TC6320
N-和P-沟道增强型MOSFET双
特点
低门槛
低导通电阻
低输入电容
快速开关速度
免于二次击穿
低输入和输出泄漏
独立的，电隔离的N-和P-
频道
概述
Supertex公司TC6320包括高电压低
在一个SO-阈N沟道和P沟道MOSFET
8封装。两个MOSFET集成了栅极 - 源极
电阻和栅极 - 源极的齐纳二极管钳位它们是
所需的高电压脉冲发生器的应用。该TC6320是
免费，高速，高电压，栅极钳位
N沟道和P沟道MOSFET对采用SO - 8封装。
这些低阈增强模式（常关）
晶体管采用了先进的垂直DMOS结构
和Supertex公司的成熟的硅栅制造
流程。这种结合产生与器件
双极晶体管的功率处理能力和
具有高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特色
所有的MOS结构中，这些设备是无热
失控和热致二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压，高的击穿电压，高
输入阻抗，低输入电容，和快速开关
速度是需要的。
应用
医用超声变送器
高电压脉冲发生器
放大器器
缓冲器
压电换能器驱动程序
通用线路驱动器
订购信息
设备
TC6320
封装选项
8引脚SOIC （窄体）
TC6320TG
TC6320TG-G
BV
DSS
/ BV
DGS
N沟道
200V
P沟道
-200V
R
DS （ ON）
（最大）
N沟道
7.0Ω
P沟道
8.0Ω
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
引脚CON组fi guration
S1
1
2
3
4
P沟道
N沟道
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
绝对最大额定值
参数
漏源极电压
漏极至栅极电压
工作和存储温度
焊接温度
1
价值
BV
DSS
BV
DGS
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
G1
S2
G2
绝对最大额定值是那些价值超过该受损
可能出现的设备。在这些条件下的功能操作不
暗示。该设备在绝对评价等级连续运行
可能会影响器件的可靠性。所有电压参考器件接地。
注： 1 。
为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
SO- 8封装
（ TOP VIEW ）
TC6320
N沟道电气特性
（T = 25° C除非另有规定编）
J
符号
参数
民
典型值
最大
单位
条件
BV
DSS
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
R
GS
ΔR
GS
VZ
GS
γVZ
GS
I
DSS
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
栅源分流电阻
变化RGS与温度
栅源击穿电压
改变VZGS与温度
零栅极电压漏极电流
200
1.0
-
10
-
13.2
-
-
-
1.0
2.0
-
-
-
400
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
-4.5
50
待定
25
待定
V
V
毫伏/
O
C
KΩ
%/
O
C
V
毫伏/
O
C
A
mA
A
V
GS
= 0V时，我
D
= 2.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
I
GS
= 100A
I
GS
= 100A
I
GS
= 2.0毫安
I
GS
= 2.0毫安
V
DS
=最大额定值，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8最大额定值，
V
GS
= 0V ，T
A
= 125
O
C
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 150毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.0A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=150mA
V
DS
= 25V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 0V,
V
DS
= 25V,
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
10.0
1.0
-
-
8.0
7.0
1.0
-
110
60
23
10
15
20
15
1.8
-
I
D（上）
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
静态漏 - 源极导通电阻
tance
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
Ω
%/
O
C
mmho
pF
ns
V
DD
=25V,
I
D
= 1.0A,
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= 0.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 0.5A
V
ns
注意事项：
1.全直流参数在25℃经过100％测试，除非另有说明。 （脉冲测试： 300秒脉冲， 2 ％占空比）
2.所有参数交流采样测试。
N沟道开关波形和测试电路
10V
输入
0V
10%
t
（上）
t
D（上）
V
DD
产量
0V
90%
90%
10%
t
r
t
（关闭）
t
D（关闭）
t
f
10%
输入
90%
脉冲
发电机
R
根
V
DD
R
L
产量
D.U.T
2
TC6320
P-通道电气特性
（T = 25° C除非另有规定编）
J
符号
参数
民
典型值
最大
单位
条件
BV
DSS
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
R
GS
ΔR
GS
VZ
GS
γVZ
GS
I
DSS
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
