TC55VZM216AJJN/AFTN08,10,12
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
262,144字×16位CMOS静态RAM
描述
该TC55VZM216AJJN / AFTN是组织为4,194,304位高速静态随机存取存储器（ SRAM ）
262,144字由16位。采用CMOS工艺和先进的电路技术，为客户提供高制造
速度，它采用3.3 V单电源供电。芯片使能（CE ）可以用于将设备放置在一
低功耗模式，并且输出使能（OE ）提供快速存储器的访问。数据字节的控制信号（
LB
,
UB
）提供
上下字节访问。该装置非常适合于高速缓存存储器的应用中的高速访问和
高速存储是必需的。所有输入和输出都直接LVTTL兼容。该
TC55VZM216AJJN / AFTN是塑料的44引脚SOJ以及TSOP与400mil宽度，高密度的表面可用
装配。
特点
快速访问时间（下面是最大值）
TC55VZM216AJJN / AFTN08 ： 8纳秒
TC55VZM216AJJN / AFTN10 ： 10纳秒
TC55VZM216AJJN / AFTN12 ： 12纳秒
低功耗（I
DDO2
)
（下面是最大值）
周期
操作（最大）
8
140
10
130
12
120
ns
mA
3.3 V单电源电压
±
0.3 V
全静态操作
所有输入和输出都是LVTTL兼容
用OE输出缓冲控制
使用数据字节控制
LB
（ I / O1到I / O8 ）和
UB
（I / O9到I / O16 ）
包装：
SOJ44 -P - 400-1.27 （ AJJN ）
（重量： 1.64克典型值）
TSOP II44 -P - 400-0.80 （ AFTN ） （重量： 0.45克典型值）
待机： 4毫安（两个设备）
引脚分配
（ TOP VIEW ）
44针SOJ
44引脚TSOP
引脚名称
A0到A17
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
DD
GND
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A15
A14
A13
A12
A16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
GND
V
DD
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NU
A8
A9
A10
A11
A17
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
DD
GND
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A15
A14
A13
A12
A16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
GND
V
DD
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NU
A8
A9
A10
A11
A17
I / O1到I / O16
CE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
数据字节控制输入
电源（ +3.3 V）
地
不可用（输入）
WE
OE
LB
,
UB
V
DD
GND
NU
(TC55VZM216AJJN)
(TC55VZM216AFTN)
2003-01-17
1/11
TC55VZM216AJJN/AFTN08,10,12
框图
A0
A1
A4
A5
A8
A9
A13
A14
A15
A17
ROW
地址
卜FF器
ROW
解码器
存储单元阵列
1,024
×
256
×
16
(4,194,304)
V
DD
GND
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
I/O16
SENSE AMP
数据
产量
卜FF器
CE
列地址缓冲器
时钟
发电机
A2 A3 A6 A7 A10 A11 A12 A16
价值
0.5
4.6
0.5*
4.6
0.5*
到V
DD
+
0.5**
1.4
260
65
150
10
85
数据
输入
卜FF器
列解码器
WE
OE
UB
LB
CE
CE
最大额定值
符号
V
DD
V
IN
V
I / O
P
D
T
SOLDER
T
英镑
T
OPR
电源电压
输入端子的电压
输入/输出端子电压
功耗
焊接温度（ 10秒）
储存温度
工作温度
等级
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
*:
1.5
V配合的叔为20％的脉冲宽度
RC
分（ 4 ns（最大值） ）
**:
V
DD
+
1.5伏以吨为20％的脉冲宽度
RC
分（ 4 ns（最大值） ）
2003-01-17
数据
产量
卜FF器
数据
输入
卜FF器
CE
2/11
TC55VZM216AJJN/AFTN08,10,12
DC推荐工作条件
（大
=
0°至70℃ ）
符号
V
DD
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
民
3.0
2.0
0.3*
典型值
3.3
最大
3.6
V
DD
