【TC55V040AFT-55,-70东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS524,288 ，一个字一个8】,IC型号TC55V040AFT-55,TC55V040AFT-55 PDF资料,TC55V040AFT-55经销商,ic,电子元器件-51电子网

TC55V040AFT-55,-70

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

524,288 ，一个字一个8位全CMOS静态RAM

描述

该TC55V040AFT是由8位， 524288字4194304位的静态随机存取存储器（SRAM）。

采用东芝的CMOS硅栅工艺技术制造，该设备从一个单一的2.3 3.6 V工作

电源。先进的电路技术以3的运转电流同时提供高速和低功耗

毫安/ MHz和55 ns的最小循环时间。 0.5它会自动放置在低功耗模式

A

待机

电流（在V

DD

=

3 V ，TA

=

25℃时，最大）时，芯片使能（

CE1

）为高电平或（ CE2 ）被置为低电平。

有三个控制输入。

CE1

和CE2分别用于选择设备和用于数据保持控制，并

输出使能（

OE

）提供了快速内存访问。该装置非常适合于各种微处理器系统

应用中的高速，低功耗和电池备份是必需的。并且，有保证的操作

极端温度范围

40°

到85℃时， TC55V040AFT可以在表现出极端的环境中使用

温度条件。该TC55V040AFT在正常使用和反向的引脚塑料40针

薄小外形封装（ TSOP ）。

特点

低功耗

操作： 10.8毫瓦/兆赫（典型值）

2.3 3.6 V单电源电压

使用关机功能

CE1

和CE2

1.5 3.6 V数据保持电源电压

所有的输入和输出直接TTL兼容

宽工作温度范围

40°

至85℃

待机电流（最大）：

3.6 V

3.0 V

7

A

5

A

访问时间（最大）：

TC55V040AFT

-55

存取时间

CE1访问时间

CE2访问时间

OE访问时间

55纳秒

30纳秒

-70

70纳秒

35纳秒

包装：

TSOPⅠ40 -P - 1014-0.50 （ AFT ）（重量： 0.32克典型值）

引脚分配

（ TOP VIEW ）

40针TSOP

1

40

引脚名称

A0~A18

地址输入

CE1 ， CE2

读/写

OE

20

（普通）

21

I/O1~I/O8

V

DD

GND

NC

芯片使能

读/写控制

OUTPUT ENABLE

数据输入/输出

动力

地

无连接

PIN号

引脚名称

PIN号

引脚名称

1

A16

21

A0

2

A15

22

CE1

3

A14

23

GND

4

A13

24

OE

5

A12

25

I/O1

6

A11

26

I/O2

7

A9

27

I/O3

8

A8

28

I/O4

9

读/写

29

NC

10

CE2

30

V

DD

11

NC

31

V

DD

12

NC

32

I/O5

13

A18

33

I/O6

14

A7

34

I/O7

15

A6

35

I/O8

16

A5

36

A10

17

A4

37

NC

18

A3

38

NC

19

A2

39

GND

20

A1

40

A17

2003-08-06

1/11

TC55V040AFT-55,-70

框图

CE

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A11

A12

A13

A14

A18

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

行地址

卜FF器

行地址

注册

行地址

解码器

V

DD

GND

存储单元阵列

2,048

×

256

×

8

(4,194,304)

8

数据

控制

SENSE AMP

列地址

解码器

时钟

发电机

COLUMN ADDERSS

注册

列地址

卜FF器

CE

A0 A1 A2 A3 A10A15A16 A17

OE

读/写

CE1

CE2

CE

经营模式

模式

读

写

输出取消

待机

*

=不关心

H =逻辑高

L =逻辑低

CE1

L

H

*

CE2

H

*

OE

L

*

读/写

H

L

H

*

I/O1~I/O8

产量

输入

高-Z

动力

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDS

I

DDS

H

*

L

最大额定值

符号

V

DD

V

IN

V

I / O

P

D

T

SOLDER

T

英镑

T

OPR

电源电压

输入电压

输入/输出电压

功耗

焊接温度（ 10秒）

储存温度

工作温度

等级

价值

0.3~4.6

0.3

*

~4.6

0.5~V

DD

+

0.5

单位

V

W

°C

0.6

260

55~150

40~85

*

:

为3.0 V时，在50ns的脉冲宽度测

2003-08-06

2/11

TC55V040AFT-55,-70

DC推荐工作条件

（大

= 40°

至85 ℃）下

2.3 V~3.6 V

符号

参数

民

V

DD

V

IH

V

IL

V

DH

电源电压

输入高电压

输入低电压

数据保持电源电压

2.3

2.2

0.3

*

单位

典型值

3.0

最大

3.6

V

DD

+

0.3

V

DD

×

0.22

3.6

V

1.5

*

:

3.0 V时为50 ns的脉冲宽度测量

DC特性

（大

= 40°

至85℃ ，V

DD

=

2.3 3.6 V）

符号

I

IL

I

OH

I

OL

I

LO

参数

输入漏

当前

输出高电流

输出低电流

输出漏

当前

V

IN

=

0 V~V

DD

V

OH

=

V

DD

0.5 V

V

OL

=

0.4 V

CE1

=

V

IH

或CE2

=

V

IL

或读/写

=

V

IL

或OE

=

V

IH

,

V

OUT

=

0 V~V

DD

CE1

=

V

IL

和CE2

=

V

IH

和

读/写

=

V

IH

我

OUT

=

0毫安，

其他输入

=

V

IH

/V

IL

工作电流

l

DDO2

CE1

=

0.2 V和

CE2

=

V

DD

0.2 V和

V

DD

=

t

周期

读/写

=

V

DD

0.2 V，I

OUT

=

0毫安， 3 V

±

10%

其他输入

=

V

DD

0.2 V/0.2 V

CE

=

V

IH

或CE2

=

V

IL

V

DD

=

3 V

±

10%

待机电流

CE1

=

V

DD

0.2 V

或CE2

=

0.2 V

V

DD

=

1.5 V~3.6 V

V

DD

=

3.3 V

±

0.3 V

Ta

=

25°C

Ta

=

40~85°C

Ta

=

25°C

Ta

=

40~85°C

Ta

=

25°C

V

DD

=

3.0 V

Ta

=

40~40°C

Ta

=

40~85°C

注意：

55纳秒

70纳秒

1

s

55纳秒

V

DD

=

t

周期

3 V

±

10%

70纳秒

1

s

测试条件

民

0.5

典型值

最大

±

1.0

±

1.0

单位

A

mA

A

2.1

60

50

10

55

45

5

2

0.6

6

0.7

7

0.5

1

5

A

l

DDO1

mA

I

DDS1

mA

I

DDS2

（注）

0.05

在待机模式下， CE1

≥

V

DD

0.2 V ，这些限制保证了条件CE2

≥

V

DD

0.2 V或CE2

≤

0.2 V.

电容

（大

=

25 ° C，F

=

1兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

注意：

参数

输入电容

输出电容

V

IN

=

GND

V

OUT

=

GND

测试条件

最大

10

单位

pF

此参数是周期性采样，而不是100％测试。

2003-08-06

3/11

TC55V040AFT-55,-70

交流特性和操作条件

（大

= 40°

至85℃ ，V

DD

=

2.7至3.6 V ）

读周期

TC55V040AFT

符号

参数

民

t

RC

t

加

t

CO1

t

CO2

t

OE

t

COE

t

OEE

t

OD

t

ODO

t

OH

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（ CE1 ）访问时间

芯片使能（ CE2 ）访问时间

输出启用访问时间

芯片使能低到输出有效

输出使能低到输出有效

芯片使能高到输出高阻

输出使能高到输出高阻

输出数据保持时间

55

-55

最大

-70

