD
5.5 V ,极限为V
IH
= 2.2 V.
温度参数
电气特性:
除非另有说明,所有参数均适用于V
DD
= 3.0 V至5.5 V
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻, 10引脚MSOP
θ
JA
113
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
+85
+125
+150
°C
°C
°C
符号
典型值
最大
单位
条件
时序特定网络阳离子
电气特性:
除非另有说明,所有参数适用于V指定
DD
= 3.0 V至5.5 V ,
-40°C <T
A
& LT ; + 85°C
参数
SMBus接口(见图1-1)
串口频率
低时钟周期
高时钟周期
SCLK和SDA上升时间
SCLK和SDA下降时间
启动条件建立时间
SCLK时钟周期时间
START条件保持时间
在SetupTime数据SCLK
在SCLK后数据保持时间
停止条件的建立时间
总线空闲时间之前,新
过渡
f
SC
t
t
t
R
t
F
t
SU ( START)
t
SC
t
H( START)
t
SU- DATA
t
H- DATA
t
SU( STOP)
t
空闲
0
4.7
4.7
4.7
10
4.0
250
300
4.0
4.7
100
1000
300
千赫
注1
微秒
注1
微秒
注1
纳秒
纳秒
注1
注1
符号
典型值
最大
单位
条件
微秒
注1
微秒
注1
微秒
注1
纳秒
纳秒
注1
注1
微秒
注1
微秒
注1
注2
注1 :
未经过生产测试,通过设计保证,表征中进行测试。
2:
时间总线必须是自由的前一个新的传输开始。
DS21734A第4页
2002年Microchip的科技公司
TC654/TC655
SMBUS写时序图
A
B
t
t
C
D
E
F
E
G
H
I
J
K
L
M
SCLK
SDA
t
SU ( START)
t
H( START)
A =启动条件
B =地址MSB移入SLAVE
C = LSB地址移入SLAVE
D = R / W位移入SLAVE
E =从站将SDA线拉低
t
SU- DATA
t
H- DATA
t
SU( STOP)
t
空闲
J =应答位移入主器件
K =应答时钟脉冲
L =停止条件,数据来执行由从机
M =新的启动条件
F =应答位移入主器件
G =数据的最高位移入从器件
H = LSB数据的移入SLAVE
我=从将SDA线拉低
SMBUS读时序图
A
B
t
t
C
D
ê F
G
H
I
J
K
SCLK
SDA
t
SU ( START)
t
H( START)
A =启动条件
t
SU- DATA
E =从站将SDA线拉低
F =应答位移入主器件
G = MSB数据的移入主
H = LSB数据的移入主
t
SU( STOP)
I =应答时钟脉冲
J =停止条件
K =新的启动条件
t
空闲
B =地址MSB移入SLAVE
C = LSB地址移入SLAVE
D = R / W位移入SLAVE
图1-1:
总线时序数据。
2002年Microchip的科技公司
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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