TC59LM814/06CFT-50,-55,-60
东芝MOS数字集成电路硅单片
4,194,304-WORDS
×
4银行
×
16位网络FCRAM
TM
8,388,608-WORDS
×
4银行
×
8位网络FCRAM
描述
TM
网络FCRAM
TM
是双倍数据速率快速循环随机存取存储器。 TC59LM814 / 06CFT都网
FCRAM
TM
含268435456存储器单元。 TC59LM814CFT组织为4,194,304字
×
4组S× 16
位， TC59LM806CFT组织为8,388,608字
×
4银行
×
8位。 TC59LM814 / 06CFT设有一间
参考时钟边沿同步操作，从而所有的操作都在一个时钟输入同步哪些
实现高性能和简单的用户界面共存。 TC59LM814 / 06CFT可以操作的快速核心周期
使用FCRAM
TM
核心架构与普通DDR SDRAM相比。
TC59LM814 / 06CFT适用于网络，服务器和其他应用大内存密度和低
功耗是必需的。输出驱动器，用于网络FCRAM
TM
能够高质量快速数据
在轻负载条件转移。
特点
参数
CL
=
3
CL
=
4
t
RC
随机读/写周期时间（分钟）
t
RAC
随机访问时间（最大）
I
DD1S
工作电流（单一银行） （最大值）
l
DD2P
掉电电流（最大值）
l
DD6
自刷新电流（最大值）
t
CK
时钟周期时间（min）
-50
5.5纳秒
5纳秒
25纳秒
22纳秒
190毫安
2毫安
3毫安
TC59LM814/06
-55
6纳秒
5.5纳秒
27.5纳秒
24纳秒
180毫安
2毫安
3毫安
-60
6.5纳秒
6纳秒
30纳秒
26纳秒
170毫安
2毫安
3毫安
完全同步操作
双倍数据速率（ DDR ）
数据输入/输出与DQS的两个边缘同步。
差分时钟（ CLK和CLK ）输入
CS ， FN和所有地址输入信号进行采样，在CLK的上升沿。
输出数据（DQS和DQS ）被对齐到CLK和CLK的交叉点。
的5纳秒的最低速时钟周期时间
时钟： 200 MHz的最高
数据： 400 Mbps的/针最大
四路独立的银行操作
快速周期和短延迟
双向数据选通信号
分布式自动刷新周期7.8
s
自刷新
掉电模式
变量写入长度控制
写入延迟
=
CAS延迟1
可编程CAS延迟和突发长度
CAS延迟
=
3, 4
突发长度
=
2, 4
组织
TC59LM814CFT ： 4,194,304字
×
4银行
×
16位
TC59LM806CFT ： 8388608字
×
4银行
×
8位
电源电压V
DD
:
2.5 V
±
0.15 V
V
DDQ
: 2.5 V
±
0.15 V
2.5 V CMOS I / O符合SSTL - 2 （半强度的驱动程序）
包装：
400
×
875万， 66引脚TSOPII ，0.65毫米针距（ TSOPII66 -P - 400-0.65 ）
注意： FCRAM是富士通公司，日本的注册商标。
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TC59LM814/06CFT-50,-55,-60
引脚名称
针
A0~A14
BA0 ， BA1
DQ0 DQ7 （ × 8 ）
数据输入/输出
DQ0 DQ15 （ × 16 ）
CS
引脚分配
（ TOP VIEW ）
名字
TC59LM814CFT
地址输入
银行地址
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
NC
1
V
DDQ
LDQS
NC
1
V
DD
NC
1
NC
1
A14
A13
FN
CS
NC
1
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
V
DD
DQ0
V
DDQ
NC
2
DQ1
V
SSQ
NC
2
DQ2
V
DDQ
NC
2
DQ3
V
SSQ
NC
2
NC
1
V
DDQ
NC
2
NC
1
V
DD
NC
1
NC
1
A14
A13
FN
CS
NC
1
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
TC59LM806CFT
1
2
3
4
5
6
7
8
9 400万宽
10 875密耳的长度
11
12
13
14 66引脚TSOPII
15
16
17
18
0.65 mm
19
20引线间距
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
V
SS
V
SS
DQ7 DQ15
V
SSQ
V
SSQ
NC
2
DQ14
DQ6 DQ13
V
DDQ
V
DDQ
NC
2
DQ12
DQ5 DQ11
V
SSQ
V
SSQ
NC
2
DQ10
DQ4 DQ9
V
DDQ
V
DDQ
NC
2
DQ8
NC
1
NC
1
V
SSQ
V
SSQ
DQS UDQS
NC
1
NC
1
V
REF
V
REF
V
SS1
V
SS1
NC
NC
CLK CLK
CLK CLK
PD
1
PD
1
NC
NC
A12 A12
A11 A11
A9
A9
A8
A8
A7
A7
A6
A6
A5
A5
A4
A4
V
SS
V
SS
芯片选择
功能控制
掉电控制
时钟输入
读/写数据选通
FN
PD
CLK ，
CLK
DQS （ × 8 ）
UDQS / LDQS （ × 16 ）
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
V
REF
NC ， NC
1
2
电源（ +2.5 V）
地
电源（ +2.5 V）
（用于I / O缓冲器）
地
（用于I / O缓冲器）
参考电压
没有连接
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TC59LM814/06CFT-50,-55,-60
框图
CLK
CLK
PD
DLL
时钟
卜FF器
到的每个块
CS
