【TC58DVM92A1FTI0东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS512兆位（ 64M描述8位）的CM】,IC型号TC58DVM92A1FTI0,TC58DVM92A1FTI0 PDF资料,TC58DVM92A1FTI0经销商,ic,电子元器件-51电子网

TC58DVM92A1FTI0

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

512兆位（ 64M

描述

8位）的CMOS NAND PROM

2

该器件是一款采用3.3 V单512兆位（ 553648128 ） NAND位电可擦除和可编程只读

存储器（ NAND

2

PROM ）组织为528个字节32页4096块。该装置具有一个528字节的静态寄存器

它允许程序和数据读取到寄存器和528字节的存储单元阵列之间传送

增量。擦除操作是在一个单一的块为单位（ 528个字节32页16字节512字节）来实现。

该装置是一种利用在I / O引脚作为地址和数据输入/输出的串行式存储装置

以及对命令的输入。在擦除和编程操作自动执行使得该器件最

适合的应用，如固态的文件存储，语音记录，图像文件存储于照相机和

其他系统需要高密度的非易失性存储器中的数据存储。

特点

组织

存储单元减轻528 128K 8

注册

528 8

PAGE SIZE

528字节

BLOCK SIZE

（ 16K 512 ）字节

模式

阅读，复位，自动页面编程，

自动块擦除，状态读取，

多座计划，多块擦除

模式控制

串行输入/输出

指挥控制

电源

V

CC

2.7 V至3.6 V

编程/擦除周期1E5周期（带ECC ）

存取时间

单元阵列注册25秒以内

串行读周期

50 ns（最小值）

工作电流

阅读（ 50 ns的周期）

10毫安典型。

计划（平均）

10毫安典型。

擦除（平均）

10毫安典型。

待机

50 A最大。

包

TSOPI48 -P - 1220-0.50 （重量： 0.53克典型值）。

引脚分配

（ TOP VIEW ）

NC

GND

RY / BY

引脚名称

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

NC

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

NC

V

CC

V

SS

NC

I/O4

I/O3

I/O2

I/O1

NC

I / O1到I / O8

I / O端口

RE

CE

NC

V

CC

V

SS

NC

CLE

ALE

WE

WP

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

CE

WE

RE

CLE

ALE

WP

RY / BY

GND

V

CC

V

SS

芯片使能

写使能

读使能

命令锁存使能

地址锁存使能

写保护

就绪/忙

输入地

电源

地

000707EBA1

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般

可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。这是买方的责任，

利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并避免

情况，其中东芝等产品的故障或失效可能导致生命损失，人身伤害或损坏

财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围作为最陈述

最近东芝的产品规格。另外，请记住提出的注意事项和条件“处理指南

半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。

本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用

设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等）。这些东芝的产品

既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或

这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能控制

仪器仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制

仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列

应在客户自己的风险进行。

本文档中介绍的产品都受到外汇和外国贸易法。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担

东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其

使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式

其他人。

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

2003-07-11

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TC58DVM92A1FTI0

框图

V

CC

V

SS

状态寄存器

I/O1

to

I/O8

I / O控制电路

地址寄存器

柱缓冲液

列解码器

命令寄存器

数据寄存器

SENSE AMP

行地址译码器

CE

CLE

ALE

逻辑控制

WE

RE

WP

RY / BY

高压发生器

控制

行地址缓冲器

解码器

存储单元阵列

绝对最大额定值

符号

V

CC

V

IN

V

I / O

P

D

T

SOLDER

T

英镑

T

OPR

电源电压

输入电压

输入/输出电压

功耗

焊接温度（ 10秒）

储存温度

工作温度

等级

价值

0.6 4.6

0.6 V到V

CC

0.3 V ( 4.6 V)

单位

V

W

°C

0.3

260

55 150

4085

电容

* （大

SYMB0L

C

IN

C

OUT

*

25 ° C，F

1兆赫）

条件

V

IN

V

OUT

0V

民

最大

10

单位

pF

参数

输入

产量

此参数是周期性采样，而不是对每个设备进行测试。

2003-07-11

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TC58DVM92A1FTI0

有效块

(1)