民

70

单位

最大

55

30

70

35

ns

5

0

5

0

25

30

10

写周期

TC55V040AFT

符号

参数

民

t

WC

t

WP

t

CW

t

AS

t

WR

t

ODW

t

OEW

t

DS

t

DH

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

地址建立时间

写恢复时间

R / W低到输出高阻

R / W高到输出有效

数据建立时间

数据保持时间

55

45

50

0

-55

最大

-70

民

70

50

60

0

单位

最大

ns

25

30

0

25

0

30

0

AC测试条件

参数

输出负载

输入脉冲电平

定时测量

参考电平

t

R

, t

F

测试条件

30 pF的

+

1 TTL门

0.4 V, 2.4 V

V

DD

×

0.5

V

DD

×

0.5

5纳秒

2003-08-06

4/11

TC55V040AFT-55,-70

交流特性和操作条件

（大

= 40°

至85℃ ，V

DD

=

2.3 3.6 V）

读周期

TC55V040AFT

符号

参数

民

t

RC

t

加

t

CO1

t

CO2

t

OE

t

COE

t

OEE

t

OD

t

ODO

t

OH

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（ CE1 ）访问时间

芯片使能（ CE2 ）访问时间

输出启用访问时间

芯片使能低到输出有效

输出使能低到输出有效

芯片使能高到输出高阻

输出使能高到输出高阻

输出数据保持时间

70

-55

最大

-70

民

85

单位

最大

70

35

85

45

ns

5

0

5

0

30

35

10

写周期

TC55V040AFT

符号

参数

民

t

WC

t

WP

t

CW

t

AS

t

WR

t

ODW

t

OEW

t

DS

t

DH

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

地址建立时间

写恢复时间

R / W低到输出高阻

R / W高到输出有效

数据建立时间

数据保持时间

70

50

60

0

-55

最大

-70

民

85

55

70

0

单位

最大

ns

30

35

0

30

0

35

0

AC测试条件

参数

输出负载

输入脉冲电平

定时测量

参考电平

t

R

, t

F

测试条件

30 pF的

+

1 TTL门

V

DD

0.2 V, 0.2 V

V

DD

×

0.5

V

DD

×

0.5

5纳秒

2003-08-06

5/11

TC55V040AFT-55,-70

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

524,288 ，一个字一个8位全CMOS静态RAM

描述

该TC55V040AFT是由8位， 524288字4194304位的静态随机存取存储器（SRAM）。

采用东芝的CMOS硅栅工艺技术制造，该设备从一个单一的2.3 3.6 V工作

电源。先进的电路技术以3的运转电流同时提供高速和低功耗

毫安/ MHz和55 ns的最小循环时间。 0.5它会自动放置在低功耗模式

A

待机

电流（在V

DD

=

3 V ，TA

=

25℃时，最大）时，芯片使能（

CE1

）为高电平或（ CE2 ）被置为低电平。

有三个控制输入。

CE1

和CE2分别用于选择设备和用于数据保持控制，并

输出使能（

OE

）提供了快速内存访问。该装置非常适合于各种微处理器系统

应用中的高速，低功耗和电池备份是必需的。并且，有保证的操作

极端温度范围

40°

到85℃时， TC55V040AFT可以在表现出极端的环境中使用

温度条件。该TC55V040AFT在正常使用和反向的引脚塑料40针

薄小外形封装（ TSOP ）。

特点

