TC58FVM5(T/B)(2/3)A(FT/XB)65
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
32兆（ 4M
×
8 BITS / 2M
×
16位） CMOS FLASH MEMORY
描述
该TC58FVM5T2A / B2A / T3A / B3A是33554432位， 3.0 V只读电可擦可编程
快闪记忆体组织为4194304字
×
8位或字2097152
×
16位。该TC58FVM5T2A / B2A / T3A / B3
一个功能命令用于读取，编程和擦除操作，以方便与微处理器接口。该
命令基于JEDEC标准。在编程和擦除操作的自动执行
芯片。该TC58FVM5T2A / B2A / T3A / B3A还设有一个同步读/写操作，这样数据可以
写在读或擦除操作。
特点
电源电压
V
DD
=
2.3 V~3.6 V
工作温度
Ta
= 40°C~85°C
组织
4M
×
8 BITS / 2M
×
16位
功能
同时读/写
页面读取
自动编程，自动页面编程
自动块擦除，汽车芯片擦除
快速编程模式/加速模式
计划暂停/恢复
擦除挂起/恢复
数据查询/切换位
块保护，引导块保护
自动休眠，隐藏的ROM区支持
通用闪存接口（ CFI ）
字节/字模式
块擦除架构
8
×
8字节/ 63
×
64字节
BOOT BLOCK建筑
TC58FVM5T2A / 3A ：顶引导块
TC58FVM5B2A / 3A ：底部启动块
组织
4Banks
率的大小
TC58FVM5T2A
TC58FVM5B2A
TC58FVM5T3A
TC58FVM5B3A
BK0
1
1
3
1
BK1
3
3
3
1
BK2
3
3
1
3
BK3
1
1
1
3
模式控制
兼容JEDEC标准的命令
擦除/编程周期
10
5
周期的典型。
访问时间（随机/页）
V
DD
2.7~3.6 V
2.3~3.6 V
CL
=
30 pF的
65纳秒/ 25纳秒
70纳秒/ 30纳秒
CL
=
100 pF的
70纳秒/ 30纳秒
75纳秒/ 35纳秒
耗电量
10
A
（待机）
15毫安（编程/擦除操作）
55毫安（随机读取操作）
5毫安（页读操作）
11毫安（地址增量读操作）
包
TC58FVM5 ** AFT ：
TSOPI48 -P - 1220-0.50 （重量：0.82 G）
TC58FVM5 ** AXB ：
P- TFBGA56-0710-0.80AZ （重量： 0.125克）
2003-01-29
1/63
TC58FVM5(T/B)(2/3)A(FT/XB)65
订购信息
TC58
F V
M5
T2
FT一65
极速版
65
=
65纳秒
包
FT
=
TSOP
XB
=
FBGA
设计规则
A
=
0.16
m
功能/引导块架构/银比率
T2
=
页面模式/上引导块/ 1 ： 3 ： 3 ： 1
B2
=
页面模式/底部引导块/ 1 ： 3 ： 3 ： 1
T3
=
页面模式/上引导块/ 3 ： 3 ： 1 ： 1
B3
=
页面模式/底部引导块/ 1 ： 1 ： 3 ： 3
容量
M5
=
32Mbits
电源电压
V
=
3 V系统
设备类型
F
=
NOR闪存
东芝CMOS ê
2
舞会
订货型号
TC58FVM5T2AFT65
TC58FVM5B2AFT65
TC58FVM5T3AFT65
TC58FVM5B3AFT65
TC58FVM5T2AXB65
TC58FVM5B2AXB65
TC58FVM5T3AXB65
TC58FVM5B3AXB65
BOOT BLOCK
顶部
底部
顶部
底部
顶部
底部
顶部
底部
银率
包
1:3:3:1
TSOPI48-P-1220-0.50
3:3:1:1
1:1:3:3
1:3:3:1
P-TFBGA56-0710-0.80AZ
3:3:1:1
1:1:3:3
2003-01-29
2/63