符号

N

VB

参数

有效块数

民

4016

典型值。

最大

4096

单位

块

（1）所述的装置偶尔包含不可使用块。参阅应用说明（14）朝向该文件的结束。

（ 2）第一个块（块内地址＃ 00）被保证是在装运时的有效块。

建议的直流工作条件

符号

V

CC

V

IH

V

IL

*

参数

电源电压

高电平输入电压

低电平输入电压

民

2.7

2.0

0.3

*

典型值。

3.3

最大

3.6

V

CC

0.8

0.3

单位

V

2 V （脉冲宽度小于20纳秒）

DC特性

（大

符号

I

IL

I

LO

I

CCO1

I

CCO3

I

CCO4

I

CCO5

I

CCO7

I

CCO8

I

CCS1

I

CCS2

V

OH

V

OL

I

OL

（ RY / BY ）

参数

输入漏电流

输出漏电流

- 40℃至85℃ ，V

CC

2.7 V至3.6 V ）

民

典型值。

最大

10

50纳秒

10

30

1

0V/V

CC

2.4

0.4

8

10

50

单位

A

mA

A

V

mA

条件

V

IN

V

OUT

CE

t

周期

t

周期

t

周期

0 V至V

CC

0 V至V

CC

V

IL

, I

OUT

50纳秒

0毫安，T

周期

工作电流（串行读）

工作电流

（命令输入）

工作电流（数据输入）

工作电流

（地址输入）

编程电流

写电流

待机电流

高电平输出电压

低电平输出电压

RY /输出电流引脚

CE

I

OH

I

OL

V

OL

V

IH ，

WP

V

CC

0V/V

CC

0.2 V

,

WP

400 A

2.1毫安

0.4 V

2003-07-11

3/44

TC58DVM92A1FTI0

交流特性和推荐工作条件

（大

- 40℃至85℃ ，V

CC

2.7 V至3.6 V ）

参数

CLE建立时间

CLE保持时间

CE

建立时间

CE

保持时间

符号

t

CLS

t

CLH

t

CS

t

CH

t

WP

t

ALS

t

ALH

t

DS

t

DH

t

WC

t

WH

t

WW

t

RR

t

RP

t

RC

t

REA

t

CEA

t

ALEA

t

CEH

t

REAID

t

OH

t

RHZ

t

CHZ

t

REH

t

IR

t

RSTO

t

集体安全条约组织

t

RHW

t

世界遗产

t

WHR

t

R

t

WB

t

AR2

t

RB

t

CRY

t

RST

民

0

10

0

10

25

0

10

20

10

50

15

100

20

35

50

最大

单位

ns

笔记

把脉冲宽度

ALE建立时间

ALE保持时间

数据建立时间

数据保持时间

写周期时间

WE

高保持时间

WP

高

WE

低

准备

RE

下降沿

阅读脉宽

读周期时间

RE

访问时间（串行数据访问）

CE

访问时间（串行数据访问， ID读）

35

45

100

35

10

30

20

15

0

35

45

0

30

25

200

50

200

1

t

r

(

RY / BY

)

6/10/500

ns

s

ns

s

(1) (2)

(2)

ALE访问时间（ ID读）

CE

高时间的最后一个地址的串行读周期

RE

访问时间（ ID读）

数据输出保持时间

RE

高输出高阻抗

CE

高输出高阻抗

RE

高保持时间

输出高阻抗，用于─

RE

下降沿

RE

访问时间（状态读）

CE

访问时间（状态读）

RE

高

WE

低

WE

高

CE

低

WE

高

RE

低

存储单元阵列，以起始地址

WE

高到忙

ALE低

RE

低（读周期）

RE

最后一个时钟上升沿忙（在连续读）

CE

高到就绪（当被打断

CE

在读模式）

器件复位时间（读取/编程/擦除）

AC测试条件

参数

输入电平

输入脉冲上升时间和下降时间

输入电平比较

输出数据比较级

输出负载

条件

2.4 V, 0.4 V

3纳秒

1.5 V, 1.5 V

C

L

（ 100 pF的）

1 TTL

2003-07-11

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TC58DVM92A1FTI0

注：（ 1 ）

CE

高到就绪时间取决于上拉电阻连接到

RY / BY

引脚。

（请参考应用笔记（9）朝向此文档的末尾）。

（ 2 ）连续读取终止当T

CEH

大于或等于100纳秒。如果

RE

to

CE

延迟

小于30纳秒，

RY / BY

信号保持就绪。

t

CEH

100纳秒

*

: V

IH

或V

IL

CE

RE

525

526

527

A

A：0 30纳秒

忙信号不输出。

RY / BY

忙

t

CRY

编程和擦除特性

（大

- 40℃至85℃ ，V

CC

符号

t

PROG

t

DBSY

t

MBPBSY

N

t

BERASE

2.7 V至3.6 V ）

参数

民

典型值。

200

2

200

最大

1000

10

1000

3

2

10

ms

单位

s

(1)

