TC58FVT641/B641FT/XB-70,-10
暂定
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
64兆位（ 8M
×
8 BITS / 4M
×
16位） CMOS FLASH MEMORY
描述
该TC58FVT641 / B641是一种67,108,864位， 3.0 -V只读电可擦除和可编程闪存
组织为8,388,608字
×
8位或为4,194,304字
×
16位。该TC58FVT641 / B641功能命令
对于读取，编程和擦除操作，以方便与微处理器接口。该命令基于
在JEDEC标准。在编程和擦除操作是在芯片自动执行。该
TC58FVT641 / B641还具有同步读/写操作，使数据可以写在读或
擦除操作。
特点
电源电压
V
DD
=
2.7 V~3.6 V
工作温度
Ta
= 40°C~85°C
组织
8M
×
8 BITS / 4M
×
16位
功能
同时读/写
自动编程，自动擦除
快速编程模式/加速模式
计划暂停/恢复
擦除挂起/恢复
数据查询/切换位
块保护，引导块保护
自动休眠，隐藏的ROM区支持
通用闪存接口（ CFI ）
字节/字模式
块擦除架构
8
×
8千字节/ 127
×
64字节
BOOT BLOCK建筑
TC58FVT641FT / XB ：顶引导块
TC58FVB641FT / XB ：底部启动块
模式控制
兼容JEDEC标准的命令
擦除/编程周期
10
5
周期的典型。
存取时间
70纳秒
(C
L
： 30 pF的）
100纳秒（C
L
： 100 pF的）
耗电量
10
A
（待机）
30毫安（读操作）
15毫安（编程/擦除操作）
包
TSOPI48 -P - 1220-0.50 （权重0.52 G）
P- TFBGA63-0911-0.80AZ （重量： TBD）
000707EBA1
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失
财产损失。
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最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
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2001-09-06
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