TC58FVM6(T/B)2A(FT/XB)65
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
64Mbit的（ 8M
×
8 BITS / 4M
×
16位） CMOS FLASH MEMORY
描述
该TC58FVM6T2A / B2A是67108864位， 3.0 -V只读电可擦除和可编程闪存
内存组织为8388608字
×
8位或为4194304字
×
16位。该TC58FVM6T2A / B2A功能
对于读取，编程和擦除操作的命令，以方便与微处理器接口。命令
根据JEDEC标准。在编程和擦除操作是在芯片自动执行。该
TC58FVM6T2A / B2A还设有一个同步读/写操作，使数据可以写在读或
擦除操作。
特点
电源电压
V
DD
=
2.3 V~3.6 V
工作温度
Ta
= 40°C~85°C
组织
8M
×
8 BITS / 4M
×
16位
功能
同时读/写
页面读取
自动编程，自动页面编程
自动块擦除，汽车芯片擦除
快速编程模式/加速模式
计划暂停/恢复
擦除挂起/恢复
数据查询/切换位
块保护，引导块保护
自动休眠，隐藏的ROM区支持
通用闪存接口（ CFI ）
字节/字模式
块擦除架构
8
×
8千字节/ 127
×
64字节
BOOT BLOCK建筑
TC58FVM6T2A ：顶引导块
TC58FVM6B2A ：底部启动块
模式控制
兼容JEDEC标准的命令
擦除/编程周期
10
5
周期的典型。
访问时间（随机/页）
V
DD
2.7~3.6 V
2.3~3.6 V
CL = 30 pF的
65纳秒/ 25纳秒
70纳秒/ 30纳秒
CL = 100 pF的
70纳秒/ 30纳秒
75纳秒/ 35纳秒
耗电量
10
A
（待机）
15毫安（编程/擦除操作）
55毫安（随机读取操作）
11毫安（地址增量读操作）
5毫安（页读操作）
包
TC58FVM6 ** AFT ：
TSOPI48 -P - 1220-0.50 （重量：0.82 G）
TC58FVM6 ** AXB ：
P- TFBGA56-0710-0.80AZ （重量： 0.125克）
2003-01-29
1/61
TC58FVM6(T/B)2A(FT/XB)65
订购信息
TC58
F V
M6
T2
FT一65
极速版
65
=
65纳秒
包
FT
=
TSOP
XB
=
FBGA
设计规则
A
=
0.16
m
功能/引导块架构/银比率
T2
=
页面模式/上引导块/ 1 ： 3 ： 3 ： 1
B2
=
页面模式/底部引导块/ 1 ： 3 ： 3 ： 1
容量
M6
=
64Mbits
电源电压
V
=
3 V系统
设备类型
F
=
NOR闪存
东芝CMOS ê
2
舞会
订货型号
TC58FVM6T2AFT65
TC58FVM6B2AFT65
TC58FVM6T2AXB65
TC58FVM6B2AXB65
BOOT BLOCK
顶部
底部
顶部
底部
银率
包
TSOPI48-P-1220-0.50
1:3:3:1
P-TFBGA56-0710-0.80AZ
2003-01-29
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TC58FVM6(T/B)2A(FT/XB)65
模式选择
字节模式字模式
模式
读/页读
ID读（制造商代码）
ID读（设备代码）
待机
输出禁用
写
块保护1
块保护2
验证块保护
临时撤消座
硬件复位/待机
引导块保护
CE
OE
WE
H
H
H
*
H
(2)
(2)
A9
A9
V
ID
V
ID
*
*
A9
V
ID
*
V
ID
*
*
*
A6
A6
L
L
*
*
A6
L
L
L
*
*
*
A1
A1
L
L
*
*
A1
H
H
H
*
*
*
A0
A0
L
H
*
*
A0
L
L
L
*
*
*
RESET
WP / ACC
DQ0~DQ7
D
OUT
CODE
CODE
高-Z
高-Z
D
IN
*
*
CODE
*
高-Z
*
(1)
DQ0~DQ15
D
OUT
CODE
CODE
高-Z
高-Z
D
IN
*
*
CODE
*
高-Z
*
L
L
L
H
*
L
L
L
L
*
*
*
L
L
L
*
H
H
V
ID
H
L
*
*
*
H
H
H
H
*
H
H
V
ID
H
V
ID
L
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
L
H
H
*
*
*
注意事项：
*
=
V
IH
或V
IL
, L
=
V
IL
, H
=
V
IH
（ 1 ） DQ8 DQ14是高阻和DQ15 / A - 1是地址输入的字节模式。
地址为A21 A0在Word模式（ BYTE
=
V
IH
） ， A21 A- 1字节模式（ BYTE
=
V
IL
).
