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TC58FVM6(T/B)2A(FT/XB)65
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
64Mbit的( 8M
×
8 BITS / 4M
×
16位) CMOS FLASH MEMORY
描述
该TC58FVM6T2A / B2A是67108864位, 3.0 -V只读电可擦除和可编程闪存
内存组织为8388608
×
8位或4194304
×
16位。该TC58FVM6T2A / B2A功能的命令
读取,编程和擦除操作,以方便与微处理器接口。该命令基于
JEDEC标准。在编程和擦除操作是在芯片自动执行。该
TC58FVM6T2A / B2A还设有一个同步读/写操作,使数据可以写在读或
擦除操作。
特点
电源电压
V
DD
=
2.3 V~3.6 V
工作温度
Ta
= 40°C~85°C
组织
8M
×
8 BITS / 4M
×
16位
功能
同时读/写
页面阅读( 8字/ 16字节)
自动编程,自动页面编程
自动块擦除,汽车芯片擦除
快速编程模式/加速模式
计划暂停/恢复
擦除挂起/恢复
数据查询/切换位
块保护,引导块保护
自动休眠,隐藏的ROM区支持
通用闪存接口( CFI )
字节/字模式
块擦除架构
8
×
8千字节/ 127
×
64字节
BOOT BLOCK建筑
TC58FVM6T2A :顶引导块
TC58FVM6B2A :底部启动块
模式控制
兼容JEDEC标准的命令
擦除/编程周期
10
5
周期的典型。
访问时间(随机/页)
V
DD
2.7~3.6 V
2.3~3.6 V
CL
=
30 pF的
65纳秒/ 25纳秒
70纳秒/ 30纳秒
CL
=
100 pF的
70纳秒/ 30纳秒
75纳秒/ 35纳秒
耗电量
10
A
(待机)
15毫安(编程/擦除操作)
55毫安(随机读取操作)
11毫安(地址增量读操作)
5毫安(页读操作)
TC58FVM6 ** AFT :
TSOPI48 -P - 1220-0.50 (重量:0.82 G)
TC58FVM6 ** AXB :
P- TFBGA56-0710-0.80AZ (重量: 0.125克)
2003-06-30
1/62
TC58FVM6(T/B)2A(FT/XB)65
订购信息
TC58
F V
M6
T2
FT一65
极速版
65
=
65纳秒
FT
=
TSOP
XB
=
FBGA
设计规则
A
=
0.16
m
功能/引导块架构/银比率
T2
=
页面模式/上引导块/ 1 : 3 : 3 : 1
B2
=
页面模式/底部引导块/ 1 : 3 : 3 : 1
容量
M6
=
64Mbits
电源电压
V
=
3 V系统
设备类型
F
=
NOR闪存
东芝CMOS ê
2
舞会
订货型号
TC58FVM6T2AFT65
TC58FVM6B2AFT65
TC58FVM6T2AXB65
TC58FVM6B2AXB65
BOOT BLOCK
顶部
底部
顶部
底部
银率
TSOPI48-P-1220-0.50
1:3:3:1
P-TFBGA56-0710-0.80AZ
2003-06-30
2/62
TC58FVM6(T/B)2A(FT/XB)65
引脚分配
( TOP VIEW )
…TC58FVM6**AFT
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A20
WE
RESET
A21
WP / ACC
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
引脚名称
A-1, A0~A21
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
字/字节选择输入
写使能输入
READY / BUSY输出
硬件复位输入
写保护/
程序的输入加速度
电源
DQ0~DQ15
CE
OE
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
DD
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
V
SS
CE
A0
字节
WE
RY / BY
RESET
WP / ACC
V
DD
V
SS
引脚分配
( TOP VIEW )
…TC58FVM6**AXB
1
A
B
C
NC
NC
A3
A7
2
3
4
5
6
7
8
NC
NC
RY / BY
WP / ACC
A18
A20
DQ2
DQ10
DQ11
DQ3
WE
RESET
A21
A19
DQ5
DQ12
V
DD
DQ4
A9
A8
A10
A11
DQ7
DQ14
DQ13
DQ6
A13
A12
A14
A15
A16
字节
DQ15
V
SS
NC
NC
D
E
F
G
H
J
K
L
M
NC
NC
A4
A2
A1
A0
OE
V
SS
A17
A6
A5
DQ0
DQ8
DQ9
DQ1
2003-06-30
3/62
TC58FVM6(T/B)2A(FT/XB)65
框图
V
DD
V
SS
RY / BY
DQ0
DQ15
RY / BY
卜FF器
I / O缓冲器
WP / ACC
WE
字节
RESET
CE
OE
控制电路
数据锁存器
命令寄存器
记忆细胞
ARRAY
记忆细胞
ARRAY
记忆细胞
ARRAY
记忆细胞
ARRAY
Bank0
Bank1
Bank2
Bank3
A0
地址缓冲器
地址锁存
A21
A-1
2003-06-30
4/62
TC58FVM6(T/B)2A(FT/XB)65
模式选择
字节模式字模式
模式
读/页读
ID读(制造商代码)
ID读(设备代码)
待机
输出禁用
块保护1
块保护2
验证块保护
临时撤消座
硬件复位/待机
引导块保护
CE
OE
WE
A9
A9
V
ID
V
ID
*
*
A6
A6
L
L
*
*
A1
A1
L
L
*
*
A0
A0
L
H
*
*
RESET
WP / ACC
DQ0~DQ7
D
OUT
CODE
CODE
高-Z
高-Z
D
IN
*
*
(1)
DQ0~DQ15
D
OUT
CODE
CODE
高-Z
高-Z
D
IN
*
*
L
L
L
H
*
L
L
L
*
H
H
H
*
H
H
H
H
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
H
H
V
ID
H
L
*
*
*
H
(2)
(2)
L
L
L
L
*
*
*
A9
V
ID
*
A6
L
L
L
*
*
*
A1
H
H
H
*
*
*
A0
L
L
L
*
*
*
H
H
V
ID
H
V
ID
L
*
H
H
*
*
*
V
ID
*
*
*
CODE
*
CODE
*
高-Z
*
高-Z
*
L
注意事项:
*
=
V
IH
或V
IL
, L
=
V
IL
, H
=
V
IH
( 1 ) DQ8 DQ14是高阻和DQ15 / A - 1是地址输入的字节模式。
地址为A21 A0在Word模式(
字节
=
V
IH
) , A21 A- 1字节模式(
字节
=
V
IL
).
( 2 )脉冲输入
ID码表
代码类型
制造商代码
器件代码
验证块保护
TC58FVM6T2A
TC58FVM6B2A
A21~A12
*
*
*
A6
L
L
L
L
A1
L
L
L
H
A0
L
H
H
L
代码(十六进制)
0098h
0057h
0058h
数据
(3)
(1)
BA
(2)
注意事项:
*
=
V
IH
或V
IL
, L
=
V
IL
, H
=
V
IH
( 1 ) DQ8 DQ14是高阻和DQ15 / A - 1是地址输入的字节模式。
( 2 ) BA :块地址
( 3 ) 0001H - 保护座
0000H - 无保护座
2003-06-30
5/62
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    -
    -
    -
    -
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联系人:何小姐
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
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