TC58128AFT
暂定
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
2
128兆位（ 16M
×
8位）的CMOS NAND PROM
描述
该TC58128A是采用3.3 V单128兆位（ 138412032 ） NAND位电可擦除和可编程
只读存储器（ NAND
2
PROM ）组织为528个字节
×
32页
×
1024块。该装置具有一个528个字节的
静态寄存器，它允许程序和数据读取到寄存器和存储器单元阵列之间传送
在528个字节为单位。擦除操作是在一个单一的块为单位实施（ 16千字节
+
512字节： 528字节
×
32页） 。
该TC58128A是，它利用了I / O管脚对地址和数据输入/输出的串行式存储装置
以及用于命令输入。在擦除和编程操作自动执行使得设备
的应用，如固态的文件存储，语音记录，图像文件存储用于静态相机最合适
和其它需要高密度的非易失性存储器的数据存储系统。
特点
组织
存储单元释528
×
32K
×
8
注册
528
×
8
PAGE SIZE
528字节
BLOCK SIZE
(16K
+
512 ）字节
模式
阅读，复位，自动页面编程
自动块擦除，状态读
模式控制
串行输入/输出
指挥控制
电源
V
CC
=
2.7 V至3.6 V
编程/擦除周期1E5周期（带ECC ）
存取时间
注册25单元阵列
s
最大
串行读周期
50 ns（最小值）
工作电流
阅读（ 50 ns的周期）
10毫安典型。
计划（平均）
10毫安典型。
擦除（平均）
10毫安典型。
待机
100
A
包
TSOPI48 -P - 1220-0.50 （重量： 0.53克典型值）
引脚分配
（ TOP VIEW ）
NC
NC
NC
NC
NC
GND
RY / BY
引脚名称
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
NC
NC
NC
NC
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
NC
NC
NC
V
CC
V
SS
NC
NC
NC
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
NC
NC
NC
NC
I / O1到I / O8
CE
RE
CE
NC
NC
V
CC
V
SS
NC
NC
CLE
ALE
WE
WP
NC
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
I / O端口
芯片使能
写使能
读使能
命令锁存使能
地址锁存使能
写保护
就绪/忙
输入地
电源
地
000707EBA1
WE
RE
CLE
ALE
WP
RY / BY
GND
V
CC
V
SS
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。这是买方的责任，
利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并避免
情况，其中东芝等产品的故障或失效可能导致生命损失，人身伤害或损坏
财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围作为最陈述
最近东芝的产品规格。另外，请记住提出的注意事项和条件“处理指南
半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
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仪器仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
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2001-05-30 1/33
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