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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第50页 > TC581282AXB
TC581282AXB
暂定
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
2
128兆位（ 16M
×
8位）的CMOS NAND PROM
描述
该TC581282A是采用3.3 V单128兆位（ 138412032 ） NAND位电可擦除和可编程
只读存储器（ NAND
2
PROM ）组织为528个字节
×
32页
×
1024块。该装置具有一个528个字节的
静态寄存器，它允许程序和数据读取到寄存器和存储器单元阵列之间传送
在528个字节为单位。擦除操作是在一个单一的块为单位实施（ 16千字节
+
512字节： 528字节
×
32页） 。
该TC581282A是，它利用了I / O管脚对地址和数据输入/输出的串行式存储装置
以及用于命令输入。在擦除和编程操作自动执行使得设备
的应用，如固态的文件存储，语音记录，图像文件存储用于静态相机最合适
和其它需要高密度的非易失性存储器的数据存储系统。
特点
组织
存储单元释528
×
32K
×
8
注册
528
×
8
PAGE SIZE
528字节
BLOCK SIZE
(16K
+
512 ）字节
模式
阅读，复位，自动页面编程
自动块擦除，状态读
模式控制
串行输入/输出
指挥控制
电源
V
CC
=
2.7 V至3.6 V
编程/擦除周期1E5周期（带ECC ）
存取时间
注册25单元阵列
s
最大
串行读周期
50 ns（最小值）
工作电流
阅读（ 50 ns的周期）
10毫安典型。
计划（平均）
10毫安典型。
擦除（平均）
10毫安典型。
待机
100
A
包
P- TFBGA56-0710-0.80AZ （重量：
克典型值）。
引脚分配
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
NC
NC
NC
NC
NU
NU
WP
NU
NU
CE
引脚名称
7
8
NC
NC
I / O1到I / O8
CE
2
3
4
5
6
I / O端口
芯片使能
写使能
读使能
命令锁存使能
地址锁存使能
写保护
就绪/忙
输入地
电源
地
NC ：未连接
000707EBA1
CLE
ALE
WE
NU
NU
I/O1
NU
I/O2
NU
NU
NU
NU
NU
I/O3
NU
I/O4
NU
NU
NU
NU
NU
NU
V
CC
I/O6
NU
NU
NU
NU
RY / BY
NU
NU
GND
NU
NU
NU
I/O7
NC
NC
NC
WE
RE
CLE
ALE
WP
RY / BY
GND
V
CC
V
SS
NU ：未使用，
NU
I/O8
I/O5
RE
V
SS
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。这是买方的责任，
利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并避免
情况，其中东芝等产品的故障或失效可能导致生命损失，人身伤害或损坏
财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围作为最陈述
最近东芝的产品规格。另外，请记住提出的注意事项和条件“处理指南
半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能控制
仪器仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
本文档中介绍的产品都受到外汇和外国贸易法。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
2001-12-04 1/31
TC581282AXB
框图
V
CC
V
SS
状态寄存器
I/O1
to
I/O8
I / O控制电路
地址寄存器
柱缓冲液
列解码器
命令寄存器
数据寄存器
SENSE AMP
行地址译码器
CE
CLE
ALE
逻辑控制
WE
RE
WP
RY / BY
RY / BY
高压发生器
控制
行地址缓冲器
解码器
存储单元阵列
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
I / O
P
D
T
SOLDER
T
英镑
T
OPR
电源电压
输入电压
输入/输出电压
功耗
焊接温度（ 10秒）
储存温度
工作温度
等级
价值
0.6
4.6
0.6
4.6
0.6
V到V
CC
+
0.3 V (≤ 4.6 V)
0.3
260
55
到125
40
85
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
电容
