M
特点
TC642B/TC647B
描述
该TC642B / TC647B器件的新版本
现有TC642 / TC647风扇速度控制器。这些
器件的开关模式，风扇转速控制器，
加入一个新的风扇自动重启动功能。温度
TURE比例速度控制采用完成
脉宽调制。热敏电阻（或其它电压
输出型温度传感器）连接至V
IN
输入
提供1.20V所需要的控制电压至2.60V
（典型值）为0％至100 ％的PWM占空比。最低风扇
速度是由在V简单的电阻分压器设定
民
输入。集成的启动定时器可确保可靠
电机启动时开启，走出关机
模式或下一个瞬间故障。应用逻辑低电平
到V
民
（引脚3 ）导致风机停机。
该TC642B和TC647B还提供Microchip的
科技专有的FanSense电路
技术
提高了系统可靠性。在正常的风机运行，一
脉冲序列存在于SENSE （引脚5 ） 。一个缺失对
脉冲检测器监控风扇运行时该引脚。一
止步不前，打开或悬空风扇导致TC642B /
TC647B装置把在V
OUT
全（ 100％输出
占空比）。如果故障依旧（风扇电流脉冲
32 / F周期内没有检测到） ， FAULT输出
变低。即使在FAULT输出低电平，使V
OUT
输出全过程，才能风扇故障条件
尝试重新启动风扇。故障还断言，如果
PWM达到100 ％的占空比（仅TC642B ） ，它指示
荷兰国际集团的最大冷却能力已达到
和可能的过热状况存在。
该TC642B和TC647B器件采用8引脚
塑料MSOP ， SOIC和PDIP封装。指定
这些设备中的温度范围是-40 + 85℃ 。
PWM风扇速度控制器，带有风扇的最低转速，
范重启和FanSense电路技术故障检测
温度成比例的风扇转速为声
降噪和延长风扇寿命
高效PWM风扇驱动
3.0V至5.5V电源电压范围：
- TC642B / TC647B的风扇电压无关
电源电压
- 支持任意风扇电压
采用FanSenseTM
故障检测电路保护
对风扇故障和辅助系统测试
为"Green"系统关断模式
支持使用低成本NTC / PTC热敏电阻
过热指示（ TC642B只）
风扇自动重启
节省空间的8引脚MSOP封装
应用
个人电脑&服务器
LCD投影机
数据通信&电信设备
风扇架
文件服务器
通用风扇速度控制
封装类型
MSOP ， PDIP ， SOIC
V
IN
1
C
F
2
V
民
3
GND 4
TC642B
TC647B
8
7
6
5
V
DD
V
OUT
故障
SENSE
2003 Microchip的技术公司
DS21756B第1页
TC642B/TC647B
1.0
电动
特征
引脚功能表
名字
V
IN
C
F
V
民
GND
SENSE
故障
V
OUT
V
DD
功能
模拟量输入
模拟输出
模拟量输入
地
模拟量输入
数字（漏极开路）输出
数字输出
电源输入
绝对最大额定值
电源电压（V
DD
) .......................................................6.0V
输入电压，任何引脚................ （ GND - 0.3V ）至（v
DD
+0.3V)
工作温度范围....................- 40 ° C至+ 125°C
最高结温，T
J
........................... +150°C
ESD保护所有引脚........................................... > 3千伏
注意：
上面讲的那些最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市，是不是暗示。曝光
绝对最大额定条件下长时间可能
影响器件的可靠性。
电气规格
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数均指定为-40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 85°C ，V
DD
= 3.0V至5.5V 。
参数
电源电压
电源电流，工作
电源电流，关断模式
V
OUT
产量
吸收电流在V
OUT
产量
源电流在V
OUT
产量
V
IN
, V
民
输入
输入电压V
IN
或V
民
为100％的
PWM占空比
过温指示
门槛
过温指示
阈值迟滞
V
C（最大值）
- V
C（分钟）
最小速度阈值
电压施加到V
民
保证
关断模式
电压施加到V
民
发布
关断模式
滞后于V
SHDN
, V
REL
V
IN
, V
民
输入漏
脉宽调制器
PWM频率
注1 ：
2:
f
PWM
26
30
34
Hz
C
F
= 1.0 F
通过设计保证，表征中进行测试。
对于V
DD
< 3.7V ，T
启动
和T
MP
计时器通常是13 / F。
V
C（最大值）
V
OTF
V
OTF - HYS
V
C（ SPAN ）
V
民
V
SHDN
V
REL
V
HYST
I
IN
1.3
V
C（最大值）
-
V
C（ SPAN ）
—
V
DD
x 0.19
—
- 1.0
—
—
0.03 x垂直
DD
—
2.45
2.60
V
C（最大值）
+
20毫伏
80
1.4
1.5
V
C（最大值）
V
DD
x 0.13
—
—
+1.0
2.75
V
V
mV
V
V
V
V
V
A
注1
V
DD
= 5V
对于TC642B只
对于TC642B只
I
OL
I
OH
1.0
5.0
—
—
—
—
mA
mA
V
OL
= 10 V的％
DD
V
OH
V型= 80 ％
DD
符号
V
DD
I
DD
I
DD （ SHDN ）
民
3.0
—
—
典型值
—
200
30
最大
5.5
400
—
单位
V
A
A
引脚6,7打开，
C
F
= 1 μF ，V
IN
= V
C（最大值）
引脚6,7打开，
C
F
= 1 μF ，V
民
= 0.35V
条件
2003 Microchip的技术公司
DS21756B第3页
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