TC58FVM7(T/B)2AFT(65/80)
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
128兆位（ 16M
×
8位/ 8M
×
16位） CMOS FLASH MEMORY
描述
该TC58FVM7T2A / B2A是134217728位， 3.0 -V只读电可擦除和可编程闪存
内存组织为16777216字
×
8位或为8388608字
×
16位。该TC58FVM7T2A / B2A功能
对于读取，编程和擦除操作的命令，以方便与微处理器接口。命令
根据JEDEC标准。在编程和擦除操作是在芯片自动执行。该
TC58FVM7T2A / B2A还设有一个同步读/写操作，使数据可以写在读或
擦除操作。
特点
访问时间（随机/页）
电源电压
V
DD
=
2.3 V~3.6 V
TC58FVM7T2A / B2AFT65 TC58FVM7T2A / B2AFT80
工作温度
V
DD
CL
=
30 pF的CL
=
100 pF的CL
=
30 pF的CL
=
100 pF的
Ta
= 40°C~85°C
组织
2.7 3.6V 65纳秒/ 25纳秒70纳秒/ 30纳秒80纳秒/ 30纳秒85纳秒/ 35纳秒
16M
×
8比特/ 8M
×
16位
2.3 3.6V 70纳秒/ 30纳秒75纳秒/ 35纳秒85纳秒/ 35纳秒90纳秒/ 40纳秒
功能
耗电量
同时读/写
10
A
（待机）
页面读取
15毫安（编程/擦除操作）
自动编程，自动页面编程
55毫安（随机读取操作）
自动块擦除，汽车芯片擦除
11毫安（地址增量读操作）
快速编程模式/加速模式
5毫安（页读操作）
计划暂停/恢复
包
擦除挂起/恢复
TSOPⅠ56 -P - 1420-0.50A （重量： 0.61克）
数据查询/切换位
块保护，引导块保护
自动休眠，隐藏的ROM区支持
通用闪存接口（ CFI ）
字节/字模式
块擦除架构
8
×
8千字节/ 255
×
64字节
BOOT BLOCK建筑
TC58FVM7T2A ：顶引导块
TC58FVM7B2A ：底部启动块
模式控制
兼容JEDEC标准的命令
擦除/编程周期
10
5
周期的典型。
2002-10-24 1/68
TC58FVM7(T/B)2AFT(65/80)
订购信息
TC58
F V
M7
T2
FT一65
极速版
65
=
65纳秒， 80
=
80纳秒
包
FT
=
TSOP
设计规则
A
=
0.16
m
功能/引导块架构/银比率
T2
=
页面模式/上引导块/ 1 ： 3 ： 3 ： 1
B2
=
页面模式/底部引导块/ 1 ： 3 ： 3 ： 1
容量
M7
=
128Mbits
电源电压
V
=
3V系统
设备类型
F
=
NOR闪存
东芝CMOS ê
2
舞会
订货型号
TC58FVM7T2AFT65
TC58FVM7B2AFT65
TC58FVM7T2AFT80
TC58FVM7B2AFT80
BOOT BLOCK
顶部
极速版
包
65ns
底部
TSOPI56-P-1420-0.50
顶部
85ns
底部
2002-10-24 2/68
TC58FVM7(T/B)2AFT(65/80)
模式选择
字节模式字模式
模式
读/页读
ID读（制造商代码）
ID读（设备代码）
待机
输出禁用
写
块保护1
验证块保护
临时撤消座
硬件复位/待机
引导块保护
CE
OE
WE
H
H
H
*
H
(2)
(2)
A9
A9
V
ID
V
ID
*
*
A9
V
ID
V
ID
*
*
*
A6
A6
L
L
*
*
A6
L
L
*
*
*
A1
A1
L
L
*
*
A1
H
H
*
*
*
A0
A0
L
H
*
*
A0
L
L
*
*
*
RESET
WP / ACC
DQ0~DQ7
D
OUT
CODE
CODE
高-Z
高-Z
D
IN
*
CODE
*
高-Z
*
(1)
DQ0~DQ15
D
OUT
CODE
CODE
高-Z
高-Z
D
IN
*
CODE
*
高-Z
*
L
L
L
H
*
L
L
L
*
*
*
L
L
L
*
H
H
V
ID
L
*
*
*
H
H
H
H
*
H
H
H
V
ID
L
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
L
H
*
*
*
注意事项：
*
=
V
IH
或V
IL
, L
=
V
IL
, H
=
V
IH
（ 1 ） DQ8 DQ14是高阻和DQ15 / A - 1是地址输入的字节模式。
地址为A22 A0在Word模式（ BYTE
=
V
IH
） ， A22 A- 1字节模式（ BYTE
=
V
IL
).
