TC6320
N-和P-沟道增强型MOSFET双
特点
低门槛
低导通电阻
低输入电容
快速开关速度
免于二次击穿
低输入和输出泄漏
独立的，电隔离的N-和P-
频道
概述
Supertex公司TC6320包括高电压低
在一个SO-阈N沟道和P沟道MOSFET
8封装。两个MOSFET集成了栅极 - 源极
电阻和栅极 - 源极的齐纳二极管钳位它们是
所需的高电压脉冲发生器的应用。该TC6320是
免费，高速，高电压，栅极钳位
N沟道和P沟道MOSFET对采用SO - 8封装。
这些低阈增强模式（常关）
晶体管采用了先进的垂直DMOS结构
和Supertex公司的成熟的硅栅制造
流程。这种结合产生与器件
双极晶体管的功率处理能力和
具有高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特色
所有的MOS结构中，这些设备是无热
失控和热致二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压，高的击穿电压，高
输入阻抗，低输入电容，和快速开关
速度是需要的。
应用
医用超声变送器
高电压脉冲发生器
放大器器
缓冲器
压电换能器驱动程序
通用线路驱动器
订购信息
设备
TC6320
封装选项
8引脚SOIC （窄体）
TC6320TG
TC6320TG-G
BV
DSS
/ BV
DGS
N沟道
200V
P沟道
-200V
R
DS （ ON）
（最大）
N沟道
7.0Ω
P沟道
8.0Ω
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
引脚CON组fi guration
S1
1
2
3
4
P沟道
N沟道
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
绝对最大额定值
参数
漏源极电压
漏极至栅极电压
工作和存储温度
焊接温度
1
价值
BV
DSS
BV
DGS
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
G1
S2
G2
绝对最大额定值是那些价值超过该受损
可能出现的设备。在这些条件下的功能操作不
暗示。该设备在绝对评价等级连续运行
可能会影响器件的可靠性。所有电压参考器件接地。
注： 1 。
为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
SO- 8封装
（ TOP VIEW ）
TC6320
N沟道电气特性
（T = 25° C除非另有规定编）
J
符号
参数
民
典型值
最大
单位
条件
BV
DSS
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
R
GS
ΔR
GS
VZ
GS
γVZ
GS
I
DSS
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
栅源分流电阻
变化RGS与温度
栅源击穿电压
改变VZGS与温度
零栅极电压漏极电流
200
1.0
-
10
-
13.2
-
-
-
1.0
2.0
-
-
-
400
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
-4.5
50
待定
25
待定
V
V
毫伏/
O
C
KΩ
%/
O
C
V
毫伏/
O
C
A
mA
A
V
GS
= 0V时，我
D
= 2.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
I
GS
= 100A
I
GS
= 100A
I
GS
= 2.0毫安
I
GS
= 2.0毫安
V
DS
=最大额定值，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8最大额定值，
V
GS
= 0V ，T
A
= 125
O
C
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 150毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.0A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=150mA
V
DS
= 25V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 0V,
V
DS
= 25V,
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
10.0
1.0
-
-
8.0
7.0
1.0
-
110
60
23
10
15
20
15
1.8
-
I
D（上）
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
静态漏 - 源极导通电阻
tance
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
Ω
%/
O
C
mmho
pF
ns
V
DD
=25V,
I
D
= 1.0A,
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= 0.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 0.5A
V
ns
注意事项：
1.全直流参数在25℃经过100％测试，除非另有说明。 （脉冲测试： 300秒脉冲， 2 ％占空比）
2.所有参数交流采样测试。
N沟道开关波形和测试电路
10V
输入
0V
10%
t
（上）
t
D（上）
V
DD
产量
0V
90%
90%
10%
t
r
t
（关闭）
t
D（关闭）
t
f
10%
输入
90%
脉冲
发电机
R
根
V
DD
R
L
产量
D.U.T
2
TC6320
P-通道电气特性
（T = 25° C除非另有规定编）
J
符号
参数
民
典型值
最大
单位
条件
BV
DSS
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
R
GS
ΔR
GS
VZ
GS
γVZ
GS
I
DSS
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
栅源分流电阻
变化在研发
GS
随温度
栅源击穿电压
变化RGS与温度
零栅极电压漏极电流
-200
-1.0
-
10
-
13.2
-
-
-
-1.0
-2.0
-
-
-
400
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
-
-2.4
4.5
50
待定
25
待定
-10
-1.0
-
-
10
8.0
1.0
-
200
55
30
10
15
20
15
-1.8
-
V
V
毫伏/
O
C
KΩ
%/
O
C
V
毫伏/
O
C
A
mA
A
V
GS
= 0V时，我
D
= -2.0A
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
I
GS
= 100A
I
GS
= 100A
I
GS
= -2mA
I
GS
= -2mA
V
DS
=最大额定值，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8最大额定值，
V
GS
= 0V ，T
A
= 125
O
C
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -25V
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -150mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -1.0A
V
GS
= -10V ，我
D
=-200mA
V
DS
= -25V ，我
D
= -200mA
V
GS
= 0V,
V
DS
= -25V,
F = 1MHz的
I
D（上）
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
静态漏 - 源极导通电阻
tance
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
Ω
%/
O
C
mmho
pF
ns
V
DD
= -25V,
I
D
= -1.0A,
R
根
= 25Ω
V
GS
= 0V时，我
SD
= -0.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= -0.5A
V
ns
注意事项：
1.全直流参数在25℃经过100％测试，除非另有说明。 （脉冲测试： 300秒脉冲， 2 ％占空比）
2.所有参数交流采样测试。
P-通道开关波形和测试电路
0V
输入
-10V
90%
t
（上）
t
D（上）
0V
产量
V
DD
t
r
90%
10%
t
（关闭）
t
D（关闭）
90%
R
L
10%
V
DD
t
f
输入
产量
R
根
D.U.T
10%
脉冲
发电机
3
TC6320
8引脚SO （ TG ）封装外形
4.90 ± 0.10
8
6.00 ± 0.20
3.90 ± 0.10
注2
1
顶视图
0.17 - 0.25
1.75最大
1.25敏
5° - 15°
（ 4 PLC）的
45°
0.25 - 0.50
注2
0° - 8°
0.10 - 0.25
1.27BSC
0.40 - 1.27
0.31 - 0.51
SIDE VIEW
注意事项：
1.以毫米为单位所有尺寸。角度。
2.如果在角落里不倒角，那么引脚1标识符
必须位于该区域之内的指示。
端视图
（包图纸（S ）本数据表可能不会再FL ECT最新的特定连接的阳离子。如需最近的封装外形
信息，请访问
http://www.supertex.com/packaging.html 。 ）
DOC 。 ＃ DSFP - TC6320
C112106
4
QQ：2880707522 复制