* （大
=
25 ° C，F
=
1兆赫）
SYMB0L
C
IN
C
OUT
*
输入
产量
参数
条件
V
IN
=
0 V
V
OUT
=
0 V
民
最大
10
10
单位
pF
pF
此参数是周期性采样，而不是对每个设备进行测试。
2001-12-04 2/31
TC581282AXB
有效块
(1)
符号
N
VB
参数
有效块数
民
1004
典型值。
最大
1024
单位
块
（1） TC581282A偶尔包含不可用的块。参阅应用说明（13）朝向该文件的结束。
建议的直流工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
*
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
2
V（脉冲宽度小于20纳秒）
民
2.7
2.0
0.3*
典型值。
3.3
最大
3.6
V
CC
+
0.3
0.8
单位
V
V
V
DC特性
（大
=
40 °至85° C，V
CC
=
2.7 V至3.6 V ）
符号
I
IL
I
LO
I
CCO1
I
CCO3
I
CCO4
I
CCO5
I
CCO7
I
CCO8
I
CCS1
I
CCS2
V
OH
V
OL
I
OL
（ RY / BY ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流（串行读）
工作电流
（命令输入）
工作电流（数据输入）
工作电流
（地址输入）
编程电流
写电流
待机电流
待机电流
高电平输出电压
低电平输出电压
RY /输出电流引脚
条件
V
IN
=
0 V至V
CC
V
OUT
=
0.4 V到V
CC
CE
=
V
IL
, I
OUT
=
0毫安，T
周期
=
50纳秒
民
典型值。
10
10
10
10
10
10
8
最大
±10
±10
30
30
30
30
30
30
1
100
0.4
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
V
mA
t
周期
=
50纳秒
t
周期
=
50纳秒
t
周期
=
50纳秒
CE
=
V
IH ，
WP
=
0 V/V
CC
CE
=
V
CC
0.2 V
,
WP
=
0 V/V
CC
2.4
I
OH
= 400 A
I
OL
=
2.1毫安
V
OL
=
0.4 V
2001-12-04 3/31
TC581282AXB
交流特性和推荐工作条件
（大
=
40 °至85° C，V
CC
=
2.7 V至3.6 V ）
符号
t
CLS
t
CLH
t
CS
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
t
WC
t
WH
t
WW
t
RR
t
RP
t
RC
t
REA
t
CEA
t
REAID
t
OH
t
RHZ
t
CHZ
t
REH
t
IR
t
RSTO
t
集体安全条约组织
t
RHW
t
世界遗产
t
WHR
t
AR1
t
CR
t
R
t
WB
t
AR2
t
RST
CLE建立时间
CLE保持时间
CE建立时间
CE保持时间
把脉冲宽度
ALE建立时间
ALE保持时间
数据建立时间
数据保持时间
写周期时间
参数
民
0
10
0
10
25
0
10
20
10
50
15
100
20
35
50
10
15
0
0
30
30
100
100
50
最大
35
45
35
30
20
35
45
25
200
6/10/500
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
ns
s
笔记
WE
高保持时间
WP
高
WE
低
准备
RE
下降沿
阅读脉宽
读周期时间
RE
访问时间（串行数据访问）
CE访问时间（串行数据访问）
RE
访问时间（ ID读）
数据输出保持时间
RE
高输出高阻抗
CE高到输出高阻抗
RE
高保持时间
输出高阻抗，用于─
RE
下降沿
RE
访问时间（状态读）
CE访问时间（状态读）
RE
高
WE
低
WE
高到CE低
WE
高
RE
低
ALE低
RE
低（ ID读）
CE为低电平
RE
低（ ID读）
存储单元阵列，以起始地址
WE
高到忙
ALE低
RE
低（读周期）
器件复位时间（读取/编程/擦除）
AC测试条件
参数
输入电平
输入脉冲上升时间和下降时间
输入电平比较
输出数据比较级
输出负载
条件
2.4 V, 0.4 V
3纳秒
1.5 V, 1.5 V
1.5 V, 1.5 V
C
L
（ 100 pF的）
+
1 TTL
2001-12-04 4/31
TC581282AXB
编程和擦除特性
（大
=
40 °至85° C，V
CC
=
2.7 V至3.6 V ）
符号
t
PROG
N
t
BERASE
参数
编程时间
在相同的编程周期数
页面
块擦除时间
民
典型值。
200至300
2
最大
1000
3
10
ms
单位
s
(1)
笔记