笔记

编程时间

假忙的时间多座

程序设计

多座节目时间忙

在相同的编程周期数

页面

块擦除时间

（ 1 ）：请参考应用笔记（ 12 ）对本文档的末尾。

2003-07-11

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TC58DVM92A1FTI0

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

512兆位（ 64M

描述

8位）的CMOS NAND PROM

2

该器件是一款采用3.3 V单512兆位（ 553648128 ） NAND位电可擦除和可编程只读

存储器（ NAND

2

PROM ）组织为528个字节32页4096块。该装置具有一个528字节的静态寄存器

它允许程序和数据读取到寄存器和528字节的存储单元阵列之间传送

增量。擦除操作是在一个单一的块为单位（ 528个字节32页16字节512字节）来实现。

该装置是一种利用在I / O引脚作为地址和数据输入/输出的串行式存储装置

以及对命令的输入。在擦除和编程操作自动执行使得该器件最

适合的应用，如固态的文件存储，语音记录，图像文件存储于照相机和

其他系统需要高密度的非易失性存储器中的数据存储。

特点

组织

存储单元减轻528 128K 8

注册

528 8

PAGE SIZE

528字节

BLOCK SIZE

（ 16K 512 ）字节

模式

阅读，复位，自动页面编程，

自动块擦除，状态读取，

多座计划，多块擦除

模式控制

串行输入/输出

指挥控制

电源

V

CC

2.7 V至3.6 V

编程/擦除周期1E5周期（带ECC ）

存取时间

单元阵列注册25秒以内

串行读周期

50 ns（最小值）

工作电流

阅读（ 50 ns的周期）

10毫安典型。

计划（平均）

10毫安典型。

擦除（平均）

10毫安典型。

待机

50 A最大。

包

TSOPI48 -P - 1220-0.50 （重量： 0.53克典型值）。

引脚分配

（ TOP VIEW ）

NC

GND

RY / BY

引脚名称

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

NC

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

NC

V

CC

V

SS

NC

I/O4

I/O3

I/O2

I/O1

NC

I / O1到I / O8

I / O端口

RE

CE

NC

V

CC

V

SS

NC

CLE

ALE

WE

WP

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

CE

WE

RE

CLE

ALE

WP

RY / BY

GND

V

CC

V

SS

芯片使能

写使能

读使能

命令锁存使能

地址锁存使能

写保护

就绪/忙

输入地

电源

地

000707EBA1

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般

可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。这是买方的责任，

利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并避免

情况，其中东芝等产品的故障或失效可能导致生命损失，人身伤害或损坏

财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围作为最陈述

最近东芝的产品规格。另外，请记住提出的注意事项和条件“处理指南

半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。

本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用

设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等）。这些东芝的产品

既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或

这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能控制

仪器仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制

仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列

应在客户自己的风险进行。

本文档中介绍的产品都受到外汇和外国贸易法。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担

东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其

使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式

其他人。

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

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TC58DVM92A1FTI0

框图

V

CC

V

SS

状态寄存器

I/O1

to

I/O8

I / O控制电路

地址寄存器

柱缓冲液

列解码器

命令寄存器

数据寄存器

SENSE AMP

行地址译码器

CE

CLE

ALE

逻辑控制

WE

RE

WP

RY / BY

高压发生器

控制

行地址缓冲器

解码器

存储单元阵列

绝对最大额定值

符号

V

CC

V

IN

V

I / O

P

D

T

SOLDER

T

英镑

T

OPR

电源电压

输入电压

输入/输出电压

功耗

焊接温度（ 10秒）

储存温度

工作温度

等级

价值

0.6 4.6

0.6 V到V

CC

0.3 V ( 4.6 V)

单位

V

W

°C

0.3

260

55 150

4085

电容

* （大

SYMB0L

C

IN

C

OUT

*

25 ° C，F

1兆赫）

条件

V

IN

V

OUT

0V

民

最大

10

单位

pF

参数

输入

产量

此参数是周期性采样，而不是对每个设备进行测试。

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TC58DVM92A1FTI0

有效块

(1)

