TC55VCM416BTGN ， TC55VCM416BSGN ， TC55VEM416BXGN55
TC55YCM416BTGN ， TC55YCM416BSGN ， TC55YEM416BXGN70
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
1048576 - WORD 16位全CMOS静态RAM
描述
LEAD -FREE
该TC55VCM416B ， TC55VEM416B ， TC55YCM416B和TC55YEM416B是16777216位静态随机
由16位组织为1048576字存取存储器（SRAM ） 。采用东芝的CMOS硅栅制造
工艺技术，该器件采用单2.3至3.6 V / 1.65 2.2 V单电源供电。先进的电路
技术为2毫安/ MHz的工作电流和最小周期同时提供高速和低功耗
55纳秒的时间。 0.7它会自动放置在低功耗模式
μA
待机电流（在V
DD
=
3 V ，TA
=
25°C,
典型值）时，芯片使能（
CE1
）为高电平或（ CE2 ）被置为低电平。有三个控制输入。
CE1
和CE2分别用于选择设备和用于数据保持控制和输出使能（
OE
）提供了快速记忆
访问。数据字节控制引脚（
磅，
UB
）提供了下限和上限字节访问。该装置很适合于各种
微处理器系统的应用中高速，低功率和备用电池是必需的。并且，用
中保证工作的极端温度范围
40℃至85℃ ，在TC55VCM416B ， TC55VEM416B ，
TC55YCM416B和TC55YEM416B可以在表现出极端的温度条件下的环境中使用。该
TC55VCM416BTGN / BSGN ， TC55YCM416BTGN / BSGN可在一个塑料48引脚薄小外形封装
（ TSOP ） 。该TC55VEM416BXGN ， TC55YEM416BXGN可在一个塑料48球BGA封装。
特点
低功耗
操作： 6毫瓦/兆赫（典型值）
使用关机功能
CE1
和CE2
宽工作温度范围
40℃至85℃
LEAD -FREE
存取时间
（最大）
包
供应
电压
2.7~3.6 V
55纳秒
供应
电压
2.3~3.6 V
70纳秒
电源电流
At
At
操作待机
（最大）
（最大）
在数据
保留
产品型号
操作
供应
电压
TC55VCM416BTGN55
48引脚塑料TSOP （ I）
（ 12 X20毫米） （0.5mm间距引脚间距）
（通常弯曲）
48引脚塑料TSOP （ I）
2.3 3.6 V （ 12 × 14毫米） （0.5mm间距引脚间距）
（通常弯曲）
48球BGA
（ 8 × 11毫米） （高度仅0.75mm ，焊球间距）
TC55VCM416BSGN55
55纳秒
70纳秒
20毫安
15
μA
1.5~3.6 V
TC55VEM416BXGN55
55纳秒
70纳秒
产品型号
操作
供应
电压
存取时间
（最大）
包
供应
电压
1.8~2.2 V
70纳秒
供应
电压
1.65~2.2 V
85纳秒
电源电流
At
At
操作待机
（最大）
（最大）
在数据
保留
TC55YCM416BTGN70
48引脚塑料TSOP （ I）
（ 12 X20毫米） （0.5mm间距引脚间距）
（通常弯曲）
48引脚塑料TSOP （ I）
TC55YCM416BSGN70 1.65 2.2 V （ 12 × 14毫米） （0.5mm间距引脚间距）
（通常弯曲）
TC55YEM416BXGN70
48球BGA
（ 8 × 11毫米） （高度仅0.75mm ，焊球间距）
70纳秒
85纳秒
15毫安
15
μA
1.0~2.2 V
70纳秒
85纳秒
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TC55VCM416BTGN ， TC55VCM416BSGN ， TC55VEM416BXGN55
TC55YCM416BTGN ， TC55YCM416BSGN ， TC55YEM416BXGN70
引脚分配
（ TOP VIEW ）
48引脚塑料TSOP （ I） （ 12 X20毫米） （0.5mm间距引脚间距）（普通弯曲）
TC55VCM416BTGN
TC55YCM416BTGN
48引脚塑料TSOP （ I） （ 12 × 14毫米） （0.5mm间距引脚间距）（普通弯曲）
TC55VCM416BSGN
TC55YCM416BSGN
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
读/写
CE2
OP
UB
LB