（ 2 ）脉冲输入
ID码表
代码类型
制造商代码
TC58FVM7T2A
器件代码
TC58FVM7B2A
验证块保护
*
BA
(2)
A22~A12
*
*
A6
L
L
L
L
A1
L
L
L
H
A0
L
H
H
L
代码（十六进制）
0098h
007Ch
0082h
数据
(3)
(1)
注意事项：
*
=
V
IH
或V
IL
, L
=
V
IL
, H
=
V
IH
（ 1 ） DQ8 DQ14是高阻和DQ15 / A - 1是地址输入的字节模式。
（ 2 ） BA ：块地址
（ 3 ） 0001H - 保护座
0000H - 无保护座
2002-10-24 5/68
TC58FVM7(T/B)2AFT(65/80)
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
128兆位（ 16M
×
8位/ 8M
×
16位） CMOS FLASH MEMORY
描述
该TC58FVM7T2A / B2A是134217728位， 3.0 -V只读电可擦除和可编程闪存
内存组织为16777216字
×
8位或为8388608字
×
16位。该TC58FVM7T2A / B2A功能
对于读取，编程和擦除操作的命令，以方便与微处理器接口。命令
根据JEDEC标准。在编程和擦除操作是在芯片自动执行。该
TC58FVM7T2A / B2A还设有一个同步读/写操作，使数据可以写在读或
擦除操作。
特点
访问时间（随机/页）
电源电压
V
DD
=
2.3 V~3.6 V
TC58FVM7T2A / B2AFT65 TC58FVM7T2A / B2AFT80
工作温度
V
DD
CL
=
30 pF的CL
=
100 pF的CL
=
30 pF的CL
=
100 pF的
Ta
= 40°C~85°C
组织
2.7 3.6V 65纳秒/ 25纳秒70纳秒/ 30纳秒80纳秒/ 30纳秒85纳秒/ 35纳秒
16M
×
8比特/ 8M
×
16位
2.3 3.6V 70纳秒/ 30纳秒75纳秒/ 35纳秒85纳秒/ 35纳秒90纳秒/ 40纳秒
功能
耗电量
同时读/写
10
A
（待机）
页面读取
15毫安（编程/擦除操作）
自动编程，自动页面编程
55毫安（随机读取操作）
自动块擦除，汽车芯片擦除
11毫安（地址增量读操作）
快速编程模式/加速模式
5毫安（页读操作）
计划暂停/恢复
包
擦除挂起/恢复
TSOPⅠ56 -P - 1420-0.50A （重量： 0.61克）
数据查询/切换位
块保护，引导块保护
自动休眠，隐藏的ROM区支持
通用闪存接口（ CFI ）
字节/字模式
块擦除架构
8
×
8千字节/ 255
×
64字节
BOOT BLOCK建筑
TC58FVM7T2A ：顶引导块
TC58FVM7B2A ：底部启动块
模式控制
兼容JEDEC标准的命令
擦除/编程周期
10
5
周期的典型。
2002-10-24 1/68
TC58FVM7(T/B)2AFT(65/80)
订购信息
TC58
F V
M7
T2
FT一65
极速版
65
=
65纳秒， 80
=
80纳秒
包
FT
=
TSOP
设计规则
A
=
0.16
m
功能/引导块架构/银比率
T2
=
页面模式/上引导块/ 1 ： 3 ： 3 ： 1
B2
=
页面模式/底部引导块/ 1 ： 3 ： 3 ： 1
容量
M7
=
128Mbits
电源电压
V
=
3V系统
设备类型
F
=
NOR闪存
东芝CMOS ê
2
舞会
订货型号
TC58FVM7T2AFT65
TC58FVM7B2AFT65
TC58FVM7T2AFT80
TC58FVM7B2AFT80
BOOT BLOCK
顶部
极速版
包
65ns
底部
TSOPI56-P-1420-0.50
顶部
85ns
底部
2002-10-24 2/68
TC58FVM7(T/B)2AFT(65/80)
模式选择
字节模式字模式
模式
读/页读
ID读（制造商代码）
ID读（设备代码）
待机
输出禁用
写
块保护1
验证块保护
临时撤消座
硬件复位/待机
引导块保护
CE
OE
WE
H
H
H
*
H
(2)
(2)
A9
A9
V
ID
V
ID
*
*
A9
V
ID
V
ID
*
*
*
A6
A6
L
L
*
*
A6
L
L
*
*
*
A1
A1
L
L
*
*
A1
H
H
*
*
*
A0
A0
L
H
*
*
A0
L
L
*
*
*
RESET
WP / ACC
DQ0~DQ7
D
OUT
CODE
CODE
高-Z
高-Z
D
IN
*
CODE
*
高-Z
*
(1)
DQ0~DQ15
D
OUT
CODE
CODE
高-Z
高-Z
D
IN
*
CODE
*
高-Z
*
L
L
L
H
*
L
L
L
*
*
*
L
L
L
*
H
H
V
ID
L
*
*
*
H
H
H
H
*
H
H
H
V
ID
L
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
L
H
*
*
*
注意事项：
*
=
V
IH
或V
IL
, L
=
V
IL
, H
=
V
IH
（ 1 ） DQ8 DQ14是高阻和DQ15 / A - 1是地址输入的字节模式。
地址为A22 A0在Word模式（ BYTE
=
V
IH
） ， A22 A- 1字节模式（ BYTE
=
V
IL
).
（ 2 ）脉冲输入
ID码表
代码类型
制造商代码
TC58FVM7T2A
器件代码
TC58FVM7B2A
验证块保护
*
BA
(2)
A22~A12
*
*
A6
L
L
L
L
A1
L
L
L
H
A0
L
H
H
L
代码（十六进制）
0098h
007Ch
0082h
数据
(3)
(1)
注意事项：
*
=
V
IH
或V
IL
, L
=
V
IL
, H
=
V
IH
（ 1 ） DQ8 DQ14是高阻和DQ15 / A - 1是地址输入的字节模式。
（ 2 ） BA ：块地址
（ 3 ） 0001H - 保护座
0000H - 无保护座
2002-10-24 5/68
QQ：2881677436 复制