TC58FVM5(T/B)(2/3)A(FT/XB)65
引脚分配
（ TOP VIEW ）
…
TC58FVM5 ** AFT引脚名
A-1, A0~A20
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A20
WE
RESET
NC
WP / ACC
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
DD
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
V
SS
CE
A0
DQ0~DQ15
CE
OE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
字/字节选择输入
写使能输入
READY / BUSY输出
硬件复位输入
写保护/
程序的输入加速度
没有连接
电源
地
字节
WE
RY / BY
RESET
WP / ACC
NC
V
DD
V
SS
引脚分配
（ TOP VIEW ）
…
TC58FVM5**AXB
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
NC
NC
NC
NC
A3
A4
A2
A1
A0
CΕ
OE
V
SS
A7
A17
A6
A5
DQ0
DQ8
DQ9
DQ1
2
3
4
5
6
7
8
NC
NC
RY / BY
WP / ACC
A18
A20
DQ2
DQ10
DQ11
DQ3
WE
RESET
NC
A19
DQ5
DQ12
V
DD
DQ4
A9
A8
A10
A11
DQ7
DQ14
DQ13
DQ6
A13
A12
A14
A15
A16
字节
DQ15
V
SS
NC
NC
2003-01-29
3/63
TC58FVM5(T/B)(2/3)A(FT/XB)65
框图
V
DD
V
SS
RY / BY
DQ0
DQ15
RY / BY缓冲
I / O缓冲器
WP / ACC
WE
字节
RESET
CE
OE
控制电路
数据锁存器
命令寄存器
记忆细胞
ARRAY
记忆细胞
ARRAY
记忆细胞
ARRAY
记忆细胞
ARRAY
Bank0
Bank1
Bank2
Bank3
A0
地址缓冲器
地址锁存
A20
A-1
2003-01-29
4/63
TC58FVM5(T/B)(2/3)A(FT/XB)65
模式选择
字节模式字模式
模式
读/页读
ID读（制造商代码）
ID读（设备代码）
待机
输出禁用
写
块保护1
块保护2
验证块保护
临时撤消座
硬件复位/待机
引导块保护
CE
OE
WE
H
H
H
*
H
(2)
(2)
A9
A9
V
ID
V
ID
*
*
A9
V
ID
*
V
ID
*
*
*
A6
A6
L
L
*
*
A6
L
L
L
*
*
*
A1
A1
L
L
*
*
A1
H
H
H
*
*
*
A0
A0
L
H
*
*
A0
L
L
L
*
*
*
RESET
WP / ACC
DQ0~DQ7
D
OUT
CODE
CODE
高-Z
高-Z
D
IN
*
*
CODE
*
高-Z
*
(1)
DQ0~DQ15
D
OUT
CODE
CODE
高-Z
高-Z
D
IN
*
*
CODE
*
高-Z
*
L
L
L
H
*
L
L
L
L
*
*
*
L
L
L
*
H
H
V
ID
H
L
*
*
*
H
H
H
H
*
H
H
V
ID
H
V
ID
L
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
L
H
H
*
*
*
注意事项：
*
=
V
IH
或V
IL
, L
=
V
IL
, H
=
V
IH
（ 1 ） DQ8 DQ14是高阻和DQ15 / A - 1是地址输入的字节模式。
地址为A20 A0在Word模式（ BYTE
=
V
IH
） ， A20 A- 1字节模式（ BYTE
=
V
IL
).