低功耗

操作： 10.8毫瓦/兆赫（典型值）

2.3 3.6 V单电源电压

使用关机功能

CE1

和CE2

1.5 3.6 V数据保持电源电压

所有的输入和输出直接TTL兼容

宽工作温度范围

40°

至85℃

待机电流（最大）：

3.6 V

3.0 V

7

A

5

A

访问时间（最大）：

TC55V040AFT

-55

存取时间

CE1访问时间

CE2访问时间

OE访问时间

55纳秒

30纳秒

-70

70纳秒

35纳秒

包装：

TSOPⅠ40 -P - 1014-0.50 （ AFT ）（重量： 0.32克典型值）

引脚分配

（ TOP VIEW ）

40针TSOP

1

40

引脚名称

A0~A18

地址输入

CE1 ， CE2

读/写

OE

20

（普通）

21

I/O1~I/O8

V

DD

GND

NC

芯片使能

读/写控制

OUTPUT ENABLE

数据输入/输出

动力

地

无连接

PIN号

引脚名称

PIN号

引脚名称

1

A16

21

A0

2

A15

22

CE1

3

A14

23

GND

4

A13

24

OE

5

A12

25

I/O1

6

A11

26

I/O2

7

A9

27

I/O3

8

A8

28

I/O4

9

读/写

29

NC

10

CE2

30

V

DD

11

NC

31

V

DD

12

NC

32

I/O5

13

A18

33

I/O6

14

A7

34

I/O7

15

A6

35

I/O8

16

A5

36

A10

17

A4

37

NC

18

A3

38

NC

19

A2

39

GND

20

A1

40

A17

2003-08-06

1/11

TC55V040AFT-55,-70

框图

CE

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A11

A12

A13

A14

A18

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

行地址

卜FF器

行地址

注册

行地址

解码器

V

DD

GND

存储单元阵列

2,048

×

256

×

8

(4,194,304)

8

数据

控制

SENSE AMP

列地址

解码器

时钟

发电机

COLUMN ADDERSS

注册

列地址

卜FF器

CE

A0 A1 A2 A3 A10A15A16 A17

OE

读/写

CE1

CE2

CE

经营模式

模式

读

写

输出取消

待机

*

=不关心

H =逻辑高

L =逻辑低

CE1

L

H

*

CE2

H

*

OE

L

*

读/写

H

L

H

*

I/O1~I/O8

产量

输入

高-Z

动力

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDS

I

DDS

H

*

L

最大额定值

符号

V

DD

V

IN

V

I / O

P

D

T

SOLDER

T

英镑

T

OPR

电源电压

输入电压

输入/输出电压

功耗

焊接温度（ 10秒）

储存温度

工作温度

等级

价值

0.3~4.6

0.3

*

~4.6

0.5~V

DD

+

0.5

单位

V

W

°C

0.6

260

55~150

40~85

*

:

为3.0 V时，在50ns的脉冲宽度测

2003-08-06

2/11

TC55V040AFT-55,-70

DC推荐工作条件

（大

= 40°

至85 ℃）下

2.3 V~3.6 V

符号

参数

民

V

DD

V

IH

V

IL

V

DH

电源电压

输入高电压

输入低电压

数据保持电源电压

2.3

2.2

0.3

*

单位

典型值

3.0

最大

3.6

V

DD

+

0.3

V

DD

×

0.22

3.6

V

1.5

*

:

3.0 V时为50 ns的脉冲宽度测量

DC特性

（大

= 40°

至85℃ ，V

DD

=

2.3 3.6 V）

符号

I

IL

I

OH

I

OL

I

LO

参数

输入漏

当前

输出高电流

输出低电流

输出漏

当前

V

IN

=

0 V~V

DD

V

OH

=

V

DD

0.5 V

V

OL

=

0.4 V

CE1

=

V

IH

或CE2

=

V

IL

或读/写

=

V

IL

或OE

=

V

IH

,

V

OUT

=

0 V~V

DD

CE1

=

V

IL

和CE2

=

V

IH

和

读/写

=

V

IH

我

OUT

=

0毫安，

其他输入

=

V

IH

/V

IL

工作电流

l

DDO2

CE1

=

0.2 V和

CE2

=

V

DD

0.2 V和

V

DD

=

t

周期

读/写

=

V

DD

0.2 V，I

OUT

=

0毫安， 3 V

±

10%

其他输入

=

V

DD

0.2 V/0.2 V

CE

=

V

IH

或CE2

=

V

IL

V

DD

=

3 V

±

10%

待机电流

CE1

=

V

DD

0.2 V

或CE2

=

0.2 V

V

DD

=

1.5 V~3.6 V

V

DD

=

3.3 V

±

0.3 V

Ta

=

25°C

Ta

=

40~85°C

Ta

=

25°C

Ta

=

40~85°C

Ta

=

25°C

V

DD

=

3.0 V

Ta

=

40~40°C

Ta

=

40~85°C

注意：

55纳秒

70纳秒

1

s

55纳秒

V

DD

=

t

周期

3 V

±

10%

70纳秒

1

s

测试条件

民

0.5

典型值

最大

±

1.0

±

1.0

单位

A

mA

A

2.1

60

50

10

55

45

5

2

0.6

6

0.7

7

0.5

1

5

A

l

DDO1

mA

I

DDS1

mA

I

DDS2

（注）

0.05

在待机模式下， CE1

≥

V

DD

0.2 V ，这些限制保证了条件CE2

≥

V

DD

0.2 V或CE2

≤

0.2 V.

电容

（大

=

25 ° C，F

=

1兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

注意：

参数

输入电容

输出电容

V

IN

=

GND

V

OUT

=

GND

测试条件

最大

10

单位

pF

此参数是周期性采样，而不是100％测试。

2003-08-06

3/11

TC55V040AFT-55,-70

交流特性和操作条件

（大

= 40°

至85℃ ，V

DD

=

2.7至3.6 V ）

读周期

TC55V040AFT

符号

参数

民

t

RC

t

加

t

CO1

t

CO2

t

OE

t

COE

t

OEE

t

OD

t

ODO

t

OH

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（ CE1 ）访问时间

芯片使能（ CE2 ）访问时间

输出启用访问时间

芯片使能低到输出有效

输出使能低到输出有效

芯片使能高到输出高阻

输出使能高到输出高阻

输出数据保持时间

55

-55

最大

-70

民

70

单位

最大

55

30

70

35

ns

5

0

5

0

25

30

10

写周期

TC55V040AFT

符号

参数

民

t

WC

t

WP

t

CW

t

AS

t

WR

t

ODW

t

OEW

t

DS

t

DH

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

地址建立时间

写恢复时间

R / W低到输出高阻

R / W高到输出有效

数据建立时间

数据保持时间

55

45

50

0

-55

最大

-70

民

70

50

60

0

单位

最大

ns

25

30

0

25

0

30

0

AC测试条件

参数

输出负载

输入脉冲电平

定时测量

参考电平

t

R

, t

F

测试条件

30 pF的

+

1 TTL门

0.4 V, 2.4 V

V

DD

×

0.5

V

DD

×

0.5

5纳秒

2003-08-06

4/11

TC55V040AFT-55,-70

交流特性和操作条件

（大

= 40°

至85℃ ，V

DD

=

2.3 3.6 V）

读周期

TC55V040AFT

符号

参数

民

t

RC

t

加

t

CO1

t

CO2

t

OE

t

COE

t

OEE

t

OD

t

ODO

t

OH

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（ CE1 ）访问时间

芯片使能（ CE2 ）访问时间

输出启用访问时间

芯片使能低到输出有效

输出使能低到输出有效

芯片使能高到输出高阻

输出使能高到输出高阻

输出数据保持时间

70

-55

最大

-70

民

85

单位

最大

70

35

85

45

ns

5

0

5

0

30

35

10

写周期

TC55V040AFT

符号

参数

民

t

WC

t

WP

t

CW

t

AS

t

WR

t

ODW

t

OEW

t

DS

t

DH

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

地址建立时间

写恢复时间

R / W低到输出高阻

R / W高到输出有效

数据建立时间

数据保持时间

70

50

60

0

-55

最大

-70

民

85

55

70

0

单位

最大

ns

30

35

0

30

0

35

0

AC测试条件

参数

输出负载

输入脉冲电平

定时测量

参考电平

t

R

, t

F

测试条件

30 pF的

+

1 TTL门

V

DD

0.2 V, 0.2 V

V

DD

×

0.5

V

DD

×

0.5

5纳秒

2003-08-06

5/11