栅源分流电阻
变化在研发
GS
随温度
栅源击穿电压
变化RGS与温度
零栅极电压漏极电流
-200
-1.0
-
10
-
13.2
-
-
-
-1.0
-2.0
-
-
-
400
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
-
-2.4
4.5
50
待定
25
待定
-10
-1.0
-
-
10
8.0
1.0
-
200
55
30
10
15
20
15
-1.8
-
V
V
毫伏/
O
C
KΩ
%/
O
C
V
毫伏/
O
C
A
mA
A
V
GS
= 0V时，我
D
= -2.0A
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
I
GS
= 100A
I
GS
= 100A
I
GS
= -2mA
I
GS
= -2mA
V
DS
=最大额定值，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8最大额定值，
V
GS
= 0V ，T
A
= 125
O
C
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -25V
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -150mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -1.0A
V
GS
= -10V ，我
D
=-200mA
V
DS
= -25V ，我
D
= -200mA
V
GS
= 0V,
V
DS
= -25V,
F = 1MHz的
I
D（上）
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
静态漏 - 源极导通电阻
tance
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
Ω
%/
O
C
mmho
pF
ns
V
DD
= -25V,
I
D
= -1.0A,
R
根
= 25Ω
V
GS
= 0V时，我
SD
= -0.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= -0.5A
V
ns
注意事项：
1.全直流参数在25℃经过100％测试，除非另有说明。 （脉冲测试： 300秒脉冲， 2 ％占空比）
2.所有参数交流采样测试。
P-通道开关波形和测试电路
0V
输入
-10V
90%
t
（上）
t
D（上）
0V
产量
V
DD
t
r
90%
10%
t
（关闭）
t
D（关闭）
90%
R
L
10%
V
DD
t
f
输入
产量
R
根
D.U.T
10%
脉冲
发电机
3
TC6320
8引脚SO （ TG ）封装外形
4.90 ± 0.10
8
6.00 ± 0.20
3.90 ± 0.10
注2
1
顶视图
0.17 - 0.25
1.75最大
1.25敏
5° - 15°
（ 4 PLC）的
45°
0.25 - 0.50
注2
0° - 8°
0.10 - 0.25
1.27BSC
0.40 - 1.27
0.31 - 0.51
SIDE VIEW
注意事项：
1.以毫米为单位所有尺寸。角度。
2.如果在角落里不倒角，那么引脚1标识符
必须位于该区域之内的指示。
端视图
（包图纸（S ）本数据表可能不会再FL ECT最新的特定连接的阳离子。如需最近的封装外形
信息，请访问
http://www.supertex.com/packaging.html 。 ）
DOC 。 ＃ DSFP - TC6320
C112106
4
TC6320
________________________________________________________________________________
初始版本
N和P沟道增强型MOSFET配对
特点
集成的栅极 - 源极电阻
集成的栅源齐纳二极管
低门槛
低导通电阻
独立N和P通道
电气隔离N和P通道
低输入电容
快速开关速度
无二次击穿
低输入和输出泄漏
概述
Supertex公司TC6320TG由高电压低
采用SO -8的阈值N沟道和P沟道MOSFET
封装。两个MOSFET集成了栅极 - 源极
电阻和栅极 - 源极的齐纳二极管钳位它们是
所需的高电压脉冲发生器的应用。 TC6320TG ，一
互补的高速，高电压，栅极钳位
N和P沟道MOSFET对在单一的SO-8
封装。该TC6320TG提供200V的击穿电压，
2.0A峰值输出电流和低输入电容。该
2.0A输出电流能力会减少上升和下降
次。低输入电容将最小化
传播延迟时间，并上升和下降时间。该
MOSFET具有集成的栅极 - 源极电阻和
期望用于高该栅极 - 源极的齐纳二极管钳位
电压脉冲的应用节省电路板空间和
提高了性能。它是专为设计
在医用超声发射器和非应用
材料探伤无损评价，但它
也可以用作为有效的缓冲。
应用
高电压脉冲发生器
放大器器
缓冲器
压电换能器驱动程序
通用线路驱动器
逻辑电平接口
封装选项
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
N沟道
绝对最大额定值*
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
S2
G2
BV
DSS
BV
DGS
-55 ° C至+ 150°C
300°C
P沟道
SO- 8封装
（ TOP VIEW ）
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用，在这种应用中会不会有意地销售其产品中使用，除非收到足够
agreement." Supertex公司"products责任赔偿保险不承担的设备的责任说明和更换设备的限制其赔偿责任
确定是由于工艺缺陷。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。为
最新的产品规格，请参阅Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或
在Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