（ 2 ）脉冲输入
ID码表
代码类型
制造商代码
TC58FVM5T2A
器件代码
TC58FVM5B2A
TC58FVM5T3A
TC58FVM5B3A
验证块保护
A20~A12
*
*
*
*
*
BA
(2)
A6
L
L
L
L
L
L
A1
L
L
L
L
L
H
A0
L
H
H
H
H
L
代码（十六进制）
0098h
00C5h
0055h
00C6h
0056h
数据
(3)
(1)
注意事项：
*
=
V
IH
或V
IL
, L
=
V
IL
, H
=
V
IH
（ 1 ） DQ8 DQ14是高阻和DQ15 / A - 1是地址输入的字节模式。
（ 2 ） BA ：块地址
（ 3 ） 0001H - 保护座
0000H - 无保护座
2003-01-29
5/63
TC58FVM5(T/B)(2/3)A(FT/XB)65
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
32兆（ 4M
×
8 BITS / 2M
×
16位） CMOS FLASH MEMORY
描述
该TC58FVM5T2A / B2A / T3A / B3A是33554432位， 3.0 V只读电可擦可编程
快闪记忆体组织为4194304字
×
8位或字2097152
×
16位。该TC58FVM5T2A / B2A / T3A / B3
一个功能命令用于读取，编程和擦除操作，以方便与微处理器接口。该
命令基于JEDEC标准。在编程和擦除操作的自动执行
芯片。该TC58FVM5T2A / B2A / T3A / B3A还设有一个同步读/写操作，这样数据可以
写在读或擦除操作。
特点
电源电压
V
DD
=
2.3 V~3.6 V
工作温度
Ta
= 40°C~85°C
组织
4M
×
8 BITS / 2M
×
16位
功能
同时读/写
页面读取
自动编程，自动页面编程
自动块擦除，汽车芯片擦除
快速编程模式/加速模式
计划暂停/恢复
擦除挂起/恢复
数据查询/切换位
块保护，引导块保护
自动休眠，隐藏的ROM区支持
通用闪存接口（ CFI ）
字节/字模式
块擦除架构
8
×
8字节/ 63
×
64字节
BOOT BLOCK建筑
TC58FVM5T2A / 3A ：顶引导块
TC58FVM5B2A / 3A ：底部启动块
组织
4Banks
率的大小
TC58FVM5T2A
TC58FVM5B2A
TC58FVM5T3A
TC58FVM5B3A
BK0
1
1
3
1
BK1
3
3
3
1
BK2
3
3
1
3
BK3
1
1
1
3
模式控制
兼容JEDEC标准的命令
擦除/编程周期
10
5
周期的典型。
访问时间（随机/页）
V
DD
2.7~3.6 V
2.3~3.6 V
CL
=
30 pF的
65纳秒/ 25纳秒
70纳秒/ 30纳秒
CL
=
100 pF的
70纳秒/ 30纳秒
75纳秒/ 35纳秒
耗电量
10
A
（待机）
15毫安（编程/擦除操作）
55毫安（随机读取操作）
5毫安（页读操作）
11毫安（地址增量读操作）
包
TC58FVM5 ** AFT ：
TSOPI48 -P - 1220-0.50 （重量：0.82 G）
TC58FVM5 ** AXB ：
P- TFBGA56-0710-0.80AZ （重量： 0.125克）
2003-01-29
1/63
TC58FVM5(T/B)(2/3)A(FT/XB)65
订购信息
TC58
F V
M5
T2
FT一65
极速版
65
=
65纳秒
包
FT
=
TSOP
XB
=
FBGA
设计规则
A
=
0.16
m
功能/引导块架构/银比率
T2
=
页面模式/上引导块/ 1 ： 3 ： 3 ： 1
B2
=
页面模式/底部引导块/ 1 ： 3 ： 3 ： 1
T3
=
页面模式/上引导块/ 3 ： 3 ： 1 ： 1
B3
=
页面模式/底部引导块/ 1 ： 1 ： 3 ： 3
容量
M5
=
32Mbits
电源电压
V
=
3 V系统
设备类型
F
=
NOR闪存
东芝CMOS ê
2
舞会
订货型号
TC58FVM5T2AFT65
TC58FVM5B2AFT65
TC58FVM5T3AFT65
TC58FVM5B3AFT65
TC58FVM5T2AXB65
TC58FVM5B2AXB65
TC58FVM5T3AXB65
TC58FVM5B3AXB65
BOOT BLOCK
顶部
底部
顶部
底部
顶部
底部
顶部
底部
银率
包
1:3:3:1
TSOPI48-P-1220-0.50
3:3:1:1
1:1:3:3
1:3:3:1
P-TFBGA56-0710-0.80AZ
3:3:1:1
1:1:3:3
2003-01-29
2/63
TC58FVM5(T/B)(2/3)A(FT/XB)65