（ 2 ）脉冲输入
ID码表
代码类型
制造商代码
器件代码
验证块保护
TC58FVM6T2A
TC58FVM6B2A
A21~A12
*
*
*
BA
(2)
A6
L
L
L
L
A1
L
L
L
H
A0
L
H
H
L
代码（十六进制）
0098h
0057h
0058h
数据
(3)
(1)
注意事项：
*
=
V
IH
或V
IL
, L
=
V
IL
, H
=
V
IH
（ 1 ） DQ8 DQ14是高阻和DQ15 / A - 1是地址输入的字节模式。
（ 2 ） BA ：块地址
（ 3 ） 0001H - 保护座
0000H - 无保护座
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东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
64Mbit的（ 8M
×
8 BITS / 4M
×
16位） CMOS FLASH MEMORY
描述
该TC58FVM6T2A / B2A是67108864位， 3.0 -V只读电可擦除和可编程闪存
内存组织为8388608字
×
8位或为4194304字
×
16位。该TC58FVM6T2A / B2A功能
对于读取，编程和擦除操作的命令，以方便与微处理器接口。命令
根据JEDEC标准。在编程和擦除操作是在芯片自动执行。该
TC58FVM6T2A / B2A还设有一个同步读/写操作，使数据可以写在读或
擦除操作。
特点
电源电压
V
DD
=
2.3 V~3.6 V
工作温度
Ta
= 40°C~85°C
组织
8M
×
8 BITS / 4M
×
16位
功能
同时读/写
页面读取
自动编程，自动页面编程
自动块擦除，汽车芯片擦除
快速编程模式/加速模式
计划暂停/恢复
擦除挂起/恢复
数据查询/切换位
块保护，引导块保护
自动休眠，隐藏的ROM区支持
通用闪存接口（ CFI ）
字节/字模式
块擦除架构
8
×
8千字节/ 127
×
64字节
BOOT BLOCK建筑
TC58FVM6T2A ：顶引导块
TC58FVM6B2A ：底部启动块
模式控制
兼容JEDEC标准的命令
擦除/编程周期
10
5
周期的典型。
访问时间（随机/页）
V
DD
2.7~3.6 V
2.3~3.6 V
CL = 30 pF的
65纳秒/ 25纳秒
70纳秒/ 30纳秒
CL = 100 pF的
70纳秒/ 30纳秒
75纳秒/ 35纳秒
耗电量
10
A
（待机）
15毫安（编程/擦除操作）
55毫安（随机读取操作）
11毫安（地址增量读操作）
5毫安（页读操作）
包
TC58FVM6 ** AFT ：
TSOPI48 -P - 1220-0.50 （重量：0.82 G）
TC58FVM6 ** AXB ：
P- TFBGA56-0710-0.80AZ （重量： 0.125克）
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TC58FVM6(T/B)2A(FT/XB)65
订购信息
TC58
F V
M6
T2
FT一65
极速版
65
=
65纳秒
包
FT
=
TSOP
XB
=
FBGA
设计规则
A
=
0.16
m
功能/引导块架构/银比率
T2
=
页面模式/上引导块/ 1 ： 3 ： 3 ： 1
B2
=
页面模式/底部引导块/ 1 ： 3 ： 3 ： 1
容量
M6
=
64Mbits
电源电压
V
=
3 V系统
设备类型
F
=
NOR闪存
东芝CMOS ê
2
舞会
订货型号
TC58FVM6T2AFT65
TC58FVM6B2AFT65
TC58FVM6T2AXB65
TC58FVM6B2AXB65
BOOT BLOCK
顶部
底部
顶部
底部
银率
包
TSOPI48-P-1220-0.50
1:3:3:1
P-TFBGA56-0710-0.80AZ
2003-01-29
2/61
TC58FVM6(T/B)2A(FT/XB)65
模式选择
字节模式字模式
模式
读/页读
ID读（制造商代码）
ID读（设备代码）
待机
输出禁用
写
块保护1
块保护2
验证块保护
临时撤消座
硬件复位/待机
引导块保护
CE
OE
WE
H
H
H
*
H
(2)
(2)
A9
A9
V
ID
V
ID
*
*
A9
V
ID
*
V
ID
*
*
*
A6
A6
L
L
*
*
A6
L
L
L
*
*
*
A1
A1
L
L
*
*
A1
H
H
H
*
*
*
A0
A0
L
H
*
*
A0
L
L
L
*
*
*
RESET
WP / ACC
DQ0~DQ7
D
OUT
CODE
CODE
高-Z
高-Z
D
IN
*
*
CODE
*
高-Z
*
(1)
DQ0~DQ15
D
OUT
CODE
CODE
高-Z
高-Z
D
IN
*
*
CODE
*
高-Z
*
L
L
L
H
*
L
L
L
L
*
*
*
L
L
L
*
H
H
V
ID
H
L
*
*
*
H
H
H
H
*
H
H
V
ID
H
V
ID
L
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
L
H
H
*
*
*
注意事项：
*
=
V
IH
或V
IL
, L
=
V
IL
, H
=
V
IH
（ 1 ） DQ8 DQ14是高阻和DQ15 / A - 1是地址输入的字节模式。
地址为A21 A0在Word模式（ BYTE
=
V
IH
） ， A21 A- 1字节模式（ BYTE
=
V
IL
).
（ 2 ）脉冲输入
ID码表
代码类型
制造商代码
器件代码
验证块保护
TC58FVM6T2A
TC58FVM6B2A
A21~A12
*
*
*
BA
(2)
A6
L
L
L
L
A1
L
L
L
H
A0
L
H
H
L
代码（十六进制）
0098h
0057h
0058h
数据
(3)
(1)
注意事项：
*
=
V
IH
或V
IL
, L
=
V
IL
, H
=
V
IH
（ 1 ） DQ8 DQ14是高阻和DQ15 / A - 1是地址输入的字节模式。
（ 2 ） BA ：块地址
（ 3 ） 0001H - 保护座
0000H - 无保护座
2003-01-29
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QQ：2881677436 复制
