TC650/TC651
1.0
电动
特征
注意：
超出上述"Absolute马克西上市
妈妈Ratings"可能导致器件的永久性损坏。
这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件表示
在操作规范的部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值？
输入电压（V
DD
到GND） ................................... + 6V
输出电压（ OUT到GND） ................................. 6V
任一引脚电压....... （ GND - 0.3V ）至（v
DD
+ 0.3V)
工作温度范围......... -40C至125C +
存储温度........................ -65 ° C至+ 150°C
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有规定ED ，V
DD
= 2.8V至5.5V ， SHDN = V
DD
, T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
电源电压
电源电流
SHDN输入
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
PWM输出
PWM输出低电压
PWM输出高电压
PWM上升时间
PWM下降时间
PWM频率
启动时间
V
OL
V
OH
t
R
t
F
f
OUT
t
启动
—
V
DD
– 0.5
—
—
10
—
—
—
10
10
15
32/f
OUT
0.3
—
—
—
—
—
V
V
s
s
Hz
美国证券交易委员会
V
DD
从GND上升
或SHDN发布
温度精度
高温度精度
T
ACC
T
H
– 3
–1.0
–2.5
自动关机迟滞
T
过度
产量
T
过度
输出高电压
T
过度
输出低电压
绝对精度
跳变点迟滞
注1 ：
V
高
V
低
T
OVER ACC
T
OVER HYST
V
DD
– 0.5
—
—
—
—
—
T
H
+ 10
5
—
0.4
—
—
V
V
°C
°C
I
来源
= 1.2毫安
I
SINK
= 2.5毫安
在跳变点
T
HYST
—
T
H
—
—
(T
H
-T
L
)/5
T
H
+ 3
+1.0
+2.5
—
°C
°C
°C
°C
注1
(T
H
– T
L
)
≤
20°C
(T
H
– T
L
)
≥
20°C
TC651仅
I
SINK
= 1毫安
I
来源
= 5毫安
I
OH
= 5毫安， 1 nF的
PWM至GND
I
OL
= 1毫安， 1 nF的
PWM至GND
V
IH
V
IL
65
—
—
—
—
15
%V
DD
%V
DD
符号
V
DD
I
DD
民
2.8
—
典型值
—
50
最大
5.5
90
单位
V
A
PWM ，T
过度
开放
条件
温度范围精度（T
H –
T
L
)
加
转变从90％到100 ％的占空比。
2004年Microchip的科技公司
DS21450C第3页
TC650/TC651
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，V
DD
= 2.8V至5.5V ， SHDN = V
DD
, T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
90
80
V
DD
=
5.6
3.0
2.5
60
温准确度（C ）
70
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V
DD
= 5.6
V
DD
= 2.7
T
L
T
1
T
2
T
3
T
4
T
H
I
DD
(A)
50
40
30
20
10
0
-50 -25
0
25
V
DD
= 2.7
50
75 100 125 150
温度（℃）
T
门槛
图2-1：
I
DD
与温度的关系。
图2-4：
V
TH
.
1.0
0.9
0.8
温度精度与
500
450
400
V
DD
- V
OH
(V)
350
V
DD
= 2.8V
V
DD
= 5.5V
V
OL
（毫伏）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
300
250
200
150
100
50
0.0
T
A
= +25°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DD
= 2.8V
V
DD
= 5.5V
0.1
0.0
0
2
4
6
8
T
A
= +25°C
10 12 14 16 18 20
I
来源
（MA ）
I
SINK
（MA ）
图2-2：
1.0
0.9
0.8
PWM ，我
SINK
与V
OL
.
图2-5：
(V
DD
– V
OH
).
PWM ，我
来源
与
V
DD
= 2.8V
V
DD
- V
OH
(V)
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
1
2
3
4
5
6
T
A
= +25°C
7
8
9
10
V
DD
= 5.5V
I
来源
（MA ）
图2-3：
(V
DD
– V
OH
).
T
过度
, I
来源
与
2004年Microchip的科技公司
DS21450C第5页
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