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M
特点
5引脚SOT- 23A
工厂编程的阈值
-45 ° C至+ 125°C在10 ℃的增量
引脚可选择+ 2 ° C或+ 10 °C的迟滞
± 0.5°C (典型值)阈值精度在整个
温度范围
无需外部元件
17 μA电源电流(典型值)
TC6501/2/3/4
概述
在TC6501 / 2/3 / 4顷SOT- 23温度开关
不需要任何外部元件,可
与出厂设定的温度阈值。一
选择的工厂校准温度触发点
也可提供。为+ 2°C的引脚可选迟滞或
+ 10° C允许灵活性,以应用程序的设计。
这些部件通常仅消耗17 μA电流
,工作在整个-55°C至+ 135°C的
温度范围,同时提供±的精度0.5°C
(典型值) 。
该TC6501和TC6503具有开漏,主动 -
低输出,它的目标单片机复位控制。
该TC6502和TC6504具有CMOS ,高电平有效
输出设计用于驱动逻辑电平MOSFET的
打开风扇或加热元件上。
在TC6501 / TC6502是专为热温
监测( + 35 ° C至+ 125°C ) 。这些器件断言
当温度高于所述逻辑信号
门槛。在TC6503 / TC6504都冷了优化
温度监测(-45 ℃至+ 15 ℃)和断言
当温度低于所述逻辑信号
门槛。
在TC6501 / 2 /3/4提供5个标准温
perature阈值。采用5引脚SOT- 23A封装
年龄,这些部件非常适合应用要求
集成度高,体积小,低功耗和低安装
成本。
超小型温度开关
与引脚可选迟滞
应用
在个人电脑和服务器散热管理
过温故障安全电路
简单的风扇控制器
温度报警
投影仪/打印机
笔记本电脑
网箱
封装类型
T
过度
TC6501
T
过度
TC6502
GND 1
GND 2
TC6501
TC6502
5
功能框图
HYST 3
4 V
CC
100 pF的
GND 1
GND 2
TC6503
TC6504
5
T
TC6503
T
TC6504
V
CC
V
CC
+ 2.7V至+ 5.5V
TC6502
T
过度
GND GNDHYST
的PICmicro
微控制器
INT
GND
HYST 3
4 V
CC
注意:
5引脚SOT- 23A等同于EIAJ SC- 74A
2004年Microchip的科技公司
DS21451D第1页
TC6501/2/3/4
1.0
电动
特征
*
注意:
上面讲的那些最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在规范的业务部门所标明
系统蒸发散是不是暗示。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间工作会影响器件
可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压(V
CC
) .............................. -0.3V至+ 7V
输入电流(所有引脚) ....................................... 20毫安
输出电流(所有引脚) .................................... 20毫安
工作温度范围.......... - 55 ° C至+ 135°C的
存储温度范围............. - 65 ° C至+ 165℃
T
过度
( TC6501 ) ....................................... -0.3V至+ 7V
T
过度
( TC6502 ) ......................... -0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
T
( TC6503 ) ....................................... -0.3V至7V
T
( TC6504 ) ....................... -0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
所有其他引脚............................. -0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
最高结温,T
J
.................. 150°C
功率耗散(T
A
= +70°C):
(降容7.1毫瓦/ ° C以上+ 70 ° C) ............... 570毫瓦
电气规格
电气特性:
除非另有说明,V
CC
= + 2.7V至+ 5.5V ,R
引体向上
= 100 kΩ的( TC6501 / TC6503只) , 100 pF的
从V去耦电容
CC
到GND ,T
AMB
= -55 ° C至+ 135 ℃。典型值是在T
A
= +25°C.
参数
电源电压范围
电源电流
HYST输入阈值
HYST输入阈值
温度门限精度
(注1 )
符号
V
CC
I
CC
V
IH
V
IL
T
TH
2.7
0.8× V
CC
-6
-4
-4
-6
温度阈值迟滞
输出电压高
T
HYST
V
OH
0.8× V
CC
V
CC
- 1.5
输出电压低
开漏输出漏电流
V
OL
典型值
17
±0.5
±0.5
±0.5
±0.5
2.0
10
10
最大
5.5
40
0.2× V
CC
6
4
4
6
0.3
0.4
单位
V
A
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
°C
V
V
V
V
nA
-45 ° C至-25°C
-15 ° C至+ 15°C
+ 35 ° C到+ 65℃
+ 75 ° C至+ 125°C
HYST = GND
HYST = V
CC
I
来源
= 500 μA ,V
CC
> 2.7V
( TC6502 / TC6504只)
I
来源
= 800 μA ,V
CC
& GT ; 4.5V
( TC6502 / TC6504只)
I
SINK
= 1.2毫安, V
CC
> 2.7V
I
SINK
= 3.2毫安, V
CC
& GT ; 4.5V
V
CC
= 2.7V ,T
= 5.5V
( TC6503 ) ;牛逼
过度
= 5.5V
(TC6501)
测试条件
注1 :
TC6501/2/3/4
可用内部,出厂设定的温度门限,范围-45° C至+ 125°C ,在
+ 10°C的增量。
DS21451D第2页
2004年Microchip的科技公司
TC6501/2/3/4
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
除非另有说明,V
CC
= 5.0V ,R
引体向上
= 100 kΩ的( TC6501只/ TC6503 ) , 100 pF的去耦
从V电容器
CC
到GND ,T
AMB
= +25°C.