+
0.3**
0.8
单位
V
V
V
*:
1.0
V配合的叔为20％的脉冲宽度
RC
分（ 4 ns（最大值） ）
**:
V
DD
+
1.0V，与叔为20％的脉冲宽度
RC
分（ 4 ns（最大值） ）
DC特性
（大
=
0 °至70° C，V
DD
=
3.3 V
±
0.3 V)
符号
I
IL
I
LO
I
我（ NU ）
参数
输入漏电流
V
IN
=
0到V
DD
（除NU针）
输出漏
当前
CE
=
V
IH
或WE
=
V
IL
or
OE
=
V
IH
,
V
OUT
=
0到V
DD
测试条件
民
1
1
1
2.4
V
DD
0.2
t
周期
=
8纳秒
t
周期
=
10纳秒
t
周期
=
12纳秒
t
周期
=
8纳秒
t
周期
=
10纳秒
t
周期
=
12纳秒
典型值
最大
1
单位
A
A
A
1
输入漏电流
V
IN
=
0 V
（ NU针）
输出高电压
I
OH
= 2
mA
I
OH
= 100 A
I
OL
=
2毫安
I
OL
=
100
A
CE
=
V
IL
, I
OUT
=
0毫安，
1
0.4
0.2
170
160
150
V
OH
V
V
OL
输出低电压
I
DDO1
工作电流
OE
=
V
IH
,
其他输入
=
V
IH
/V
IL
CE
=
0.2 V，I
OUT
=
0毫安，
mA
140
130
120
55
mA
4
I
DDO2
OE
=
V
DD
0.2 V,
其他输入
=
V
DD
0.2 V/0.2 V
I
DDS1
I
DDS2
待机电流
CE
=
V
IH
，其他输入
=
V
IH
或V
IL
CE
=
V
DD
0.2 V ，其他输入
=
V
DD
0.2 V或0.2 V
电容
（大
=
25 ° C，F
=
1.0兆赫）
符号
C
IN
C
I / O
注意：
参数
输入电容
输入/输出电容
V
IN
=
GND
V
I / O
=
GND
测试条件
最大
6
8
单位
pF
pF
此参数是周期性采样，而不是100％测试。
2003-01-17
3/11
TC55VZM216AJJN/AFTN08,10,12
经营模式
模式
CE
OE
WE
LB
L
UB
I / O1到I / O8
产量
高阻抗
产量
输入
高阻抗
输入
高阻抗
的I / O9到I / O16
产量
产量
高阻抗
输入
输入
高阻抗
高阻抗
高阻抗
动力
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDS
L
L
H
L
L
H
*
H
*
读
L
L
H
H
L
L
写
L
*
L
H
L
L
输出禁用
L
待机
*
：无所谓
注意：
H
H
*
*
H
*
*
*
H
*
高阻抗
怒江脚必须悬空或连接到GND 。
你不能申请超过0.8 V至怒江的电压。
2003-01-17
4/11
TC55VZM216AJJN/AFTN08,10,12
AC特性
（大
=
0°至70℃
读周期
TC55VZM216AJJN/AFTN
符号
参数
民
t
RC
t
加
t
CO
t
OE
t
BA
t
OH
t
COE
t
OEE
t
BE
t
鳕鱼
t
ODO
t
BD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
高位字节，低字节访问时间
输出数据保持时间从地址变更
输出使能时间从芯片使能
输出使能时间从输出使能
输出使能时间从高字节，低字节
从芯片输出禁止时间启用
输出禁止时间从输出使能
输出高字节禁止时间，低字节
8
3
3
0
0
08
最大
8
8
4
4
4
4
4
民
10
3
3
0
0
10
最大
10
10
5
5
5
5
5
民
12
3
3
0
0
12
最大
12
12
6
6
6
6
6
ns
单位
（见注1 ）
, V
DD
=
3.3 V
±
0.3 V)
写周期
TC55VZM216AJJN/AFTN
符号
参数
民
t
WC
t
WP
t
CW
t
BW
t
AW
t
AS
t
WR
t
DS
t
DH
t
OEW
t
ODW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
高位字节，低字节使能，以结束写的
地址有效到写结束
地址建立时间
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
输出使能时间从写使能
从写使能输出禁止时间
8
6
6
6
6
0
0
4
0
3
08
最大
4
民
10
7
7
7
7
0
0
5
0
3
10
最大
5
民
12
8
8
8
8
0
0
6
0
3
12
最大
6
ns
单位
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入脉冲上升时间和下降时间
输入定时测量
参考电平
输出定时测量
参考电平
输出负载
测试条件
3.0 V/ 0.0 V
2纳秒
1.5 V
Fig.1
3.3 V
1200
I / O引脚
R
L
=
50
V
L
=
1.5 V
1.5 V
Fig.1
870
I / O引脚
0
=
50
C
L
=
30 pF的
C
L
=
5 pF的
（对于T
COE
, t
OEE
, t
BE
, t
鳕鱼
,
t
BD
, t
ODO
, t
OEW
和T
ODW
)
2003-01-17
5/11
TC55VZM216AJJN/AFTN08,10,12
