TC59LM914/06AMG-37,-50
暂定
东芝MOS数字集成电路硅单片
512Mbits网络FCRAM1 （ SSTL_18 / HSTL_Interface ）
4,194,304-WORDS
×
8银行
×
16-BITS
8,388,608-WORDS
×
8银行
×
8-BITS
描述
网络FCRAM
TM
是双倍数据速率快速循环随机存取存储器。 TC59LM914 / 06AMG是快速循环
随机存取存储器（网络FCRAM
TM
）含536,870,912的存储单元。 TC59LM914AMG组织
为4,194,304字
×
8银行
×
16位， TC59LM906AMG被组织为8388608字
×
8银行
×
8位。
TC59LM914 / 06AMG配备了参考时钟边沿使所有操作都完全同步操作
在时钟输入使高性能和简单的用户界面共存的同步。
TC59LM914 / 06AMG可以与普通DDR SDRAM相比，操作速度快的核心循环。
TC59LM914 / 06AMG适用于网络，服务器和其他应用大内存密度和低
功耗是必需的。输出驱动器，用于网络FCRAM
TM
能够高质量快速数据
在轻负载条件转移。
特点
参数
CL
=
3
t
CK
时钟周期时间（min）
CL
=
4
CL
=
5
t
RC
随机读/写周期时间（分钟）
t
RAC
随机访问时间（最大）
I
DD1S
工作电流（单一银行） （最大值）
l
DD2P
掉电电流（最大值）
l
DD6
自刷新电流（最大值）
TC59LM914/06
-37
5.5纳秒
4.5纳秒
3.75纳秒
22.5纳秒
22.0纳秒
280毫安
90毫安
20毫安
-50
6.0纳秒
5.5纳秒
5.0纳秒
27.5纳秒
24.0纳秒
240毫安
80毫安
20毫安
完全同步操作
双倍数据速率（ DDR ）
数据输入/输出与DQS的两个边缘同步。
差分时钟（CLK和
CLK
）输入
CS
， FN和所有地址输入信号进行采样，在CLK的上升沿。
输出数据（ DQS和DQS）对齐CLK的口岸和
CLK
.
3.75 ns的快速最小时钟周期时间
时钟： 266 MHz的最高
数据： 533 Mbps的/针最大
快速周期和短延迟
八个独立运营的银行
当BA2输入分配到A14输入， TC59LM914 / 06AMG可以作为4银行设备功能
（保持向后兼容至256MB ）
双向差分数据选通信号： TC59LM906AMG
每字节双向数据选通信号
： TC59LM914AMG
分布式自动刷新周期3.9
s
自刷新
掉电模式
变量写入长度控制
写入延迟
=
CAS
Latency-1
可编程
CAS
延迟和突发长度
CAS
潜伏期
=
3, 4, 5
突发长度
=
2, 4
组织： TC59LM914AMG ： 4,194,304字
×
8银行
×
16位
TC59LM906AMG ： 8388608字
×
8银行
×
8位
电源电压
V
DD
:
2.5 V
±
0.125V
V
DDQ
: 1.4 V
1.9 V
1.8 V CMOS I / O符合SSTL_18和HSTL
包装：
60Ball BGA ， 1毫米
×
1毫米球间距（P - BGA64-1317-1.00AZ ）
注意： FCRAM是富士通公司，日本的商标。
1.0版
2004-08-20
1/59
TC59LM914/06AMG-37,-50
框图
CLK
CLK
PD
DLL
时钟
卜FF器
到的每个块
BANK ＃ 7
BANK ＃ 6
BANK ＃ 5
BANK ＃ 4
银行＃ 3
银行＃ 2
银行＃ 1
银行＃ 0
数据
控制和锁存
电路
CS
FN
命令
解码器
控制
信号
发电机
模式
注册
A0~A13
地址
卜FF器
BA0~BA2
高地址
LATCH
低地址
LATCH
行解码器
内存
电池阵列
列解码器
刷新
计数器
BURST
计数器
写地址
锁存器/
地址
比较
读
数据
卜FF器
写
数据
卜FF器
的DQ
的DQ
DQ BUFFER
DQ0~DQn
注： TC59LM906AMG配置是8银行16384
×
512
×
单元阵列与DQ引脚的8号DQ0 DQ7 。
该TC59LM914AMG配置是8银行16384
×
256
×
单元阵列与DQ引脚编号DQ0 DQ15的16 。
TC59LM906AMG有DQS ， DQS引脚为差分数据选通。
TC59LM914AMG有UDQS和LDQS 。
1.0版
2004-08-20
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TC59LM914/06AMG-37,-50
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
DDQ
V
IN
V
OUT
V
REF
T
OPR
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
参数
电源电压
电源电压（ I / O缓冲器）
输入电压
输出I / O引脚上的电压
输入参考电压
工作温度（外壳）
储存温度
焊接温度（ 10秒）
功耗
短路输出电流
等级
0.3~ 3.3
0.3~V
DD
+
0.3
0.3~V
DD
+
0.3
0.3~V
DDQ
+
0.3
0.3~V
DD
+
0.3
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
W
mA
笔记
0~85
55~150
260
2
±
50
注意： “绝对最大额定值”的限制条件外，可能会对设备造成永久性损坏。
该设备是不是意味着在这个操作部分中描述的限制以外的条件下操作
特定连接的阳离子。
置身于“绝对最大额定值”长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的直流，交流工作条件
（注： 1 ） （T
例
=
0~85°C)
符号
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
ICK
（DC）的
V
ID
（DC）的
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
V
ID
（AC）的
V
X
（AC）的
V
ISO
（AC）的
参数
电源电压
电源电压（ I / O缓冲器）
输入参考电压
输入直流电压高
输入直流低电压
差分直流输入电压
直流输入差分电压。
AC输入电压高
AC输入电压低
AC输入差分电压
差分交流输入交叉点电压
差分交流中层
民
2.375
1.4
V
DDQ
/2
×
95%
V
REF
+
0.125
0.1
0.1
典型值。
2.5
最大
2.625
1.9
V
DDQ
/2
×
105%
V
DDQ
+
0.2
V
REF
0.125
V
DDQ
+
0.1
V
DDQ
+
0.2
V
DDQ
+
0.2
V
REF
0.2
V
DDQ
+
0.2
V
DDQ
/2
+
0.125
V
DDQ
/2
+
0.125
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
笔记
V
DDQ
/2
2
5
5
10
7, 10
3, 6
4, 6
7, 10
8, 10
9, 10
0.4
V
REF
+
0.2
0.1
0.5
V
DDQ
/2
0.125
V
DDQ
/2
0.125
1.0版
2004-08-20
5/59
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