（ 1 ） ：请参考应用笔记（ 12 ）对本文档的末尾。
2001-12-04 5/31
TC581282AXB
暂定
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
2
128兆位（ 16M
×
8位）的CMOS NAND PROM
描述
该TC581282A是采用3.3 V单128兆位（ 138412032 ） NAND位电可擦除和可编程
只读存储器（ NAND
2
PROM ）组织为528个字节
×
32页
×
1024块。该装置具有一个528个字节的
静态寄存器，它允许程序和数据读取到寄存器和存储器单元阵列之间传送
在528个字节为单位。擦除操作是在一个单一的块为单位实施（ 16千字节
+
512字节： 528字节
×
32页） 。
该TC581282A是，它利用了I / O管脚对地址和数据输入/输出的串行式存储装置
以及用于命令输入。在擦除和编程操作自动执行使得设备
的应用，如固态的文件存储，语音记录，图像文件存储用于静态相机最合适
和其它需要高密度的非易失性存储器的数据存储系统。
特点
组织
存储单元释528
×
32K
×
8
注册
528
×
8
PAGE SIZE
528字节
BLOCK SIZE
(16K
+
512 ）字节
模式
阅读，复位，自动页面编程
自动块擦除，状态读
模式控制
串行输入/输出
指挥控制
电源
V
CC
=
2.7 V至3.6 V
编程/擦除周期1E5周期（带ECC ）
存取时间
注册25单元阵列
s
最大
串行读周期
50 ns（最小值）
工作电流
阅读（ 50 ns的周期）
10毫安典型。
计划（平均）
10毫安典型。
擦除（平均）
10毫安典型。
待机
100
A
包
P- TFBGA56-0710-0.80AZ （重量：
克典型值）。
引脚分配
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
NC
NC
NC
NC
NU
NU
WP
NU
NU
CE
引脚名称
7
8
NC
NC
I / O1到I / O8
CE
2
3
4
5
6
I / O端口
芯片使能
写使能
读使能
命令锁存使能
地址锁存使能
写保护
就绪/忙
输入地
电源
地
NC ：未连接
000707EBA1
CLE
ALE
WE
NU
NU
I/O1
NU
I/O2
NU
NU
NU
NU
NU
I/O3
NU
I/O4
NU
NU
NU
NU
NU
NU
V
CC
I/O6
NU
NU
NU
NU
RY / BY
NU
NU
GND
NU
NU
NU
I/O7
NC
NC
NC
WE
RE
CLE
ALE
WP
RY / BY
GND
V
CC
V
SS
NU ：未使用，
NU
I/O8
I/O5
RE
V
SS
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。这是买方的责任，
利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并避免
情况，其中东芝等产品的故障或失效可能导致生命损失，人身伤害或损坏
财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围作为最陈述
最近东芝的产品规格。另外，请记住提出的注意事项和条件“处理指南
半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能控制
仪器仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
本文档中介绍的产品都受到外汇和外国贸易法。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
2001-12-04 1/31
TC581282AXB
框图
V
CC
V
SS
状态寄存器
I/O1
to
I/O8
I / O控制电路
地址寄存器
柱缓冲液
列解码器
命令寄存器
数据寄存器
SENSE AMP
行地址译码器
CE
CLE
ALE
逻辑控制
WE
RE
WP
RY / BY
RY / BY
高压发生器
控制
行地址缓冲器
解码器
存储单元阵列
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
I / O
P
D
T
SOLDER
T
英镑
T
OPR
电源电压
输入电压
输入/输出电压
功耗
焊接温度（ 10秒）
储存温度
工作温度
等级
价值
0.6
4.6
0.6
4.6
0.6
V到V
CC
+
0.3 V (≤ 4.6 V)
0.3
260
55
到125
40
85
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
电容
* （大
=
25 ° C，F
=
1兆赫）
SYMB0L
C
IN
C
OUT
*
输入
产量
参数
条件
V
IN
=
0 V
V
OUT
=
0 V
民