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
262,144字×16位CMOS静态RAM
描述
该TC55VZM216AJJN / AFTN是组织为4,194,304位高速静态随机存取存储器（ SRAM ）
262,144字由16位。采用CMOS工艺和先进的电路技术，为客户提供高制造
速度，它采用3.3 V单电源供电。芯片使能（CE ）可以用于将设备放置在一
低功耗模式，并且输出使能（OE ）提供快速存储器的访问。数据字节的控制信号（
LB
,
UB
）提供
上下字节访问。该装置非常适合于高速缓存存储器的应用中的高速访问和
高速存储是必需的。所有输入和输出都直接LVTTL兼容。该
TC55VZM216AJJN / AFTN是塑料的44引脚SOJ以及TSOP与400mil宽度，高密度的表面可用
装配。
特点
快速访问时间（下面是最大值）
TC55VZM216AJJN / AFTN08 ： 8纳秒
TC55VZM216AJJN / AFTN10 ： 10纳秒
TC55VZM216AJJN / AFTN12 ： 12纳秒
低功耗（I
DDO2
)
（下面是最大值）
周期
操作（最大）
8
140
10
130
12
120
ns
mA
3.3 V单电源电压
±
0.3 V
全静态操作
所有输入和输出都是LVTTL兼容
用OE输出缓冲控制
使用数据字节控制
LB
（ I / O1到I / O8 ）和
UB
（I / O9到I / O16 ）
包装：
SOJ44 -P - 400-1.27 （ AJJN ）
（重量： 1.64克典型值）
TSOP II44 -P - 400-0.80 （ AFTN ） （重量： 0.45克典型值）
待机： 4毫安（两个设备）
引脚分配
（ TOP VIEW ）
44针SOJ
44引脚TSOP
引脚名称
A0到A17
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
DD
GND
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A15
A14
A13
A12
A16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
GND
V
DD
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NU
A8
A9
A10
A11
A17
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
DD
GND
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A15
A14
A13
A12
A16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
GND
V
DD
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NU
A8
A9
A10
A11
A17
I / O1到I / O16
CE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
数据字节控制输入
电源（ +3.3 V）
地
不可用（输入）
WE
OE
LB
,
UB
V
DD
GND
NU
(TC55VZM216AJJN)
(TC55VZM216AFTN)
2003-01-17
1/11
TC55VZM216AJJN/AFTN08,10,12
框图
A0
A1
A4
A5
A8
A9
A13
A14
A15
A17
ROW
地址
卜FF器
ROW
解码器
存储单元阵列
1,024
×
256
×
16
(4,194,304)
V
DD
GND
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
I/O16
SENSE AMP
数据
产量
卜FF器
CE
列地址缓冲器
时钟
发电机
A2 A3 A6 A7 A10 A11 A12 A16
价值
0.5
4.6
0.5*
4.6
0.5*
到V
DD
+
0.5**
1.4
260
65
150
10
85
数据
输入
卜FF器
列解码器
WE
OE
UB
LB
CE
CE
最大额定值
符号
V
DD
V
IN
V
I / O
P
D
T
SOLDER
T
英镑
T
OPR
电源电压
输入端子的电压
输入/输出端子电压
功耗
焊接温度（ 10秒）
储存温度
工作温度
等级
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
*:
1.5
V配合的叔为20％的脉冲宽度
RC
分（ 4 ns（最大值） ）
**:
V
DD
+
1.5伏以吨为20％的脉冲宽度
RC
分（ 4 ns（最大值） ）
2003-01-17
数据
产量
卜FF器
数据
输入
卜FF器
CE
2/11
TC55VZM216AJJN/AFTN08,10,12
DC推荐工作条件
（大
=
0°至70℃ ）
符号
V
DD
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
民
3.0
2.0
0.3*
典型值
3.3
最大
3.6
V
DD
+
0.3**
0.8
单位
V
V
V
*:
1.0
V配合的叔为20％的脉冲宽度
RC
分（ 4 ns（最大值） ）
**:
V
DD
+
1.0V，与叔为20％的脉冲宽度
RC
分（ 4 ns（最大值） ）
DC特性
（大
=
0 °至70° C，V
DD
=
3.3 V
±
0.3 V)
符号
I
IL
I
LO
I
我（ NU ）
参数
输入漏电流
V
IN
=
0到V
DD
（除NU针）
输出漏
当前
CE
=
V
IH
或WE
=
V
IL
or
OE
=
V
IH
,
V
OUT
=
0到V
DD
测试条件
民
1
1
1
2.4
V
DD
0.2
t
周期
=
8纳秒
t
周期
=
10纳秒
t
周期
=
12纳秒
t
周期
=
8纳秒
t
周期
=
10纳秒
t
周期
=
12纳秒
典型值
最大
1
单位
A
A
A
1
输入漏电流
V
IN
=
0 V
（ NU针）
输出高电压
I
OH
= 2
mA
I
OH
= 100 A
I
OL
=
2毫安
I
OL
=
100
A
CE
=
V
IL
, I
OUT
=
0毫安，
1
0.4
0.2
170
160
150
V
OH
V
V
OL
输出低电压
I
DDO1
工作电流
OE
=
V
IH
,
其他输入
=
V
IH
/V
IL
CE
=
0.2 V，I
OUT
=
0毫安，
mA
140
130
120
55
mA
4
I
DDO2
OE
=
V
DD
0.2 V,
其他输入
=
V
DD
0.2 V/0.2 V
I
DDS1
I
DDS2
待机电流
CE
=
V
IH
，其他输入
=
V
IH
或V
IL
CE
=
V
DD
0.2 V ，其他输入
=
V
DD
0.2 V或0.2 V
电容
（大
=
25 ° C，F
=
1.0兆赫）
符号
C
IN
C
I / O
注意：
参数
输入电容
输入/输出电容
V
IN
=
GND
V
I / O
=
GND
测试条件
最大
6
8
单位
pF
pF
此参数是周期性采样，而不是100％测试。
2003-01-17
3/11
TC55VZM216AJJN/AFTN08,10,12
经营模式
模式
CE
OE
WE
LB
L
UB
I / O1到I / O8
产量
高阻抗
产量
输入
高阻抗
输入
高阻抗
的I / O9到I / O16
产量
产量
高阻抗
输入
输入
高阻抗
高阻抗
高阻抗
动力
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDS
L
L
H
L
L
H
*
H
*
读
L
L
H
H
L
L
写
L
*
L
H
L
L
输出禁用
L
待机
*
：无所谓
注意：
H
H
*
*
H
*
*
*
H
*
高阻抗
怒江脚必须悬空或连接到GND 。
你不能申请超过0.8 V至怒江的电压。
2003-01-17
4/11
TC55VZM216AJJN/AFTN08,10,12
AC特性
（大
=
0°至70℃
读周期
TC55VZM216AJJN/AFTN
符号
参数
民
t
RC
t
加
t
CO
t
OE
t
BA
t
OH
t
COE
t
OEE
t
BE
t
鳕鱼
t
ODO
t
BD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
高位字节，低字节访问时间
输出数据保持时间从地址变更
输出使能时间从芯片使能
输出使能时间从输出使能
输出使能时间从高字节，低字节
从芯片输出禁止时间启用
输出禁止时间从输出使能
输出高字节禁止时间，低字节
8
3
3
0
0
08
最大
8
8
4
4
4
4
4
民
10
3
3
0
0
10
最大
10
10
5
5
5
5
5
民
12
3
3
0
0
12
最大
12
12
6
6
6
6
6
ns
单位
（见注1 ）
, V
DD
=
3.3 V
±
0.3 V)
写周期
TC55VZM216AJJN/AFTN
符号
参数
民
t
WC
t
WP
t
CW
t
BW
t
AW
t
AS
t
WR
t
DS
t
DH
t
OEW
t
ODW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
高位字节，低字节使能，以结束写的
地址有效到写结束
地址建立时间
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
输出使能时间从写使能
从写使能输出禁止时间
8
6
6
6
6
0
0
4
0
3
08
最大
4
民
10
7
7
7
7
0
0
5
0
3
10
最大
5
民
12
8
8
8
8
0
0
6
0
3
12
最大
6
ns
单位
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入脉冲上升时间和下降时间
输入定时测量
参考电平
输出定时测量
参考电平
输出负载
测试条件
3.0 V/ 0.0 V
2纳秒
1.5 V
Fig.1
3.3 V
1200
I / O引脚
R
L
=
50
V
L
=
1.5 V
1.5 V
Fig.1
870
I / O引脚
0
=
50
C
L
=
30 pF的
C
L
=
5 pF的
（对于T
COE
, t
OEE
, t
BE
, t
鳕鱼
,
t
BD
, t
ODO
, t
OEW
和T
ODW
)
2003-01-17
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