引脚分配
（ TOP VIEW ）
…
TC58FVM5 ** AFT引脚名
A-1, A0~A20
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A20
WE
RESET
NC
WP / ACC
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
DD
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
V
SS
CE
A0
DQ0~DQ15
CE
OE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
字/字节选择输入
写使能输入
READY / BUSY输出
硬件复位输入
写保护/
程序的输入加速度
没有连接
电源
地
字节
WE
RY / BY
RESET
WP / ACC
NC
V
DD
V
SS
引脚分配
（ TOP VIEW ）
…
TC58FVM5**AXB
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
NC
NC
NC
NC
A3
A4
A2
A1
A0
CΕ
OE
V
SS
A7
A17
A6
A5
DQ0
DQ8
DQ9
DQ1
2
3
4
5
6
7
8
NC
NC
RY / BY
WP / ACC
A18
A20
DQ2
DQ10
DQ11
DQ3
WE
RESET
NC
A19
DQ5
DQ12
V
DD
DQ4
A9
A8
A10
A11
DQ7
DQ14
DQ13
DQ6
A13
A12
A14
A15
A16
字节
DQ15
V
SS
NC
NC
2003-01-29
3/63
TC58FVM5(T/B)(2/3)A(FT/XB)65
框图
V
DD
V
SS
RY / BY
DQ0
DQ15
RY / BY缓冲
I / O缓冲器
WP / ACC
WE
字节
RESET
CE
OE
控制电路
数据锁存器
命令寄存器
记忆细胞
ARRAY
记忆细胞
ARRAY
记忆细胞
ARRAY
记忆细胞
ARRAY
Bank0
Bank1
Bank2
Bank3
A0
地址缓冲器
地址锁存
A20
A-1
2003-01-29
4/63
TC58FVM5(T/B)(2/3)A(FT/XB)65
模式选择
字节模式字模式
模式
读/页读
ID读（制造商代码）
ID读（设备代码）
待机
输出禁用
写
块保护1
块保护2
验证块保护
临时撤消座
硬件复位/待机
引导块保护
CE
OE
WE
H
H
H
*
H
(2)
(2)
A9
A9
V
ID
V
ID
*
*
A9
V
ID
*
V
ID
*
*
*
A6
A6
L
L
*
*
A6
L
L
L
*
*
*
A1
A1
L
L
*
*
A1
H
H
H
*
*
*
A0
A0
L
H
*
*
A0
L
L
L
*
*
*
RESET
WP / ACC
DQ0~DQ7
D
OUT
CODE
CODE
高-Z
高-Z
D
IN
*
*
CODE
*
高-Z
*
(1)
DQ0~DQ15
D
OUT
CODE
CODE
高-Z
高-Z
D
IN
*
*
CODE
*
高-Z
*
L
L
L
H
*
L
L
L
L
*
*
*
L
L
L
*
H
H
V
ID
H
L
*
*
*
H
H
H
H
*
H
H
V
ID
H
V
ID
L
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
L
H
H
*
*
*
注意事项：
*
=
V
IH
或V
IL
, L
=
V
IL
, H
=
V
IH
（ 1 ） DQ8 DQ14是高阻和DQ15 / A - 1是地址输入的字节模式。
地址为A20 A0在Word模式（ BYTE
=
V
IH
） ， A20 A- 1字节模式（ BYTE
=
V
IL
).
（ 2 ）脉冲输入
ID码表
代码类型
制造商代码
TC58FVM5T2A
器件代码
TC58FVM5B2A
TC58FVM5T3A
TC58FVM5B3A
验证块保护
A20~A12
*
*
*
*
*
BA
(2)
A6
L
L
L
L
L
L
A1
L
L
L
L
L
H
A0
L
H
H
H
H
L
代码（十六进制）
0098h
00C5h
0055h
00C6h
0056h
数据
(3)
(1)
注意事项：
*
=
V
IH
或V
IL
, L
=
V
IL
, H
=
V
IH
（ 1 ） DQ8 DQ14是高阻和DQ15 / A - 1是地址输入的字节模式。
（ 2 ） BA ：块地址
（ 3 ） 0001H - 保护座
0000H - 无保护座
2003-01-29
5/63
QQ：2880707522 复制