TC6320
________________________________________________________________________________
BV
DSS
/ BV
DGS
N沟道P沟道
200V
-200V
R
DS （ ON）
（最大）
N沟道
P沟道
7.0
8.0
订单号码/套餐
SO-8
TC6320TG
N沟道电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
R
GS
R
GS
Vz
GS
γVZ
GS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
栅源分流电阻
变化在研发
GS
随温度
栅源击穿电压
变化Vz的
GS
随温度
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
民
200
1.0
10
13.2
典型值
最大
2.0
-4.5
50
待定
25
待定
10
1.0
单位
V
V
毫伏/°C的
K
%/°C
V
毫伏/°C的
A
mA
A
8.0
7.0
1.0
400
110
60
23
10
15
20
15
1.8
300
%/°C
mmho
pF
ns
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=2mA
V
GS
=V
DS
, I
D
=1mA
V
GS
=V
DS
, I
D
=1mA
I
GS
=100A
I
GS
=100A
I
GS
=2mA
I
GS
=2mA
V
GS
=0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
=0V, V
DS
= 0.8最大
评级，T
A
=125°C
V
GS
=4.5V, V
DS
=25V
V
GS
=10V, V
DS
=25V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=150mA
V
GS
= 10V ，我
D
=1.0A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=150mA
V
DS
= 25V ，我
D
=200mA
V
GS
=0V, V
DS
=25V
f=1MHz
V
DD
=25V,
I
D
=1.0A
R
根
=25
V
GS
= 0V时，我
SD
=0.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
=0.5A
1.0
2.0
V
ns
注意事项：
1）所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲以2 ％的占空比）。
2 ）所有AC参数样本进行测试。
N沟道开关波形和测试电路
10V
输入
0V
10%
t
（上）
t
D（上）
V
DD
产量
0V
90%
90%
10%
t
r
t
（关闭）
t
D（关闭）
t
f
10%
输入
90%
脉冲
发电机
R
根
V
DD
R
L
产量
D.U.T
Supertex公司，公司
2
2003年1月21日
TC6320
________________________________________________________________________________
P沟道电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
R
GS
R
GS
Vz
GS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
栅源分流电阻
变化在研发
GS
随温度
栅源击穿电压
变化Vz的
GS
随温度
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
民
-200
-1.0
10
13.2
典型值
最大
-2.4
4.5
50
待定
25
待定
-10
-1.0
单位
V
V
毫伏/°C的
K
%/°C
V
毫伏/°C的
A
mA
A
10
8.0
1.0
400
200
55
30
10
15
20
15
-1.8
300
%/°C
mmho
pF
ns
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-2mA
V
GS
=V
DS
, I
D
=-1mA
V
GS
=V
DS
, I
D
=-1mA
I
GS
=-100A
I
GS
=-100A
I
GS
=-2mA
I
GS
=-2mA
V
GS
=0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
=0V, V
DS
= 0.8最大
评级，T
A
=125°C
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-25V
V
GS
=-10V, V
DS
=-25V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-150mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-1.0A
V
GS
= -10V ，我
D
=-200mA
V
DS
= -25V ，我
D
=-200mA
V
GS
=0V, V
DS
=-25V
f=1MHz
V
DD
=-25V,
I
D
=-1.0A
R
根
=25
V
GS
= 0V时，我
SD
=-0.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
=-0.5A
-1.0
-2.0
V
ns
注意事项：
1）所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲以2 ％的占空比）。
2 ）所有AC参数样本进行测试。
P沟道开关波形和测试电路
0V
输入
-10V
90%
t
（上）
t
D（上）
0V
产量
V
DD
t
r
90%
10%
t
（关闭）
t
D（关闭）
90%
R
L
10%
V
DD
t
f
输入
产量
10%
脉冲
发电机
R
根
D.U.T
1/22/03
QQ：2881677436 复制