最大
10
10
单位
pF
pF
此参数是周期性采样，而不是对每个设备进行测试。
2001-12-04 2/31
TC581282AXB
有效块
(1)
符号
N
VB
参数
有效块数
民
1004
典型值。
最大
1024
单位
块
（1） TC581282A偶尔包含不可用的块。参阅应用说明（13）朝向该文件的结束。
建议的直流工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
*
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
2
V（脉冲宽度小于20纳秒）
民
2.7
2.0
0.3*
典型值。
3.3
最大
3.6
V
CC
+
0.3
0.8
单位
V
V
V
DC特性
（大
=
40 °至85° C，V
CC
=
2.7 V至3.6 V ）
符号
I
IL
I
LO
I
CCO1
I
CCO3
I
CCO4
I
CCO5
I
CCO7
I
CCO8
I
CCS1
I
CCS2
V
OH
V
OL
I
OL
（ RY / BY ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流（串行读）
工作电流
（命令输入）
工作电流（数据输入）
工作电流
（地址输入）
编程电流
写电流
待机电流
待机电流
高电平输出电压
低电平输出电压
RY /输出电流引脚
条件
V
IN
=
0 V至V
CC
V
OUT
=
0.4 V到V
CC
CE
=
V
IL
, I
OUT
=
0毫安，T
周期
=
50纳秒
民
典型值。
10
10
10
10
10
10
8
最大
±10
±10
30
30
30
30
30
30
1
100
0.4
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
V
mA
t
周期
=
50纳秒
t
周期
=
50纳秒
t
周期
=
50纳秒
CE
=
V
IH ，
WP
=
0 V/V
CC
CE
=
V
CC
0.2 V
,
WP
=
0 V/V
CC
2.4
I
OH
= 400 A
I
OL
=
2.1毫安
V
OL
=
0.4 V
2001-12-04 3/31
TC581282AXB
交流特性和推荐工作条件
（大
=
40 °至85° C，V
CC
=
2.7 V至3.6 V ）
符号
t
CLS
t
CLH
t
CS
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
t
WC
t
WH
t
WW
t
RR
t
RP
t
RC
t
REA
t
CEA
t
REAID
t
OH
t
RHZ
t
CHZ
t
REH
t
IR
t
RSTO
t
集体安全条约组织
t
RHW
t
世界遗产
t
WHR
t
AR1
t
CR
t
R
t
WB
t
AR2
t
RST
CLE建立时间
CLE保持时间
CE建立时间
CE保持时间
把脉冲宽度
ALE建立时间
ALE保持时间
数据建立时间
数据保持时间
写周期时间
参数
民
0
10
0
10
25
0
10
20
10
50
15
100
20
35
50
10
15
0
0
30
30
100
100
50
最大
35
45
35
30
20
35
45
25
200
6/10/500
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
ns
s
笔记
WE
高保持时间
WP
高
WE
低
准备
RE
下降沿
阅读脉宽
读周期时间
RE
访问时间（串行数据访问）
CE访问时间（串行数据访问）
RE
访问时间（ ID读）
数据输出保持时间
RE
高输出高阻抗
CE高到输出高阻抗
RE
高保持时间
输出高阻抗，用于─
RE
下降沿
RE
访问时间（状态读）
CE访问时间（状态读）
RE
高
WE
低
WE
高到CE低
WE
高
RE
低
ALE低
RE
低（ ID读）
CE为低电平
RE
低（ ID读）
存储单元阵列，以起始地址
WE
高到忙
ALE低
RE
低（读周期）
器件复位时间（读取/编程/擦除）
AC测试条件
参数
输入电平
输入脉冲上升时间和下降时间
输入电平比较
输出数据比较级
输出负载
条件
2.4 V, 0.4 V
3纳秒
1.5 V, 1.5 V
1.5 V, 1.5 V
C
L
（ 100 pF的）
+
1 TTL
2001-12-04 4/31
TC581282AXB
编程和擦除特性
（大
=
40 °至85° C，V
CC
=
2.7 V至3.6 V ）
符号
t
PROG
N
t
BERASE
参数
编程时间
在相同的编程周期数
页面
块擦除时间
民
典型值。
200至300
2
最大
1000
3
10
ms
单位
s
(1)
笔记
（ 1 ） ：请参考应用笔记（ 12 ）对本文档的末尾。
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