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
NC
GND
I/O16
I/O8
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
V
DD
I/O12
I/O4
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
OE
GND
CE1
A0
48球BGA （ 8 × 11毫米） （高度仅0.75mm ，焊球间距）
TC55VEM416BXGN
TC55YEM416BXGN
1
A
B
LB
I/O9
2
OE
UB
3
A0
A3
A5
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
6
CE2
CE1的I / O1
的I / O 2 -I / O3
I / O4 V
DD
I / O5 GND
I / O6 I / O7
R / W I / O8
A11
NC
C I / O10 I / O11
GND I / O12 A17
E
V
DD
I / O13 OP
F I / O15 I / O14 A14
G I / O16 A19
H
A18
A8
A12
A9
引脚名称
A0~A19
地址输入
CE1 ， CE2
读/写
OE
LB ， UB
I/O1~I/O16
V
DD
GND
NC
OP *
芯片使能
读/写控制
OUTPUT ENABLE
数据字节控制
数据输入/输出
动力
地
无连接
选项
*
： OP引脚必须开路或连接到GND 。
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TC55VCM416BTGN ， TC55VCM416BSGN ， TC55VEM416BXGN55
TC55YCM416BTGN ， TC55YCM416BSGN ， TC55YEM416BXGN70
框图
CE
A1
A2
A3
A4
A8
A9
A10
A5
A6
A7
A17
A18
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
I/O16
V
DD
GND
存储单元阵列
4,096
×
128
×
16
×
2Bank
(16,777,216)
行地址
卜FF器
行地址
注册
行地址
解码器
SENSE AMP
数据
产量
卜FF器
数据
输入
卜FF器
列地址
解码器
列地址
注册
列地址
卜FF器
时钟
发电机
A19
A11
A15
A0
A13
A12
A14
A16
CE
读/写
OE
UB
LB
CE1
CE
CE2
数据
产量
卜FF器
数据
输入
卜FF器
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TC55VCM416BTGN ， TC55VCM416BSGN ， TC55VEM416BXGN55
TC55YCM416BTGN ， TC55YCM416BSGN ， TC55YEM416BXGN70
经营模式
模式
CE1
L
读
L
L
L
写
L
L
L
输出取消
L
L
待机
*
=不关心
H =逻辑高
L =逻辑低
CE2
H
H
H
H
H
H
H
H
H
*
OE
L
L
L
*
*
*
读/写
H
H
H
L
L
L
H
H
H
*
*
LB
L
H
L
L
H
L
L
H
L
*
*
UB
L
L
H
L
L
H
L
L
H
*
*
I/O1~I/O8
产量
高-Z
产量
输入
高-Z
输入
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
I/O9~I/O16
产量
产量
高-Z
输入
输入
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
动力
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDS
I
DDS
H
H
H
*
*
H
*
L
最大额定值
价值
符号
等级
TC55VCM416BTGN55
TC55VCM416BSGN55
TC55VEM416BXGN55
0.3~4.2
0.3 ~4.2
0.5~V
DD
+
0.5
*1
TC55YCM416BTGN70
TC55YCM416BSGN70
TC55YEM416BXGN70
0.3~2.5
0.3 ~2.5
0.5~V
DD
+
0.5
*1
单位
V
DD
V
IN
V
I / O