FN
命令
解码器
控制
信号
发电机
银行＃ 3
银行＃ 2
银行＃ 1
数据
控制和锁存
电路
读
数据
卜FF器
写
数据
卜FF器
DQ BUFFER
DQ0~DQn
银行＃ 0
行解码器
模式
注册
A0~A14
地址
卜FF器
高地址
LATCH
低地址
LATCH
内存
电池阵列
BA0 ， BA1
列解码器
刷新
计数器
BURST
计数器
写地址
锁存器/
地址
比较
的DQ
注： TC59LM806CFT配置是32768
×
256
×
单元阵列与DQ引脚的8号DQ0 DQ7 。
该TC59LM814CFT配置是32768
×
128
×
单元阵列与DQ引脚编号DQ0 DQ15的16 。
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TC59LM814/06CFT-50,-55,-60
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
DDQ
V
IN
V
OUT
V
REF
T
OPR
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
参数
电源电压
电源电压（ I / O缓冲器）
输入电压
DQ引脚电压
输入参考电压
工作温度
储存温度
焊接温度（ 10秒）
功耗
短路输出电流
等级
0.3~
3.3
0.3~V
DD
+
0.3
0.3~V
DD
+
0.3
0.3~V
DDQ
+
0.3
0.3~3.3
0~70
55~150
260
1
±50
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
W
mA
笔记
注意： “绝对最大额定值”的限制条件外，可能会对设备造成永久性损坏。
该设备是不是意味着在这个操作部分中描述的限制以外的条件下操作
特定连接的阳离子。
置身于“绝对最大额定值”长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的直流，交流工作条件
（注： 1 ） （大
=
0°~70°C)
符号
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
ICK
（DC）的
V
ID
（DC）的
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
V
ID
（AC）的
V
X
（AC）的
V
ISO
（AC）的
参数
电源电压
电源电压（ I / O缓冲器）
输入参考电压
输入直流电压高
输入直流低电压
差分时钟输入直流电压
输入差分电压。
CLK和
CLK
输入（ DC）的
AC输入电压高
AC输入电压低
输入差分电压。
CLK和
CLK
输入（ AC）的
差分交流输入交叉点电压
差分时钟AC中层
民
2.35
2.35
V
DDQ
/2
×
96%
V
REF
+
0.2
0.1
0.1
0.4
V
REF
+
0.35
0.1
0.7
V
DDQ
/2
0.2
V
DDQ
/2
0.2
典型值。
2.5
V
DD
V
DDQ
/2
最大
2.65
V
DD
V
DDQ
/2
×
104%
V
DDQ
+
0.2
V
REF
0.2
V
DDQ
+
0.1
V
DDQ
+
0.2
V
DDQ
+
0.2
V
REF
0.35
V
DDQ
+
0.2
V
DDQ
/2
+
0.2
V
DDQ
/2
+
0.2
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
2
5
5
10
7, 10
3, 6
4, 6
7, 10
8, 10
9, 10
笔记
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TC59LM814/06CFT-50,-55,-60
注意：
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
参考V所有电压
SS
, V
SSQ
.
V
REF
预计跟踪变化为V
DDQ
发送设备的DC电平。
峰到峰的V AC噪音
REF
不得超过
±2%
V
REF
（直流） 。
过冲限制： V
IH （最大）
=
V
DDQ
+
0.9伏的脉冲宽度
≤
5纳秒。
冲限制： V
白细胞介素（分钟）
= 0.9
V与一个脉冲宽度
≤
5纳秒。
V
IH
（直流）和V
IL
（ DC ）的水平，以保持目前的逻辑状态。
V
IH
交流（AC）和V
IL
交流（AC）的水平改变到新的逻辑状态。
V
ID
是CLK输入级和CLK输入电平之间的差的幅值。
V的值
X
交流（AC）预计相当于V
DDQ
发送设备的/ 2 。
V
ISO
方法{V
ICK
（CLK）
+
V
ICK
（CLK） } / 2
请参考下图。
CLK
V
x
CLK
V
x
V
ICK
V
x
V
x
V
ICK
V
x
V
ICK
V
ID
（AC）的
V
ICK
V
SS
|V
ID
交流（AC） |
0 V差分
V
ISO
V
ISO
（分钟）
V
SS
V
ISO
（最大）
(11)
在外部终端的情况下， VTT （终止电压）应该消失在V的范围内
REF
（DC）的
±
0.04 V.
电容
(V
DD
,
V
DDQ
=
2.5 V，F
=
1 MHz时，TA
=
25°C)
符号
C
IN
C
INC。
C
I / O
C
NC
C
NC
1
2
参数
输入引脚电容
时钟引脚（ CLK，
CLK
）电容
I / O引脚（ DQ ， DQS ）电容
NC引脚电容
NC引脚电容
2
1
民
2.5
2.5
4.0
4.0
最大
4.0
4.0
6.0
1.5
6.0
单位
pF
pF
pF
pF
pF
注：这些参数周期性采样，而不是100 ％测试。
2
NC引脚具有调节相邻引脚电容的附加电容。
2
NC引脚有电源和接地线夹。
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