符号

N

VB

参数

有效块数

民

4016

典型值。

最大

4096

单位

块

（1）所述的装置偶尔包含不可使用块。参阅应用说明（14）朝向该文件的结束。

（ 2）第一个块（块内地址＃ 00）被保证是在装运时的有效块。

建议的直流工作条件

符号

V

CC

V

IH

V

IL

*

参数

电源电压

高电平输入电压

低电平输入电压

民

2.7

2.0

0.3

*

典型值。

3.3

最大

3.6

V

CC

0.8

0.3

单位

V

2 V （脉冲宽度小于20纳秒）

DC特性

（大

符号

I

IL

I

LO

I

CCO1

I

CCO3

I

CCO4

I

CCO5

I

CCO7

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CCO8

I

CCS1

I

CCS2

V

OH

V

OL

I

OL

（ RY / BY ）

参数

输入漏电流

输出漏电流

- 40℃至85℃ ，V

CC

2.7 V至3.6 V ）

民

典型值。

最大

10

50纳秒

10

30

1

0V/V

CC

2.4

0.4

8

10

50

单位

A

mA

A

V

mA

条件

V

IN

V

OUT

CE

t

周期

t

周期

t

周期

0 V至V

CC

0 V至V

CC

V

IL

, I

OUT

50纳秒

0毫安，T

周期

工作电流（串行读）

工作电流

（命令输入）

工作电流（数据输入）

工作电流

（地址输入）

编程电流

写电流

待机电流

高电平输出电压

低电平输出电压

RY /输出电流引脚

CE

I

OH

I

OL

V

OL

V

IH ，

WP

V

CC

0V/V

CC

0.2 V

,

WP

400 A

2.1毫安

0.4 V

2003-07-11

3/44

TC58DVM92A1FTI0

交流特性和推荐工作条件

（大

- 40℃至85℃ ，V

CC

2.7 V至3.6 V ）

参数

CLE建立时间

CLE保持时间

CE

建立时间

CE

保持时间

符号

t

CLS

t

CLH

t

CS

t

CH

t

WP

t

ALS

t

ALH

t

DS

t

DH

t

WC

t

WH

t

WW

t

RR

t

RP

t

RC

t

REA

t

CEA

t

ALEA

t

CEH

t

REAID

t

OH

t

RHZ

t

CHZ

t

REH

t

IR

t

RSTO

t

集体安全条约组织

t

RHW

t

世界遗产

t

WHR

t

R

t

WB

t

AR2

t

RB

t

CRY

t

RST

民

0

10

0

10

25

0

10

20

10

50

15

100

20

35

50

最大

单位

ns

笔记

把脉冲宽度

ALE建立时间

ALE保持时间

数据建立时间

数据保持时间

写周期时间

WE

高保持时间

WP

高

WE

低

准备

RE

下降沿

阅读脉宽

读周期时间

RE

访问时间（串行数据访问）

CE

访问时间（串行数据访问， ID读）

35

45

100

35

10

30

20

15

0

35

45

0

30

25

200

50

200

1

t

r

(

RY / BY

)

6/10/500

ns

s

ns

s

(1) (2)

(2)

ALE访问时间（ ID读）

CE

高时间的最后一个地址的串行读周期

RE

访问时间（ ID读）

数据输出保持时间

RE

高输出高阻抗

CE

高输出高阻抗

RE

高保持时间

输出高阻抗，用于─

RE

下降沿

RE

访问时间（状态读）

CE

访问时间（状态读）

RE

高

WE

低

WE

高

CE

低

WE

高

RE

低

存储单元阵列，以起始地址

WE

高到忙

ALE低

RE

低（读周期）

RE

最后一个时钟上升沿忙（在连续读）

CE

高到就绪（当被打断

CE

在读模式）

器件复位时间（读取/编程/擦除）

AC测试条件

参数

输入电平

输入脉冲上升时间和下降时间

输入电平比较

输出数据比较级

输出负载

条件

2.4 V, 0.4 V

3纳秒

1.5 V, 1.5 V

C

L

（ 100 pF的）

1 TTL

2003-07-11

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TC58DVM92A1FTI0

注：（ 1 ）

CE

高到就绪时间取决于上拉电阻连接到

RY / BY

引脚。

（请参考应用笔记（9）朝向此文档的末尾）。

（ 2 ）连续读取终止当T

CEH

大于或等于100纳秒。如果

RE

to

CE

延迟

小于30纳秒，

RY / BY

信号保持就绪。

t

CEH

100纳秒

*

: V

IH

或V

IL

CE

RE

525

526

527

A

A：0 30纳秒

忙信号不输出。

RY / BY

忙

t

CRY

编程和擦除特性

（大

- 40℃至85℃ ，V

CC

符号

t

PROG

t

DBSY

t

MBPBSY

N

t

BERASE

2.7 V至3.6 V ）

参数

民

典型值。

200

2

200

最大

1000

10

1000

3

2

10

ms

单位

s

(1)

笔记

编程时间

假忙的时间多座

程序设计

多座节目时间忙

在相同的编程周期数

页面

块擦除时间

（ 1 ）：请参考应用笔记（ 12 ）对本文档的末尾。

2003-07-11

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