60
40
注意:
.
50
35
频率
40
30
20
10
0
电源电流( μA )
30
25
20
15
10
5
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2
精度( ° C)
3 4 5
0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
温度(℃)
图2-1:
80
70
输出电阻(Ω )
跳变门限准确度。
图2-4:
温度。
12
10
滞后( ° C)
电源电流与
V
CC
= 4.0V
V
CC
= 2.7V
60
50
40
30
20
10
0
V
CC
= 5.0V
HYST = V
CC
TC6503/04
TC6501/02
8
6
4
HYS = GND
2
TC6503/04
TC6501/02
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
温度(℃)
图2-2:
温度。
输出灌电阻与
0
-45 -25 -5 15 35 55 75 95 115
阈值温度( ° C)
图2-5:
温度。
滞后与旅行
+100C
+100C
+15C/div
12.5 C / DIV
安装在0.75平方英寸
的2盎司铜
+25C
安装在0.75平方英寸
的2盎司铜
+25C
5sec/div
20sec/div
图2-3:
热阶跃响应
全氟化液体( SOT -23 ) 。
2004年Microchip的科技公司
图2-6:
静止的空气中( SOT -23 ) 。
热阶跃响应
DS21451D第3页
TC6501/2/3/4
注意:
除非另有说明,V
CC
= 5.0V ,R
引体向上
= 100 kΩ的( TC6501只/ TC6503 ) , 100 pF的去耦
从V电容器
CC
到GND ,T
AMB
= +25°C.
180
输出源电阻(Ω )
160
140
120
100
80
60
180
40
20
0
VCC = 2.7V
VCC = 4.0V
VCC = 5.0V
20 40
60 80 100 120 140
温度(℃)
图2-7:
输出源电阻
- 温度曲线( TC6502 ) 。
DS21451D第4页
2004年Microchip的科技公司
TC6501/2/3/4
3.0
引脚说明
的引脚说明如表3-1所示。
表3-1:
TC6501
1, 2
3
4
5
1, 2
3
4
5
引脚功能表
TC6503
1, 2
3
4
5
TC6504
1, 2
3
4
5
符号
GND
HYST
V
CC
T
过度
T
过度
T
T
输入迟滞
电源输入( + 2.7V至+ 5.5V )
漏极开路,低电平有效输出
推/拉式高电平有效的输出
漏极开路,低电平有效输出
推/拉式高电平有效的输出
描述
TC6502
3.1
3.5
将设备直接连接接地引脚与PCB
接地,并尽量减少了连接的长度。该
到模具的热电阻为最小,在引脚2 。
推/拉式高电平有效的输出
( TC6502 ) (T
过度
)
3.2
迟滞输入( HYST )
在T上的电压
过度
等于一个逻辑高电平,如果
传感器检测到比出厂时的温度更高
设定的阈值温度。
2° C( GND)或10 ° C( V
CC
)滞后是
通过连接HYST到GND或V选择
CC
.
3.6
漏极开路,低电平有效输出
( TC6503 ) (T
)
3.3
电源输入( V
CC
)
一个100 pF或V更大的去耦电容
CC
to
GND建议。
3.4
漏极开路,低电平有效输出
( TC6501 ) (T
过度
)
在T上的电压
销等于逻辑低
如果传感器的水平检测的温度是小于
出厂时设定的阈值温度。
因为这是一个漏极开路输出,外接上拉
电阻是必需的( 100 kΩ上拉电阻
推荐使用) 。该引脚上的电压可以更高
比V
CC
虽然该电压一定不能超过
7.0V的绝对最大输入电压
在T上的电压
过度
销等于逻辑低
如果传感器的水平检测的温度是大于
出厂时设定的阈值温度。
因为这是一个漏极开路输出,外接上拉
电阻是必需的( 100 kΩ上拉电阻
推荐使用) 。该引脚上的电压可以更高
比V
CC
虽然该电压一定不能超过
7.0V的绝对最大输入电压。
3.7
推/拉式高电平有效的输出
( TC6504 ) (T
)
在T上的电压
等于一逻辑高电平,如果
传感器检测到超过出厂前的温度以下
设定的阈值温度。
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