P
D
T
SOLDER
T
英镑
T
a
*1
电源电压
输入电压
输入/输出电压
功耗
焊接温度（ 10秒）
TSOP类型
储存温度
BGA型
工作环境温度
V
V
V
W
°C
°C
°C
°C
0.6
260
55~150
55~125
40~85
0.6
260
55~150
55~125
40~85
:
为1.0V时，在为10ns的脉冲宽度测
DC推荐工作条件（
Ta
= 40°
至85℃
)
符号
参数
测试条件
TC55VCM416BTGN55
TC55VCM416BSGN55
TC55VEM416BXGN55
民
V
DD
电源电压
TC55YCM416BTGN70
TC55YCM416BSGN70
TC55YEM416BXGN70
民
1.65
单位
最大
3.6
V
DD
+
0.3
V
DD
+
0.3
最大
2.2
2.3
2.0
2.2
0.3
*2
2.3 V
≤
V
DD
＆ LT ;
2.7 V
V
IH
输入高电压
2.7 V
≤
V
DD
≤
3.6 V
1.65 V
≤
V
DD
＆ LT ;
1.8 V
1.8 V
≤
V
DD
≤
2.2 V
V
IL
V
DH
*2
1.4
1.6
0.3
*2
V
DD
+
0.3
V
DD
+
0.3
V
DD
×
0.22
2.2
V
输入低电压
数据保持电源电压
V
DD
×
0.24
3.6
1.5
1.0
:
为1.0V时，在为10ns的脉冲宽度测
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TC55VCM416BTGN ， TC55VCM416BSGN ， TC55VEM416BXGN55
TC55YCM416BTGN ， TC55YCM416BSGN ， TC55YEM416BXGN70
DC特性
（大
= 40°
至85℃ ，V
DD
=
2.3至3.6 V / 1.65 2.2 V ）
符号参数
测试条件
TC55VCM416BTGN55 TC55YCM416BTGN70
TC55VCM416BSGN55 TC55YCM416BSGN70
TC55VEM416BXGN55 TC55YEM416BXGN70
单位
民
I
IL
I
OH
I
OL
输入漏
V
IN
=
0 V~V
DD
当前
产量
HIGH CURRENT
产量
低电流
产量
泄漏
当前
V
OH
=
V
DD
0.5 V
V
OL
=
0.4 V
CE1
=
V
IH
或CE2
=
V
IL
或LB
=
UB
=
V
IH
or
读/写
=
V
IL
或OE
=
V
IH
, V
OUT
=
0 V~V
DD
CE1
=
V
IL
和CE2
=
V
IH
和
读/写
=
V
IH
I
OUT
=
0毫安，
其他输入
=
V
IH
/V
IL
CE1
=
0.2 V和
CE2
=
V
DD
0.2 V和
读/写
=
V
DD
0.2 V，I
OUT
=
0毫安，
其他输入
=
V
DD
0.2 V/0.2 V
CE1
=
V
IH
或CE2
=
V
IL
V
DD
=
2.3~3.6 V
待机
当前
Ta
=
40~85°C
民
t
周期
1
μ
s
民
t
周期
1
μ
s
0.5
典型值
最大
±
1.0
民
0.5
典型值
最大
±
1.0
μ
A
mA
mA
2.1
2.1
I
LO
±
1.0
±
1.0
μ
A
20
8
20
2
1
15
1.0
2
12
mA
2
12
mA
2
1
μ
A
I
DDO1
操作
当前
I
DDO2
I
DDS1
mA
I
DDS2
Ta
=
25°C
1 ） CE1
=
V
DD
0.2 V,
V
DD
=
3.0 V
CE2
=
V
DD
0.2 V
Ta
=
40~40°C
2 ） CE2
=
0.2 V
V
DD
=
1.65~2.2 V
Ta
=
40~85°C
0.7
15
1.0
V
DD
=
1.8 V的Ta
=
25°C
注意：
0.7
在待机模式下， CE1
≥
V
DD
0.2 V ，这些限制保证了条件CE2
≥
V
DD
0.2 V或CE2
≤
0.2 V.
的另一个输入管脚不限制输入电平。
电容
（大
=
25 ° C，F
=
1兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
注意：
参数
输入电容
输出电容
V
IN
=
GND
V
OUT
=
GND
测试条件
最大
10
10
单位
pF
pF
此参数是周期性采样，而不是100％测试。
2005-08-09
5/18
QQ：2880707522 复制
