TC57
线路稳压器控制器
特点
低压差电压： 100mV的@ 650毫安与
FZT749 PNP晶体管
2.7V至8V电压范围
低工作电流： 50A工作，
0.2A关闭
低真芯片使能
输出精度< ± 2 ％
小型封装： 5引脚SOT- 23A
概述
该TC57是一款低压差稳压器控制器
与外部PNP调整管工作，使
用户可以定制LDO的特性，以适应
应用程序在眼前。这导致更低的压差
操作（通常成本更低）与比较
传统的线性稳压器与主板上的通
晶体管。一个TC57-的最大输出电流
基于调节器电路是由只限于
外部晶体管的特性。为
例如， 650毫安的最大输出电流（与
为100mV的压差电压）时，产生一种FZT749
导通晶体管被使用时，而一个达林顿配置
可提供高达4A 。
灵活性和卓越的性能使得该系列
稳压控制器的应用的理想选择
其中，低压差和低安装成本
键。
应用
电池供电系统
便携式仪器
高效率线性稳压器
后稳压开关电源
电源或备用电池供应
内存
器件选型表
产品型号
TC572502ECT
TC573002ECT
TC573302ECT
产量
电压
2.5V
3.0V
3.3V
包
温度
范围
功能框图
V
IN
+3.3V
FZT749
Q1
V
OUT
+3V
5引脚SOT- 23A -40 ° C至+ 85°C
5引脚SOT- 23A -40 ° C至+ 85°C
5引脚SOT- 23A -40 ° C至+ 85°C
R
BE
47K
C
IN
10F
（钽）
R
B
1K
4
EXT
V
IN
2
V
OUT
3
C
L
10F
（钽）
R
L
关闭
TC573002ECT
ON
5
SHDN
GND
1
其他输出电压和封装选项。
请联系Microchip科技公司的详细信息。
套餐类型
3.3V线路输入， 3.0V ， 500mA输出LDO
5引脚SOT- 23A
SHDN
5
EXT
4
TC57
1
GND
2
V
IN
3
V
OUT
注意：
5引脚SOT -23A相当于EIAJ的SC- 74A 。
2002年Microchip的科技公司
DS21437B第1页
TC57
1.0
电动
特征
绝对最大额定值*
输入电压................................................ ........ + 12V
输出电流................................................ .... 50毫安
输出电压............................. -0.3V到（V
IN
+ 0.3V)
功耗为150mW .............................................
工作温度范围............. -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.............. -40 ° C至+ 150°C
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
TC55电气规范
TC57EP3002电气特性：
SHDN = GND ，V
IN
= V
OUT
+ 1V, V
OUT
= 3V至5V ，我
OUT
= 0, T
A
= 25 ° C，测试电路
图3-1中，除非另有说明。
（注2 ）
符号
V
IN
V
EXT
V
OUT
V
OUT
V
IN
- V
OUT
I
DD
I
SHDN
参数
输入电压
对EXT输出电压
输出电压
负载调整率
输入输出电压差
电源电流
关断电源电流
民
—
—
-60
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
—
-0.2
典型值
—
—
—
100
50
—
0.1
±100
—
—
—
—
—
-0.05
最大
8
8
60
—
80
0.6
0.3
—
0.5
25
—
0.25
0.1
0
单位
V
V
V
mV
mV
A
A
%/V
PPM /°C的
A
mA
V
V
A
A
V
SHDN
= V
IN
= 5V
V
SHDN
= GND
注4
I
OUT
= 50毫安
（注1 ）
1mA
≤
I
OUT
≤
100mA
（注3）
I
OUT
= 100毫安
（注2 ）
V
SHDN
= V
IN
= 5V
V
SHDN
= GND
I
OUT
= 50mA时为4V
≤
V
IN
≤
8V
（注3）
I
OUT
= 10毫安， -40°C <牛逼
J
＆ LT ; + 85°C
（注3）
测试条件
0.98
X
V
R
V
R
±0.5% 1.02
X
V
R
V
OUT
/V
IN
线路调整
V
OUT
/T
I
LEXT
I
EXT
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
记
1:
2:
3:
4:
V
OUT
温度COEF网络cient
EXT端子泄漏电流
EXT灌电流
SHDN输入高阈值逻辑
SHDN输入低电平逻辑阈值
SHDN输入电流@ V
IH
SHDN输入电流@ V
IL
V
R
是稳压器输出电压设定。
电压差定义为输入，输出差分，当输出电压降到2％以下，在一个测定其标称值
1V差。
随传输晶体管的使用类型。显示的数字是图3-1的测试电路。
I的产物
EXT X
V
EXT
必须小于所允许的最大功率耗散。
DS21437B第2页
2002年Microchip的科技公司
TC57
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1：
PIN号
（ 5引脚SOT- 23A ）
1
2
3
4
5
引脚功能表
符号
GND
V
IN
V
OUT
EXT
SHDN
接地端子。
电源电压输入。 2.7V的正向输入电压8.0V 。
稳压器电压检测输入。连接到外部PNP传输晶体管的集电极。
基极驱动外部PNP旁路晶体管。
关断输入。该装置被启用时， SHDN
≤
V
IL
。该器件进入低功耗
关机状态下，当SHDN
≥
V
IH
。在关断期间，输出被禁用，电源电流
降到小于1A 。
描述
2002年Microchip的科技公司
DS21437B第3页
TC57
3.0
详细说明
3.2
基限流电阻
在TC57系列精密低压差稳压器
控制器使用一个外部PNP晶体管
适应范围广的输出电流。一系列
电阻器（R
B
）限制引出的最大基极电流
从PNP晶体管。既限制了基极驱动
决定了稳压器的输出电流能力，如
以及限制接地电流时，该设备是
在辍学工作。 PNP晶体管的V
CE （ SAT ）
is
唯一的限制因素压差。
基极电流限制电阻R，
B
可估计
使用：
公式3-3 ：
R
B
=
其中：
h
FE
是导通晶体管的电流增益
V
在我
S中的输入电压（单位为伏特）
h
FE
(V
IN
– V
BE
)
I
OUT
图3-1：
V
IN
测试电路
FZT749
Q1
V
OUT
V
BE
是在基极 - 发射极电压在所希望的
输出电流（单位为伏特）
I
OUT
为输出电流（以安培）
例如，假定期望的连续输出
电流1.0A， 5V的输入电压和一个FZT749的
通过晶体管。该FZT749具有典型
FE
170 ，
之间的V型
BE
的0.8V ;无论是在集电极电流规定
的1.0A 。这些值代入公式
在R以上的结果
B
对704值（最接近的标准
值= 680 ） 。
R
BE
33K
C
IN
10F
（钽）
R
B
680
4
V
OUT
3
EXT
2 V
IN
关闭
ON
5
C
L
10F
（钽）
R
L
TC573002ECT
SHDN
GND
1
3.3
3.1
晶体管的选择
该PNP传输晶体管必须具有良好的动力
耗散，电流增益，和集电极电流specifi-
阳离子以适合手头上的应用程序。最大
输出电流的电路可以提供受影响
h
FE
。最高保证输出电流由下式给出：
上拉电阻和输出
电容
公式3-1 ：
I
LOAD （MAX）
= 25毫安x高
FE（ MIN）的
该晶体管的实际功耗（ PD ）等于
到最大负载电流倍的最大输入/
输出电压差，或：
一个上拉电阻（R
BE
时，基极之间安装并
通过晶体管）的发射极利于迅速关断的
在突然降低的情况下通过晶体管
负载（图3-2 ） 。这个推荐值
电阻是20K和47K之间。钽
中的至少10F输出电容器，必须使用
保证稳定性。较高的值减小输出
噪音和减少电流过冲，但延长
电时间。表3-1列出了几个电容
的选择。
图3-2：
3.3V ， 1A稳压器
使用5V电源输入
FZT749
Q1
V
OUT
= 3.3V
公式3-2 ：
P
D
≈
I
LOAD （MAX）
X （V
IN （MAX）
– V
OUT （分钟）
)
理想的晶体管具有最低
FE
100 ，和一
V
CE （ SAT ）
不到0.6V的最大输出电流。为
例如， Zetex的FZT749具有H
FE
170在
图1A中集电极电流，并保证V
CE （ SAT ）
of
0.3V在100mA时的基极电流。它被封装在一个
SOT- 223 ，推荐用于与TC57的使用。
其它晶体管也是合适的，这取决于
所需的输入和输出电压和输出电流
（表3-1）。
V
IN
= 5V
C
IN
10F
（钽）
R
BE
33K
R
B
680
4
EXT
C
OUT
10F
（钽）
2 V
IN
1
5
GND
SHDN
V
OUT
3
TC57
OFF ON
DS21437B第4页
2002年Microchip的科技公司
TC57
3.4
输入电容
3.5
关断模式
增加输入电容器的进一步降低
输出噪声，并且否定了电源的影响
输入阻抗。一个10F （分）钽电容
推荐使用。
在TC57进入低功耗关断模式时，
关断输入（ SHDN ）为高。在关断期间，
禁止稳压器，输出电容为
通过负载放电，将电流提供给
TC57减小到小于1A 。正常工作
恢复时， SHDN为低电平。如果关闭
模式不使用， SHDN应该连接到V
IN
.
表3-1：
元件供应商
MOUNTING
法
生产厂家
网站
设备
电容器
267系列
F95系列钽
595系列钽
OS- CON系列
LXF系列
晶体管
ZTX749
2N4403
2N2907A
FZT749
表面贴装
表面贴装
表面贴装
通孔
通孔
通孔
通孔
通孔
表面贴装
松尾
尼吉康
斯普拉格
三洋
美贵弥功
Zetex的
安森美半导体
安森美半导体
Zetex的
http://www.matsuoelectronics.com
http://www.nichicon-us.com
http://www.vishay.com/brands/sprague
http://www.sanyovideo.com
http://chemi-con.com
http://www.zetex.com
http://www.onsemi.com/home
http://www.onsemi.com/home
http://www.zetex.com
2002年Microchip的科技公司
DS21437B第5页
QQ：2881677436 复制
